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3306mos,3306场效应管,原厂特价,60v80a,KNB3306C现货-KIA MOS管
原厂现货特价场效应管KNB3306C漏源电压68V，漏极电流80A，极低电阻RDS（ON）为6.5mΩ，最大限度地减少导通损耗，提高效率；具有低Crss、快速切换特性，提供卓越的开关性能；100%雪崩测试、改进的dv/dt能力，性能稳定可靠；适用于PWM应用程序、电源管理、负载开...www.kiaic.com/article/detail/6249.html 2026-03-09
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60v80a mos管,3306mos管,KNP3306A场效应管参数-KIA MOS管
KNP3306A场效应管漏源击穿电压60V，漏极电流80A；采用先进的沟槽技术制造，极低导通电阻RDS(开启) 7mΩ，低栅极电荷，最大限度地减少导电损耗，提高效率；具有高输入阻抗、高雪崩电流、?低功耗、开关速度快，高效稳定；无铅环保设备，优质可靠，广泛应用于电源...www.kiaic.com/article/detail/6174.html 2026-01-19
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逆变mos管,60v80amos管,KCD3406A场效应管参数-KIA MOS管
逆变器专用mos管KCD3406A漏源击穿电压60V，漏极电流为80A，采用先进的LVMOS工艺技术生产，SGT MOSFET通过结构改进提升性能，在降低导通电阻和开关损耗方面表现出色，最大限度地降低导通电阻，RDS(开启) =8.5mΩ；具有低栅电荷、低反馈电容、开关速度快、改进的...www.kiaic.com/article/detail/5552.html 2025-03-12
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3406场效应管,60v80a,dfn5*6,KCY3406A参数资料-KIA MOS管
KCY3406A场效应管漏源击穿电压60V，漏极电流为80A，采用KIA的LVMOS工艺技术生产，低导通电阻RDS(on)=8.5mΩ，改进的工艺和电池结构经过特别定制，最大限度地降低导通电阻；具有低栅电荷、低反馈电容，降低功耗提高效率；开关速度快、改进的dvdt功能，稳定可靠；...www.kiaic.com/article/detail/5409.html 2024-12-26
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3406场效应管参数引脚图 60V80A场效应管-KIA MOS管
MOS管KCX3406A：漏源击穿电压60V，漏极电流最大值为80A；RDS (on) = 8.5mΩ(typ)@VGS =10V。KCX3406A是采用KIA的LVMOS技术生产的N沟道增强型功率MOS场效应晶体管。www.kiaic.com/article/detail/4481.html 2023-09-12
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KNX3406A TO252/60V80A参数资料 免费送样-KIA MOS管
KNX3406A TO252/60V80A产品特征RDS(ON)=6.5mΩ(typ.)@VGS=10V提供无铅和绿色设备低无线电数据系统开启，以减少传导损耗高雪崩电流www.kiaic.com/article/detail/3263.html 2021-12-24
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60V80A KNX3406A参数、规格、封装|原厂价格优势-KIA MOS管
MOS管60V80A KNX3406A产品特征RDS(ON)=6.5mΩ(typ.)@VGS=10V提供无铅和绿色设备低无线电数据系统开启，以减少传导损耗高雪崩电流www.kiaic.com/article/detail/2778.html 2021-04-30