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MOS管失效的6大原因 全面深度的分析及失效应对措施-KIA MOS管
对MOS失效的原因分析，对1，2重点进行分析1：雪崩失效(电压失效)，也就是我们常说的漏源间的BVdss电压超过MOSFET的额定电压，并且超过达到了一定的能力从而导致MOSFET失效。2：SOA失效(电流失效)，既超出MOSFET安全工作区引起失效，分为Id超出器件规格失效以及...www.kiaic.com/article/detail/1296.html 2018-11-27
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MOS管二级效应-背栅效应、沟道长度调制效应、亚阈值效应详解-KIA MOS管
MOS管的二级效应主要有三种：背栅效应、沟道长度调制效应、亚阈值效应。在很多情况下，源极和衬底的电位并不相同。对NMOS管而言，衬底通常接电路的最低电位，有VBS≤0；对PMOS管而言，衬底通常接电路的最高电位，有VBS≥0。这时，MOS管的阈值电压将随其源极和衬...www.kiaic.com/article/detail/1295.html 2018-11-27
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KND8103A可替代L7805CV1 MOS管中文资料-原厂直销 免费送样-KIA MOS管
KND8103A可替代L7805CV1，本文将会有KNX8103A和L7805CV1两个型号的产品附件，KIA半导体10几年一直走品质追求，也一直力争将质量做好最精致完美。KAI半导体雪崩冲击低，且低内阻等优势。www.kiaic.com/article/detail/1293.html 2018-11-26
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场效应管发热严重的原因分析-场效应管结构特点及工作原理-KIA MOS管
场效应管发热严重的原因：1、电路设计的问题，就是让MOS管工作在线性的工作状态，而不是在开关状态。这也是导致MOS管发热的一个原因。如果N-MOS做开关，G级电压要比电源高几V，才能完全导通，P-MOS则相反。没有完全打开而压降过大造成功率消耗，等效直流阻抗比...www.kiaic.com/article/detail/1292.html 2018-11-26
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三端稳压管好坏判断-三端稳压管引脚识别及性能检测详解-KIA MOS管
三端稳压器的引脚识别与好坏判断方法(1)引脚识别三端稳压器的封装有金属封装和塑料封装两种，外形如同一只大功率晶体管，引脚的排列如图9-30所示。不同系列的稳压器，其各脚的作用不同。其中最常用的W78××系列稳压器，为输入端(I)，为输出端(O)，为公...www.kiaic.com/article/detail/1291.html 2018-11-26
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碳化硅肖特基二极管参数选型表-肖特基二极管原理及特点优势-KIA MOS管
碳化硅肖特基二极管早已有之。它是一种金属与半导体硅接触的二极管，由于它的这种特殊结构，使其具有如下不同寻常的特性：碳化硅肖特基二极管比PN结器件的行为特性更像一个理想的开关。肖特基二极管最重要的两个性能指标就是它的低反向恢复电荷(Qrr)和它的恢复...www.kiaic.com/article/detail/1290.html 2018-11-23
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互联网金融专业就业前景分析-从市场、行业趋势、PEST等详解-KIA MOS管
互联网金融专业就业前景到底怎么样呢？我们先来了解一下什么是互联网金融专业，互联网金融（ITFIN）是指传统金融机构与互联网企业利用互联网技术和信息通信技术实现资金融通、支付、投资和信息中介服务的新型金融业务模式。“互联网金融”创新理论基础与传统金...www.kiaic.com/article/detail/1289.html 2018-11-23
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ccd传感器和cmos区别-ccd与cmos传感技术原理、作用及其区别对比详解-KIA MOS管
ccd传感器和cmos区别，电荷耦合器件图像传感器CCD（Charge Coupled Device），它使用一种高感光度的半导体材料制成，能把光线转变成电荷，通过模数转换器芯片转换成数字信号，数字信号经过压缩以后由相机内部的闪速存储器或内置硬盘卡保存，因而可以轻而易举地...www.kiaic.com/article/detail/1288.html 2018-11-22
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锂电池保护板常用型号对照表大全-原厂直销 性价比高 免费送样-KIA MOS管
锂电池保护板型号对照表大全，深圳市可易亚半导体科技有限公司（简称KIA半导体）是一家专业从事中大功率场效应管(MOSFET)、快速恢复二极管、三端稳压管开发设计，集研发、生产和销售为一体的国家高新技术企业。www.kiaic.com/article/detail/1287.html 2018-11-22
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MOS管KNX8103A替代LM2937-33中文资料-原厂直销 免费送样-KIA MOS管
MOS管KNX8103A替代LM2937-33，下文将会有KNX8103A和LM2937-33两个型号的产品附件，KIA半导体10几年一直走品质追求，也一直力争将质量做好最精致完美。KAI半导体雪崩冲击低，且低内阻等优势。www.kiaic.com/article/detail/1286.html 2018-11-22
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MOS晶体管低功耗电路详解-MOS晶体管开通过程及影响因素-KIA MOS管
mos晶体管，金属-氧化物-半导体(Metal-Oxide-Semiconductor)结构的晶体管简称MOS晶体管，有MOS管构成的集成电路称为MOS集成电路。MOS晶体管功耗电路，应对器设计的本钱依赖于几个要素，而不只仅是硅的本钱。事实上，芯片制造工艺的本钱(就其复杂性和成熟水平与...www.kiaic.com/article/detail/1285.html 2018-11-22
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多个mos管并联驱动应用分析-MOS管并联与串联如何判断-KIA MOS管
多个mos管并联驱动应用分析，1.MOS管并联的可行性分析，由下面的某颗MOS管的温度曲线可以看出MOS管的内阻的温度特性是随温度的升高内阻也增大，如果在并联过程中由于某种原因（比如RDSON比较低，电流路径比较短等）导致某颗MOS管的电流比较大，这颗MOS管会发热...www.kiaic.com/article/detail/1284.html 2018-11-22
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体育产业具体都有哪些领域-体育产业发展现状及前景分析-KIA MOS管
体育产业都有哪些领域呢？美国堪称世界上体育产业最发达国家，将体育产业划分为19个领域：1.消遣性和参与性体育：消遣性体育指狩猎钓鱼等体育娱乐活动；参与性体育指各种体育俱乐部（包括健身和健美俱乐部、减肥锻炼中心）；2.体育用品业：美国拥有世界上最大的...www.kiaic.com/article/detail/1283.html 2018-11-21
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MOS管并联方法及工作原理详解与mos管并联均流技术分析-KIA MOS管
mos管并联方法，并联是元件之间的一种连接方式，其特点是将2个同类或不同类的元件、器件等首首相接，同时尾尾亦相连的一种连接方式。通常是用来指电路中电子元件的连接方式，即并联电路。MOS管并联方法均流技术，双极型晶体管把输入端电流的微小变化放大后，在...www.kiaic.com/article/detail/1282.html 2018-11-21