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广东可易亚半导体科技有限公司

结果: 找到相关主题 5150 个

  • 运算放大器多谐振荡器电路分析-KIA MOS管

    通过将正弦输入替换为跨运算放大器输出的RC定时电路,我们可以进一步将周期波形转换为矩形输出这一想法。这次,我们可以使用电容器的充电电压Vc来改变运算放大器的输出状态,而不是使用正弦波形来触发运算放大器。

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    www.kiaic.com/article/detail/3641.html         2022-07-08

  • 多谐振荡器电路制作的LED闪烁灯分享-KIA MOS管

    多谐振荡器也叫无稳态触发器,“多谐”的含义就是含有多种频率成分的意思,因为其输出的是脉冲方波,而方波可以分解为多个不同频率的正弦波。

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    www.kiaic.com/article/detail/3640.html         2022-07-08

  • NMOS开关电路测试图文分享-KIA MOS管

    从输出特性曲线可以看出,只要Vgs大于截止电压4.5V,DS就可以导通了。测试时直接使Vgs=+12V,Vds=+48V,负载电流最大可达到50A。为了方便单片机控制Vgs,可加一个三极管进行电压控制,加一个光耦进行电气隔离,通过单片机IO口电平高低来控制NOMS的通断。

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    www.kiaic.com/article/detail/3639.html         2022-07-07

  • 大电流H桥电机驱动电路-自举电路-KIA MOS管

    自举电路作用:在高端和低端MOS管中提到过,由于负载(电机)相对于高端和低端的位置不同,而MOS的开启条件为Vgs>Vth,这便会导致想要高端MOS导通,则其栅极对地所需的电压较大。

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    www.kiaic.com/article/detail/3638.html         2022-07-07

  • 驱动芯片和MOS管搭建大电流H桥电机驱动电路-KIA MOS管

    用半桥/全桥驱动芯片和MOS管搭建合适的H桥电机驱动电路实现对大电流电机的驱动控制。该电机驱动板有两个H桥电路,可以同时控制双路电机。可通过相应的控制信号来控制电机的转速和正反转。

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    www.kiaic.com/article/detail/3637.html         2022-07-07

  • 自偏置电流镜设计实例仿真分享-KIA MOS管

    在0.18µm的工艺下搭建我们之前讨论的电路,设计一个与VDD变化不敏感的参考电流源,参考电流为20µA,VDD为1.8V。计算相关参数,用gm/id法设计并搭建上一篇文章图三所示的电路如下图六所示。

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    www.kiaic.com/article/detail/3636.html         2022-07-06

  • 电路设计分享-自偏置电流镜电路设计-KIA MOS管

    如图一所示的电路,也称之为Beta-multiply reference电路,其中M2的尺寸是M1的k倍。M3复制M4的电流,M2和M1的漏极电流相同,但是VGS并不相等。

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    www.kiaic.com/article/detail/3635.html         2022-07-06

  • 【图文分析】电流镜电路分享-KIA MOS管

    电流镜电路可以用晶体管和MOSFET来搭建,尽管我们可以用这两个简单的有源器件或直接使用一个放大器电路,但其输出并不完美,而且有着自身的局限并依赖于外部因素。所以为了得到稳定的输出,我们必须在电流镜电路上加入另外的技术。

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    www.kiaic.com/article/detail/3634.html         2022-07-06

  • 【电子精选】共源共栅结构图文分析-KIA MOS管

    共源共栅结构最大的特点就是输出阻抗大。 共源管下标为1,共栅管下标为2,单个共源管的输出阻抗为ro1,而共源共栅结构的输出阻抗近似为gm2ro1ro2。

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    www.kiaic.com/article/detail/3633.html         2022-07-05

  • 常见的共源共栅电流镜电路分享-KIA MOS管

    上图所示为简单的共源共栅电流镜,对该电路而言,只需要保证M1和M3,M2和M4这两对MOS管成比例的设计,同时输出电压大于Vgs1+Vdsat2的要求,即可使所有的MOS管都工作在饱和区,以实现精准的电流拷贝和较大的输出阻抗。

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    www.kiaic.com/article/detail/3632.html         2022-07-05

  • 【集成电路】Vdsat、Vov、Vds的关系-KIA MOS管

    Vov:过驱动电压overdrive voltage,Vov=Vgs-Vth,过驱动电压也用Vod表示Vdsat:饱和漏源电压或夹断时漏源电压(刚出现夹断)saturation drain voltage

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    www.kiaic.com/article/detail/3631.html         2022-07-05

  • MOS管2810 参数100V150A TO-263 KNX2810A原厂直销-KIA MOS管

    MOS管2810 参数100V150A产品特点RDS(on)=5.0mΩ@VGS=10V超高密度电池设计超低导通电阻雪崩测试100%提供无铅和绿色设备(符合RoHS)

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    www.kiaic.com/article/detail/3630.html         2022-07-04

  • MOS管DS并联电阻构成的RCD缓冲电路分享-KIA MOS管

    功率管开关管箝位电路原理如图1所示,当开关管Q开通时,电容Cs两端压降为晶体管饱和压降,接近于零。开关管关断时,二极管将电阻Rs短路为电感电流iL提供放电通道,电容Cs迅速充电,开关管D、S两端电压被电容电压钳位,开关管减少的电流就是电容充电增加的电流iL。

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    www.kiaic.com/article/detail/3629.html         2022-07-04

  • 【电源技术】同相运算放大器电路设计-KIA MOS管

    通过将一小部分输出电压信号 通过R?-R2分压器网络加回到反相(-)输入端子,可以实现对同相运算放大器的反馈控制 。如图所示,这种闭环配置可产生具有非常好的稳定性,非常高的输入阻抗Rin接近无穷大的同相放大器电路,因为没有电流流入正输入端子(理想条件)...

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    www.kiaic.com/article/detail/3628.html         2022-07-04

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