NMOS管的主回路电流方向为D极到S极，导通条件为VGS有一定的压差，即VG-VS>VTH；...NMOS管的主回路电流方向为D极到S极，导通条件为VGS有一定的压差，即VG-VS>VTH；PMOS管的主回路电流方向为S极到G极，导通条件为VSG有一定的压差，即VS-VG>VTH。故一...
当5V没接入时，PMOS管的栅极通过电阻R1下拉到地（0V），锂电池BAT（3.7~4.2V）...当5V没接入时，PMOS管的栅极通过电阻R1下拉到地（0V），锂电池BAT（3.7~4.2V）通过MOS管的内部体二极管到达源极，源极电压为（3~3.5）V，此时Ugs为（-3.5）V到（-...
1、VSSS耐压 按下图连接测试电路，设置VGS=0V，VSS1从0V以0.1V步增，逐渐增加...1、VSSS耐压 按下图连接测试电路，设置VGS=0V，VSS1从0V以0.1V步增，逐渐增加电压至IS=1mA,且MOS无损毁，记录VSS1的电压。
在某些应用中,如电池充电电路中, B点是充电器接口, C点是电池接口，为了防止充...在某些应用中,如电池充电电路中, B点是充电器接口, C点是电池接口，为了防止充电器拔掉时,电池电压出现在充电接口。 (Q1、Q2、Q3共同组成防倒灌电路)注意Q3的DS反...
主要保护GS极，限制Vgs间的最大电压。 (其一)保护DS极，其二)起到回流二极管作...主要保护GS极，限制Vgs间的最大电压。 (其一)保护DS极，其二)起到回流二极管作用，其三)为过电流或电感提供反向通路，其四)防止d、s极反向连接，其五)隔离。
1、左边电路负载是接在S极对地，如果R1很小且Q1-G极一直为High，那么流过Q1的电...1、左边电路负载是接在S极对地，如果R1很小且Q1-G极一直为High，那么流过Q1的电流可能将会非常大，MOS管容易烧；
