|
|
|
结果: 找到相关主题 27 个
-
同步整流,2904mos管,45v130a,KCP2904A场效应管参数-KIA MOS管
KCP2904A场效应管漏源击穿电压45V，漏极电流130A，采用先进的SGT技术，低功率损耗，高功率密度，提升最大电流承载能力，易于并联；极低导通电阻RDS（ON）2mΩ（典型值），最大限度地降低导通电阻，减少开关损耗；优异的低Ciss特性，在高频应用中更快地响应输入...www.kiaic.com/article/detail/5831.html 2025-08-01
-
被动式PFC电路原理,无源pfc电路-KIA MOS管
被动式PFC有两种类型：电感补偿式，在整流桥堆和滤波电容之间加入一个电感（适当选取电感量），其工作原理是利用电感减小交流输入的基波电流与电压的相位差，从而提高功率因数；www.kiaic.com/article/detail/5830.html 2025-08-01
-
主动PFC电路,有源PFC电路,工作原理详解-KIA MOS管
PFC功率因数校正，通过对输入电流的波形进行控制，使其与输入电压波形同步，提高功率因数，减少谐波含量，能够解决因容性负载导致电流波形严重畸变而产生的电磁干扰(EMl)和电磁兼容(EMC)问题。www.kiaic.com/article/detail/5829.html 2025-08-01
-
600v超结mos管,600v24a,KLF60R135BD场效应管参数-KIA MOS管
KLF60R135BD场效应管漏源击穿电压600V，漏极电流24A，采用多层外延工艺的超结MOS，有效降低导通电阻Rds(on)和Qg，更利于提高效率；?极低导通电阻RDS（ON）110mΩ（典型值），最大限度地降低导通电阻，低栅极电荷（典型Qg=46nC)，减少开关损耗；具有高耐用性、...www.kiaic.com/article/detail/5828.html 2025-07-31
-
主动pfc和被动pfc的区别详解-KIA MOS管
目前的PFC有两种，一种为被动式PFC(也称无源PFC)和主动式PFC(也称有源式PFC)。主动式PFC由电感电容及电子元器件组成，体积小、通过专用IC去调整电流的波形，对电流电压间的相位差进行补偿。www.kiaic.com/article/detail/5827.html 2025-07-31
-
电源供应器的作用,电源供应器详解-KIA MOS管
电源供应器（Power Supply Unit,PSU）是计算机和其他电子设备的核心组件之一，负责将家用交流电（AC)转换为计算机各个组件所需的低压直流电（DC），为整个系统提供稳定可靠的电力供应。www.kiaic.com/article/detail/5826.html 2025-07-31
-
ups逆变器专用,80v160a,KNP2708A场效应管参数-KIA MOS管
KNP2708A场效应管漏源击穿电压80V，漏极电流160A，采用专有新型沟槽技术制造，极低导通电阻RDS（ON）4mΩ（典型值），最大限度地降低导通电阻，超低栅极电荷，减少开关损耗提高效率；快速恢复体二极管、反向恢复时间短，高效低耗，稳定可靠；广泛应用于高效DCD...www.kiaic.com/article/detail/5825.html 2025-07-30
-
开关稳压电路图,电路原理详解-KIA MOS管
开关稳压电路用于将不稳定的输入电压转换为稳定的输出电压。它通过周期性地开关和关闭电路中的开关元件（通常是晶体管或功率MOSFET），以调整电压和电流，以维持所需的输出电压。www.kiaic.com/article/detail/5824.html 2025-07-30
-
开关稳压器工作原理及作用详解-KIA MOS管
开关稳压器通过高频开关管（如MOSFET）周期性导通/关断，配合电感和电容储能，实现电压转换。核心是能量断续传递，利用脉冲宽度调制（PWM）或脉冲频率调制（PFM）控制输出电压。www.kiaic.com/article/detail/5823.html 2025-07-30
-
同步整流应用,3006场效应管,KNP3006A参数引脚图-KIA MOS管
KNP3006A场效应管漏源击穿电压68V，漏极电流120A，极低导通电阻RDS（ON）5.8mΩ（典型值），最大限度地降低导通电阻，低栅极电荷（典型值107nC)，减少开关损耗；具有高耐久性、100%雪崩测试、改进的dv/dt性能，确保性能稳定优越，坚固可靠，广泛应用于同步整流...www.kiaic.com/article/detail/5822.html 2025-07-29
-
双极性晶体管是什么,双极性晶体管工作原理-KIA MOS管
双极型晶体管，BJT，是一种三端有源器件，通过控制基区电流来控制集电区电流，从而实现电流的放大、调节和开关等功能。双极型晶体管是一种广泛应用于电子电路中的半导体器件，具有三层结构，由P型半导体、N型半导体和P型半导体（或相反顺序）组成，分别对应发射...www.kiaic.com/article/detail/5821.html 2025-07-29
-
低压降稳压器LDO工作原理详解-KIA MOS管
低压降稳压器LDO，即低压差线性稳压器，是一种在输入电压与输出电压压差很小的条件下能正常工作的稳压器。其核心作用是在电路中维持稳定的电压输出，即便在输入电压与输出电压差异较小的情况下也能保持高效工作。www.kiaic.com/article/detail/5820.html 2025-07-29
-
pmos的开启电压,pmos管的导通条件-KIA MOS管
pmos是低电压开启的，其导通条件是栅极电压（Vgs）低于阈值电压（通常为负值），即栅极相对于源极为负电压时导通。pmos管的开通电压为负值，通常在-5V至-10V范围内。www.kiaic.com/article/detail/5796.html 2025-07-28
-
crss是什么电容,反向传输电容Crss详解-KIA MOS管
反向传输电容Crss=Cgd，米勒电容主导开关期间VDS变化阶段（米勒平台），延长开关时间并增加损耗；www.kiaic.com/article/detail/5797.html 2025-07-28