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开关电源适配器电路图,电源适配器原理图-KIA MOS管
在开关管VT饱和导通期间，C1正极的直流电压Ui经过L→VT→C2正极→C2负极充电。一方面使C2两端建立直流电压，另一方面使储能电感L中的磁能不断增大。当开关管VT截止期间，L感应出左负、右正的电压，则L中的磁能经续流二极管VD向C2及负载释放。www.kiaic.com/article/detail/5301.html 2024-11-07
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mos管不能完全关断原因,mos管关不断解决-KIA MOS管
mos管不能完全关断可能由多种原因造成，如驱动电压不足、栅极电阻过大、温度过高等。?漏电流?：MOSFET存在漏电流，即使是在关断状态下，仍然会有微小的电流流过，导致无法完全关断。?负载影响?：后端负载的静态功耗很低时，MOSFET的漏电流会在负载上产生电...www.kiaic.com/article/detail/5300.html 2024-11-07
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转换器控制器mos管,500v场效应管,KCX3650A参数引脚图-KIA MOS管
KCX3650A场效应管漏源电压500V，漏极电流60A，导通电阻RDS（ON）50mΩ，采用先进的端接方案来提供增强的电压阻断能力，而不会随着时间的推移降低性能；坚固的高压端接、指定雪崩能量，稳定可靠，以及高温下规定的IDSS和VDS（ON）、隔离安装孔减少了安装硬件，还...www.kiaic.com/article/detail/5299.html 2024-11-06
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sop8和soic8封装,sop8和soic8的区别-KIA MOS管
SOP-8（Small Outline Package）和SOIC-8（Small Outline Integrated Circuit）都是常见的集成电路封装类型，它们都具有8个引脚，适用于表面贴装技术。在尺寸和引脚间距上，它们通常非常相似，常见的引脚间距都是1.27mm。www.kiaic.com/article/detail/5298.html 2024-11-06
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mos管的传输特性,传输特性曲线介绍-KIA MOS管
开启电压（VT）?：使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压。标准的N沟道MOS管的开启电压约为3～6V，通过工艺改进可以使VT值降到2～3V。www.kiaic.com/article/detail/5297.html 2024-11-06
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60r070,60R070场效应管,KIA60R070HS参数中文资料-KIA MOS管
KIA60R070HS场效应管采用先进技术特别定制，可最大限度地减少导电损失，提供卓越的开关性能，并能够承受雪崩和换向模式的高能脉冲，非常适合AC/DC功率转换开关模式操作或更高效率。60R070漏源电压600V，漏极电流47A，导通电阻RDS（ON）60mΩ，低栅极电荷（典型...www.kiaic.com/article/detail/5296.html 2024-11-05
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线性电路的叠加定理详细分析-KIA MOS管
线性电阻是一条过原点的直线，如下图中绿色线所示，该直线上各点的斜率（电阻）相等；非线性电阻则不然，如图所示红色线，是一条半导体二极管元件的伏安特性曲线，该直线上各点的斜率（电阻）不相等，也就是说其电阻值随外加电压、电流值改变而改变（非线性电阻...www.kiaic.com/article/detail/5295.html 2024-11-05
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移相全桥拓扑原理图,移相全桥电路-KIA MOS管
移相全桥拓扑是一种用移相控制方式的DC-DC变换器拓扑结构。它利用功率器件的结电容和谐振电感的谐振，实现恒频软开关操作，从而有效降低开关损耗，提高转换效率，减小装置体积。www.kiaic.com/article/detail/5294.html 2024-11-05
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65R300场效应管,650V15A,KIA65R300FS参数资料-KIA MOS管
KIA65R300FS场效应管漏源电压650V，漏极电流15A，导通电阻RDS（ON）0.27Ω，低栅极电荷（典型值43nC），高坚固性、快速切换确保电路高效稳定，100%雪崩测试、改进的dv/dt功能增强了可靠性及安全性；65R300采用了先进的超级结技术，最大限度地减少传导损耗，提高...www.kiaic.com/article/detail/5293.html 2024-11-04
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储能电源场效应管,650vmos管,KIA65R190FS参数规格书-KIA MOS管
KIA65R190FS场效应管漏源电压650V，漏极电流20A，导通电阻RDS（ON）0.16Ω，低栅极电荷（典型值70nC），具有高坚固性、快速切换、100%雪崩测试、改进的dv/dt功能增强了稳定性及安全性；65R190mos管专为高压、高速功率开关电源应用设计，采用了先进的超级结技术...www.kiaic.com/article/detail/5290.html 2024-11-04
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p沟道和n沟道的区别,p沟道n沟道区分-KIA MOS管
N沟道场效应管 ：导电通道是由n型半导体构成的，主要由电子作为载流子进行导电。在N沟道场效应管中，当栅极施加正向偏压时（相对于源极为正），栅极下方的P型衬底中的空穴被排斥，形成耗尽层，而N型区中的电子则被吸引到耗尽层边缘，形成导电沟道，允许电流从源...www.kiaic.com/article/detail/5292.html 2024-11-04
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运放振铃现象产生的原因及消除方法-KIA MOS管
运放振铃产的原因就是由于反向输入端的寄生电容与反馈电阻构成了一个低通滤波器，低通滤波器会导致相位滞后。运算放大器同相端与反相端的电压差值放大无穷大倍，然而放大倍数又不可能无穷大，这就得益于输出端的反馈回路。www.kiaic.com/article/detail/5291.html 2024-11-04
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nmos工作原理示意图,nmos原理图-KIA MOS管
当NMOS晶体管接收到不可忽略的电压时，它会形成闭合电路，这意味着从源极端子到漏极的连接就像电线一样。因此电流从栅极流向源极。类似地，当该晶体管接收到约0V的电压时，它会形成开路，这意味着源极端子到漏极的连接将断开，因此电流从栅极端子流到漏极。www.kiaic.com/article/detail/5289.html 2024-11-01
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pwm电机调速原理,pwm电机调速电路-KIA MOS管
PWM调速通过快速地打开和关闭电源电压，调整 ON/OFF 脉冲的长度，将电压设置在0V和最大电压之间的任意位置，从而实现电机速度的调节。www.kiaic.com/article/detail/5288.html 2024-11-01