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放大器电路在设计过程中常见问题分析及如何解决相关问题-KIA MOS管
放大器电路，或称放大电路，能增加信号的输出功率。它透过电源取得能量来源，以控制输出信号的波形与输入信号一致，但具有较大的振幅。依此来讲，放大器电路亦可视为可调节的输出电源，用来获得比输入信号更强的输出信号。放大器的四种基本类型是电压放大器、电...www.kiaic.com/article/detail/1237.html 2020-11-10
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1500V2.5A仙童NDUL03N150C|规格书参数-KIA MOS管
1500V2.5A仙童NDUL03N150C|规格书参数-KIA MOS管,1500V2.5A仙童NDUL03N150C,仙童NDUL03N150C,n沟道功率MOSFET,1500V2.5A,10.5Ω，TO-3PF-3L,1500V2.5A仙童NDUL03N150C-特性：导通电阻RDS(on)=8Ω(typ.)输入电容Ciss=650pF(typ.)10V 驱动www.kiaic.com/article/detail/2439.html 2020-11-09
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解析短沟道效应-MOSFET的短沟道效应,必看-KIA MOS管
MOSFET的短沟道效应:当MOS晶体管的沟道长度小到可以和漏结及源结的耗尽层厚度相比拟时,会出现一些不同于长沟道MOS管特性的现象,统称为短沟道效应，它们归因于在沟道区出现二维的电势分布以及高电场。当沟道区的掺杂浓度分布一定时,如果沟道长度缩短,源结与漏结...www.kiaic.com/article/detail/2436.html 2020-11-06
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CMOS知识分享-解析CMOS电路中的阱-KIA MOS管
CMOS电路中的阱:在CMOS电路的工艺结构中,应用在衬底上形成反型的阱是一大特点。已有的多种CMOS电路阱的类别,有p阱、n阱、双阱及倒转阱等(图4-3-3)。CMOS电路中的阱-p阱:在a型衬底上,以离子注入掺杂使阱区域有足够的浓度,以补偿衬底上的n型掺杂并形成一个p阱区。...www.kiaic.com/article/detail/2435.html 2020-11-06
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详解MOS晶体管的最高频率知识分析-KIA MOS管
MOS晶体管的最高频率:MOS晶体管在工作频率增高到一定值以后,它的特性就将随着频率的增高而变坏。MOS管的最高频率,大家知道,MOS晶体管的沟道区隔着绝缘的氧化层,在这一氧化层上面覆盖者金属栅电极,于是就形成了以氧化物为介质的平板电容器，称为栅电容,用符号Cg...www.kiaic.com/article/detail/2434.html 2020-11-06
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结型场效应管基本放大器工作原理分析-KIA MOS管
结型场效应管基本放大器工作原理:我们知道,根据导电沟道的不同,结型场效应管有N沟道和P沟道之分。因此，结型场效应管基本放大器也分为N沟道结型场效应管基本放大器和P沟道结型场效应管基本放大器两种，它们的工作原理基本相似,下面以N沟道结型场效应管组成的基...www.kiaic.com/article/detail/2433.html 2020-11-05
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MOS干货科普|硅栅MOS结构详细解析-KIA MOS管
硅栅MOS结构详细解析-硅栅MOS结构：在MOS-IC的早期产品中,广泛使用金属AI作为栅极。例如上世纪60年代中期第一只MOS-IC即为p沟增强型A1栅器件。但随着MOS-IC规模的增大、线条的变细性能要求的提高,Al栅MOS技术逐渐被硅栅MOS所代替。www.kiaic.com/article/detail/2432.html 2020-11-05
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MOS管知识-MOS管电容特性解析-KIA MOS管
MOS管电容特性-动态特性:从图九可以看出功率管的寄生电容分布情况，电容的大小由功率管的结构,材料和所加的电压决定。这些电容和温度无关，所以功率管的开关速度对温度不敏感(除阈值电压受温度影响产生的次生效应外)www.kiaic.com/article/detail/2431.html 2020-11-05
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单场效应管功率放大器分析图解-KIA MOS管
场效应管功率放大器:微弱的信号经过小信号放大器(或称前置放大器)逐级放大后，去控制某些执行机构，如喇叭、继电器等。而这些执行机构都需要一定的功率去推动，所以放大器的末级不仅要有大的电压输出，同时还要有大的电流输出(即大的功率输出)，这样的放大器叫...www.kiaic.com/article/detail/2428.html 2020-11-04
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解析双场效应管推挽功率放大器知识-图文分享-KIA MOS管
双场效应管推挽功率放大器:由于单场效应管功率放大器存在效率低、输出功率小等缺点，所以我们必须在提高功放的效率和增大输出功率方面下功夫。双场效应管推挽功率放大器就是为此而设计的。图3-7所示就是双场效应管乙类推挽功率放大器。它的结构和元件都是对称的...www.kiaic.com/article/detail/2429.html 2020-11-04
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必看好文|高速MOS驱动应用指南详解-KIA MOS管
高速MOS驱动应用：双极晶体管和场效应晶体管有着相同的工作原理。从根本上说,，两种类型晶体管均是电荷控制元件，即它们的输出电流和控制极半导体内的电荷量成比例。当这些器件被用作开关时，两者必须和低阻抗源极的拉电流和灌电流分开，用以为控制极电荷提供快...www.kiaic.com/article/detail/2430.html 2020-11-04
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12v升220v升压电路图大全详解-升压电路的制作与电路图-KIA MOS管
12v升220v升压电路图大全详解，升压电路，是利用自举升压二极管，自举升压电容等电子元件，使电容放电电压和电源电压叠加，从而使电压升高，有的电路升高的电压能达到数倍电源电压。www.kiaic.com/article/detail/1822.html 2020-11-03
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KIA6410替代ST的TIP122型号 中文资料-货源稳定 原厂直销-KIA MOS管
KIA6410产品描述，N沟道增强型功率场效应晶体管是利用沟槽DMOS技术。这种先进的技术特别是为了减少对国家的阻力，提供优越的开关性能，在雪崩中承受高能量脉冲。换流方式。这些器件非常适合于高效率的快速开关应用。TIP122主要参数：1、电流：8A 2、电压：100...www.kiaic.com/article/detail/1271.html 2020-11-03
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MOS管为什么炸裂？原因就在这里-KIA MOS管
MOS管炸裂原因:我们知道开关电源中MOSFET、 IGBT是最核心也是最容易烧坏的器件。MOS管炸裂原因：开关器件长期工作于高电压大电流状态，承受着很大的功耗，一但过压或过流就会导致功耗大增，晶圆结温急剧上升，如果散热不及时，就会导致器件损坏，甚至可能会伴随...www.kiaic.com/article/detail/2426.html 2020-11-03