KIA2807N场效应管漏源击穿电压75V，漏极电流为150A，RDS(on)=5.0mΩ @VGS= 10V...KIA2807N场效应管漏源击穿电压75V，漏极电流为150A，RDS(on)=5.0mΩ @VGS= 10V；KIA2807N 75V 150A采用超高密度电池设计；超低导通电阻、100%雪崩测试、可提供无铅...
70n08场效应管代换KIA3407A漏源击穿电压70V，漏极电流为80A，VDSS=70V/ VGSS...70n08场效应管代换KIA3407A漏源击穿电压70V，漏极电流为80A，VDSS=70V/ VGSS=+25V/ID=80A,,RDS(ON)=10.8mΩ(Max.)@VGS=10V；采用KIA半导体的先进的沟槽工艺技术...
ncep60t20代换场效应管KNX1906漏源击穿电压60V，漏极电流最大值为230A；RDS (o...ncep60t20代换场效应管KNX1906漏源击穿电压60V，漏极电流最大值为230A；RDS (on) = 2.7mΩ(typ)@VGS =10V。KNX1906具有无铅绿色设备、降低导电损耗、高雪崩电流等...
irf3205场效应管代换KNX3206A漏源击穿电压60V，漏极电流最大值为110A；RDS (...irf3205场效应管代换KNX3206A漏源击穿电压60V，漏极电流最大值为110A；RDS (on) = 6.5mΩ(typ)@VGS =10V。KNX3206A具有低RDS（ON)以减小导电损耗、低门电荷在快...
hy1603场效应管代换KNX3403A漏源击穿电压30V，漏极电流最大值为85A；RDS (on) ...hy1603场效应管代换KNX3403A漏源击穿电压30V，漏极电流最大值为85A；RDS (on) = 4.5mΩ(typ)@VGS =10V。KNX3403A具有无铅绿色设备、降低导电损耗、高雪崩电流等特...
KIA3506A漏源击穿电压60V，漏极电流为70A，VGS=10V ,RDS(on)=6.5mΩ@ VGS=10V；...KIA3506A漏源击穿电压60V，漏极电流为70A，VGS=10V ,RDS(on)=6.5mΩ@ VGS=10V；具有超低电阻、高UIS和UIS 100%测试；KIA3506A可以代换RU6070L、CEP6086、STF140N6...
