适用于LLC变压器，其特征在于，包括：第一MOS开关管、第二MOS开关管、第一电容...适用于LLC变压器，其特征在于，包括：第一MOS开关管、第二MOS开关管、第一电容、电感和至少两个变压器;所述变压器的原边串联、副边并联;所述第一MOS开关管与第二M...
场效应管输入前级放大器：该TW-J26SN1前级放大器的输入端采用单端1型场效应管做...场效应管输入前级放大器：该TW-J26SN1前级放大器的输入端采用单端1型场效应管做输入级,单管输入可获对比差分输入更低的噪音,更大的动态范围, 接近电子管的输入特性...
MOS变容管概述：MOS变容管是把MOSFET标准管或稍加改进后的MOS管的源极、漏极以...MOS变容管概述：MOS变容管是把MOSFET标准管或稍加改进后的MOS管的源极、漏极以及衬底连接起来，使它变成一个两端器件;所利用的电容是栅极和源极之间的电容。电容的...
MOS变容管解析：随着移动通信技术的发展，射频(RF)电路的研究引起了广泛的重视...MOS变容管解析：随着移动通信技术的发展，射频(RF)电路的研究引起了广泛的重视。采用标准CMOS工艺实现压控振荡器(VCO)，是实现RF CMOS集成收发机的关键。过去的VC...
MOSFET/IGBT的开关损耗测验是电源调试中非常关键的环节，但很多工程师对开关损...MOSFET/IGBT的开关损耗测验是电源调试中非常关键的环节，但很多工程师对开关损耗的测量还停留在人工计算的感性认知上，PFC MOSFET的开关损耗更是只能依据口口相传...
MOS管速度饱和:一般而言，载流子速度正比于电场，斜率是载流子的迁移率；可当延...MOS管速度饱和:一般而言，载流子速度正比于电场，斜率是载流子的迁移率；可当延沟道电场达到临界值（某个根据散射效应计算的值）时，载流子的速度将会趋于饱和，称...
