在此，R1和C1对晶体管Q4构成一个适度的滤波器。Q5发射极上的3.3V电压将对Q4的基...在此，R1和C1对晶体管Q4构成一个适度的滤波器。Q5发射极上的3.3V电压将对Q4的基极发射极结产生反向偏置，并使电流通过R11流向Q4的基极。流经Q4的电流驱动Q3和Q2，...
与MOSFET相关的三个电容的基本定义如图1a和1b所示。以VDS的函数的方式测量这些...与MOSFET相关的三个电容的基本定义如图1a和1b所示。以VDS的函数的方式测量这些电容并不是一件直截了当的工作，在此过程中需要它们中的某些被短路或开路（left flo...
图1为常用的小功率驱动电路，简单可靠成本低，适用于不要求隔离的小功率开关设...图1为常用的小功率驱动电路，简单可靠成本低，适用于不要求隔离的小功率开关设备。其中一路直接接到下管，另外一路经反向器反向后驱动上管。RP1，RP2用于调节死区...
首先，FET 电阻与其面积成反比例关系。因此，如果为 FET 分配一定的总面积，同...首先，FET 电阻与其面积成反比例关系。因此，如果为 FET 分配一定的总面积，同时您让高侧面积更大（旨在降低其电阻），则低侧的面积必减小，而其电阻增加。
P沟道 MOS管KIA7P03A -7.5A-30V产品描述 KIA7P03A是高密度沟槽p-CH MOSFET，提...P沟道 MOS管KIA7P03A -7.5A-30V产品描述 KIA7P03A是高密度沟槽p-CH MOSFET，提供出色的导通电阻和大多数同步降压转换器应用的栅极电荷。
反激电源是最常用的拓扑之一。其变压器漏感常会引起原边振铃，并导致会损坏 MO...反激电源是最常用的拓扑之一。其变压器漏感常会引起原边振铃，并导致会损坏 MOSFET 的电压尖峰。因此，通过变压器和MOSFET 组件的合理设计来控制振铃非常重要。
