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75V 150A场效应管,KIA2807N参数引脚图,原厂现货-KIA MOS管
KIA2807N场效应管采用超低导通电阻的高密度电池设计，漏源击穿电压75V，漏极电流为150A，RDS(on)=5.0mΩ @VGS= 10V；超低导通电阻、100%雪崩测试、可提供无铅和绿色设备（符合RoHS标准），具有优越的开关性能，在DC-DC转换器和离线UPS、开关电源中的高效同步整...www.kiaic.com/article/detail/5109.html 2024-07-26
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共模噪声和差模噪声区别、关系图文详解-KIA MOS管
共模电感有两组线圈或多组线圈，有方向要求；而差模电感只有一组线圈，没有方向要求；把共模电感做差模用有方向要求；穿磁珠的单线电感是差模作用。www.kiaic.com/article/detail/5108.html 2024-07-26
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钽电容正负极怎么分,钽电容正负极标识图-KIA MOS管
钽电容的正负极区分主要依赖于观察其表面的标识和PCB板上的标识。钽电容的正负极通常会有明确的标识，例如符号“+”或“-”。正负极标识会出现在电容的外壳或者端头上。www.kiaic.com/article/detail/5107.html 2024-07-26
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70n08场效应管,MOS管代换,KIA3407A参数引脚图-KIA MOS管
KIA3407A场效应管采用先进的沟槽工艺技术，漏源击穿电压70V，漏极电流80A，RDS(ON)最大10.8mΩ（在VGS=10V时）；通过超低导通电阻的高密度电池设计，确保运行高效稳定；?具有可靠、坚固耐用的特性，在控制器、逆变器、锂电池保护板中表现出色?。封装形式：TO...www.kiaic.com/article/detail/5106.html 2024-07-25
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三点式振荡电路,电容三点式振荡电路,原理图-KIA MOS管
由图可见：与发射极相连的两个电抗元件为同性质的容抗元件C1和C2，与基极和集电极相接的为异性质的电抗元件L，则电路满足相位条件，为电容三点式振荡电路。电容三点式振荡电路的优点是：振荡波信号，输出波形接近正弦波；电路的频率稳定度较高，工作频率范围较...www.kiaic.com/article/detail/5105.html 2024-07-25
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有源器件和无源器件的定义和区别详解-KIA MOS管
有源器件一般用来信号放大、变换等，无源器件用来进行信号传输，或者通过方向性进行“信号放大”。简单地讲就是需要能(电)源的器件叫有源器件，无需能(电)源的器件就是无源器件。www.kiaic.com/article/detail/5104.html 2024-07-25
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150A 60V场效应管现货,KNB2806A参数引脚图,规格书-KIA MOS管
KNB2806A场效应管漏源击穿电压60V，漏极电流150A，低RDS（ON）=3.5 mΩ（典型值）@VGS=10V，减小损耗，提高效率；具有100%雪崩测试、提供无铅和绿色设备（符合RoHS标准）等特性，稳定可靠、性能优越；在开关切换应用程序、逆变器系统的电源管理、不间断电源中广...www.kiaic.com/article/detail/5103.html 2024-07-24
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varactor电容,变容二极管正负极判断,原理作用-KIA MOS管
Varactor电容，也称为?变容二极管，其电容值可以根据外加电压的变化而改变。变容二极管又称“可变电抗二极管”，是利用pN结反偏时结电容大小随外加电压而变化的特性制成的。反偏电压增大时结电容减小、反之结电容增大，变容二极管的电容量一般较小，其最大值为...www.kiaic.com/article/detail/5102.html 2024-07-24
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压敏电阻选型详解,压敏电阻选型参数,计算-KIA MOS管
压敏电阻虽然能吸收很大的浪涌电能量，但不能承受毫安级以上的持续电流，在用作过压保护时必须考虑到这一点。压敏电阻的选用，一般选择标称压敏电压V1mA和通流容量两个参数。www.kiaic.com/article/detail/5101.html 2024-07-24
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150n06场效应管参数,KIA2806A参数代换,150A 60V现货-KIA MOS管
KIA2806A场效应管替代150N06B场效应管应用在逆变器、锂电池保护板、电源管理中，KIA2806A漏源击穿电压60V，漏极电流150A，低RDS（ON）=3.5 mΩ（典型值）@VGS=10V，减小损耗，提高效率；100%雪崩测试、提供无铅和绿色设备（符合RoHS标准），稳定可靠；封装形式...www.kiaic.com/article/detail/5100.html 2024-07-23
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同步整流,逆变器MOS管,KCX3406A场效应管参数,原厂现货-KIA MOS管
KCX3406A是N沟道增强型SGT MOSFET，采用KIA的LVMOS技术生产。漏源击穿电压60V，漏极电流为80A，RDS（开启）（典型值）=8.5mΩ@VGS=10V，低栅电荷、低反馈电容、开关速度快、改进的dvdt功能，稳定可靠；改进的工艺和电池结构经过特别定制，以最大限度地降低导通...www.kiaic.com/article/detail/5099.html 2024-07-23
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电阻单位换算表，电阻单位换算关系-KIA MOS管
电阻从大到小的单位排列：MΩ（兆欧）、kΩ（千欧）、Ω（欧）、mΩ（毫欧）、μΩ（微欧）。电阻换算关系：1TΩ＝1000GΩ；1GΩ＝1000MΩ；1MΩ＝1000KΩ；1KΩ＝1000Ω（也就是一千进率）。www.kiaic.com/article/detail/5098.html 2024-07-23
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hy1603,MOS管代换,KNX3406A场效应管参数引脚图-KIA MOS管
KNX3406A场效应管漏源击穿电压60V，漏极电流为80A，低电阻，在VGS=10V时，RDS（ON）=6.5m?（典型值），最大限度地减少导电损耗，提供卓越的开关性能；高雪崩、电流无铅和绿色设备可用，稳定可靠；在电源、DC-DC转换器中广泛应用，封装形式：DFN5*6、TO-252。www.kiaic.com/article/detail/5097.html 2024-07-22
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lm324运算放大器,电路原理图分享-KIA MOS管
对于同相比例放大电路来说，输入负电压部分没有输出，因此我们要让输入负电压时输入到运放中仍然为正，为此我们需要在同相输入端叠加一个直流分量，这样就可以与来自负电压抵消，为了使正负电压对称，通常叠加分量取电源电压的一般，这样我们现在就可以设计此电...www.kiaic.com/article/detail/5096.html 2024-07-22