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结果: 找到相关主题 5137 个
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模拟开关电路分享,经典模拟电路图-KIA MOS管
当u2是正半周期时，二极管Vd1和Vd2导通；而夺极管Vd3和Vd4截止，负载RL是的电流是自上而下流过负载，负载上得到了与u 2正半周期相同的电压；在u 2的负半周，u 2的实际极性是下正上负，二极管Vd3和Vd4导通而Vd1和Vd2截止，负载RL上的电流仍是自上而下流过负载，...www.kiaic.com/article/detail/5493.html 2025-02-14
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80a80vmos管,3308参数引脚图,KND3308A场效应管-KIA MOS管
KND3308A场效应管漏源击穿电压80V，漏极电流80A，极低的导通电阻RDS(开启) 6.2mΩ，最大限度地减少导电损耗；具有高雪崩电流，能够在额定工作条件下稳定运行，确保电路的安全可靠性；采用无铅和绿色设计，符合环保要求，广泛应用在电动车控制器、逆变器、BMS保...www.kiaic.com/article/detail/5492.html 2025-02-13
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开关变压器损耗,开关变压器损耗计算-KIA MOS管
铜损主要是由于变压器线圈的电阻引起的，包括直流电阻损耗和集肤效应电阻损耗。直流电阻损耗由绕组导线的电阻与流过的电流有效值的平方决定，而集肤效应是由于在强交流电磁场作用下，导线中心的电流被“面向”表面流动，导致电阻增加。www.kiaic.com/article/detail/5491.html 2025-02-13
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电阻和电容并联阻抗怎么计算?计算公式详解-KIA MOS管
电阻和电容并联阻抗计算Z = 1/√[(1/R)² + (1/XL - 1/XC)²]其中：R 为电阻值XL 为电感的感抗，其公式为 XL = 2πfL，其中 f 为交流电频率，L 为电感值XC 为电容的容抗，其公式为 XC = 1/(2πfC)，其中 C 为电容值www.kiaic.com/article/detail/5490.html 2025-02-13
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2300mos,2300场效应管20v6a,sot-23,KIA2300参数-KIA MOS管
KIA2300场效应管漏源击穿电压20V, 漏极电流最大值为6A ，极低RDS（on）的高密度单元设计、、优越的开关性能、可最大限度地减少导通损耗，无铅产品、坚固可靠；应用于LED感应灯、玩具、蓝牙音箱，高效率低损耗；封装形式：SOT-23。www.kiaic.com/article/detail/5489.html 2025-02-12
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电容储能公式，电容储能原理详解-KIA MOS管
通过在电极上储存电荷来储存电能。当电容器两端施加电压时，正极板吸引电子使其带上负电荷，而负极板则因失去电子而带上正电荷。这样，两个极板之间形成了电场，电荷被储存在电场中。www.kiaic.com/article/detail/5488.html 2025-02-12
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n沟道mos管原理，nmos工作条件详解-KIA MOS管
当漏源电压（VDS）连接在漏极和源极之间时，正电压施加到漏极，负电压施加到源极。在这里，漏极的Pn结是反向偏置的，而源极的Pn结是正向偏置的。在这个阶段，漏极和源极之间不会有任何电流流动。www.kiaic.com/article/detail/5487.html 2025-02-12
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开关电源mos,8a700v场效应管,KIA08TB70DP参数-KIA MOS管
快恢复/高效率二极管KIA08TB70DP是一款开关特性好、反向恢复时间短的快恢复二极管，具有超快的25纳秒恢复时间、175°C工作接点温度、低正向电压、低泄漏电流、高温玻璃钝化结、反向电压至700V；稳定可靠，减少损耗提高效率；环氧树脂符合UL 94V-0@0.125英寸...www.kiaic.com/article/detail/5486.html 2025-02-11
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场效应管n沟道和p沟道的区别详解-KIA MOS管
N沟道MOS管和P沟道MOS管的工作原理都是通过栅极电压来控制沟道的导电性，但是，它们在实现这一控制时，两者的具体结构差异导致了不同的导电行为。比如N沟道MOS管在栅极电压为正时导通（因为正电压吸引电子到沟道），而P沟道MOS管则是在栅极电压为负时导通（因为...www.kiaic.com/article/detail/5485.html 2025-02-11
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高速光耦与普通光耦的区别,对比-KIA MOS管
高速光耦和普通光耦都是利用光电转换的原理将输入和输出之间的电气信号进行隔离。它们都由发光二极管（LED）和光敏电阻（Photodiode）组成，通过发光二极管发出的光信号来驱动光敏电阻，实现光信号到电信号的转换。www.kiaic.com/article/detail/5484.html 2025-02-11
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保护板mos,to-252 150a30v,KND2803S场效应管参数-KIA MOS管
锂电池保护板专用MOS管KND2803S漏源击穿电压30V，漏极电流150A，极低的导通电阻RDS(开启)2.1mΩ，最大限度地减少导电损耗，高效低耗；具有低Crss、快速切换、100%雪崩测试、改进的dv/dt能力等特性，开关速度快、内阻低、耐冲击特性好，坚固可靠；适用于PWM应用...www.kiaic.com/article/detail/5483.html 2025-02-10
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场效应管的静电击穿,mos管静电击穿原因-KIA MOS管
MOS管的输入电阻很高，而栅源极间电容又非常小，所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电，而少量电荷就可在极间电容上形成相当高的电压（U=Q/C），将管子损坏。www.kiaic.com/article/detail/5482.html 2025-02-10
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电工电路图,接线图,电工必备经典电路-KIA MOS管
合上电源开关Q，按下正向起动按钮SB2,接触器KM1的线圈通电并吸合，其主触点闭合，常开辅助触点闭合自锁，电动机M正向旋转。同时KM1的常闭辅助触点断开，避免接触器KM2通电。这时电动机所接电源的相序为A-B-C。www.kiaic.com/article/detail/5481.html 2025-02-10
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7a100v mos,SOT-89,5610场效应管,KNS5610A参数资料-KIA MOS管
KNS5610A场效应管漏极电流7A，漏源击穿电压100V，采用高单元密度的先进沟槽技术，具有优异的导通特性，RDS（ON）=98mΩ，低栅极电荷，减小开关损耗；出色的Cdv/dt效应设计，稳定可靠，符合RoHS和绿色产品要求；适用于通信设备、变换器、DC-DC、负载开关等，封装...www.kiaic.com/article/detail/5456.html 2025-02-08