MOS管2N65H特征: RDS (on) =4.3Ω@VGS=10V 低门电荷(典型的6.5nC) 高韧性 ...MOS管2N65H特征: RDS (on) =4.3Ω@VGS=10V 低门电荷(典型的6.5nC) 高韧性 快速切换 100%雪崩试验 改进的dv/dt能力
KIA半导体2018ELEXCON深圳国际电子展圆满结束!感谢各位粉丝朋友莅临展台,参与...KIA半导体2018ELEXCON深圳国际电子展圆满结束!感谢各位粉丝朋友莅临展台,参与我们现场展会,持续关注KIA半导体平台,更多活动新事分享给您!“物联中国,智慧星球...
场效应mos管,场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管...场效应mos管,场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。主要有两种类型(junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管,由多数载流...
4365 MOS管产品特征: RDS(ON),典型值=2Ω@ VGS = 10V,ID=2A 快速切换 ...4365 MOS管产品特征: RDS(ON),典型值=2Ω@ VGS = 10V,ID=2A 快速切换 100%雪崩测试 改进的dt/dt能力
插件MOS管封装尺寸图及选型,MOSFET芯片在制作完成之后,需要给MOSFET芯片加上一...插件MOS管封装尺寸图及选型,MOSFET芯片在制作完成之后,需要给MOSFET芯片加上一个外壳,即MOS管封装。MOSFET芯片的外壳具有支撑、保护、冷却的作用,同时还为芯片提...
大电流mos管,由于功率MOSFET热稳定性好,故比双极型晶体管并联连接简单。可是...大电流mos管,由于功率MOSFET热稳定性好,故比双极型晶体管并联连接简单。可是并联连接MOSFET用于高速开关则末必简单,从现象看并联连接会发生以下两个问题:1) ...