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电动机正反转电路图【好文收藏】-KIA MOS管
图中SB2和SB3均为复合按钮，合上电源开关Q，按下起动按钮SB2,其常闭触点SB2断开，使接触器KM2不得电；常开触点SB2接通，使接触器KM1得电吸合并自锁，其主触点闭合，接通电源，电动机正向起动运转。www.kiaic.com/article/detail/4546.html 2023-10-20
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音频放大电路合集,音频放大电路设计-KIA MOS管
原理：图中用函数发生器模拟咪头产生mv级别的信号，C1起滤波作用，滤除直流噪音。R1与R4为咪头提供偏置电压。R3与R2决定放大倍数，Av=1+R3/R2,R3为电位器，实现放大倍数可调。www.kiaic.com/article/detail/4545.html 2023-10-20
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潜水泵控制板,50N03场效应管 TO-252 50A 30V-KIA MOS管
KIA50N03CD是一款漏源击穿电压30V, 漏极电流最大值为50A ,RDS(on) =6.5mΩ(typ)@VGS=10V，性能优质的场效应管，非常适合应用在潜水泵控制板上，KIA50N03CD可最大限度地减少导通损耗，提供卓越的开关性能。www.kiaic.com/article/detail/4544.html 2023-10-19
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自锁开关电路，自锁开关电路图分析-KIA MOS管
电路使用一个轻触开关来激活一个负载。图中的负载是用D1，R2来代替，实际使用中视电源的大小，负载可以是一个灯泡或者一个直流继电器。www.kiaic.com/article/detail/4543.html 2023-10-19
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过温保护详解,过温保护电路,原理和设计实例-KIA MOS管
过温保护电路通常由温度传感器、比较器、触发器和开关管等部分组成。温度传感器通常是一种热敏电阻器，其电阻值随着温度的变化而变化。比较器则用来比较传感器输出的电压信号和一个预设的阈值电压信号，当传感器输出的电压信号超过阈值电压信号时，比较器输出一...www.kiaic.com/article/detail/4542.html 2023-10-19
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wlp，wlp封装，wlp技术-KIA MOS管
晶圆级封装（WLP）就是在封装过程中大部分工艺过程都是对晶圆（大圆片）进行操作。传统的封装技术通常在芯片切割后进行，而WLP则在芯片仍然在晶圆上时进行封装，之后再进行切割。www.kiaic.com/article/detail/4541.html 2023-10-18
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cmos工艺详解，cmos工艺流程图文-KIA MOS管
CMOS电路中既包含NMOS晶体管也包含PMOS晶体管，NMOS晶体管是做在P型硅衬底上的，而PMOS晶体管是做在N型硅衬底上的，要将两种晶体管都做在同一个硅衬底上，就需要在硅衬底上制作一块反型区域，该区域被称为“阱”。根据阱的不同，CMOS工艺分为P阱CMOS工艺、N阱C...www.kiaic.com/article/detail/4540.html 2023-10-18
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场效应管型号参数字母含义,mos管参数字母-KIA MOS管
场效应管mos管参数字母含义?Cds漏-源电容Cdu-漏-衬底电容Cgd-栅-源电容Cgs-漏-源电容www.kiaic.com/article/detail/4539.html 2023-10-18
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knp6140,knp6140a参数,knp6140a代换,led照明-KIA MOS管
6140S N沟道增强型硅栅极功率MOSFET专为高压、高速功率开关应用而设计，如开关稳压器、开关转换器、螺线管、电机驱动器、继电器驱动器。knp6140漏源击穿电压400V, 漏极电流最大值为11A ,RDS(on) =0.53mΩ(typ)@VGS=10V，封装形式：TO-220，www.kiaic.com/article/detail/4538.html 2023-10-17
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步进电机驱动电路,步进电机驱动原理图-KIA MOS管
下图是双极性步进电机驱动电路图，使用八颗晶体管来驱动两组相位。双极性驱动电路可以同时驱动四线式或六线式步进电机，虽然四线式电机只能使用双极性驱动电路，它却能大幅降低量产型应用的成本。www.kiaic.com/article/detail/4537.html 2023-10-17
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可控硅调压电路,工作原理图文分享-KIA MOS管
可控硅调压电路的结构由可控硅、电容、电阻和电感组成。可控硅调压电路是使用可控硅（可控整流器）来控制电压输出。当电压输入变化时，可控硅会调整输出电压，以保持输出电压恒定。www.kiaic.com/article/detail/4536.html 2023-10-17
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60v 200a,irfp3206场效应管参数,irfp3206引脚-KIA MOS管
irfp3206场效应管漏源击穿电压60V，漏极电流最大为200A；RDS（on）（典型值）=2.4mΩ@Vgs=10V。60v 200a场效应管irfp3206型号适合应用于：开关电源中的高效同步整流、不间断电源、高速电源切换、硬开关和高频电路等。www.kiaic.com/article/detail/4535.html 2023-10-16
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晶体三极管,晶体三极管的三种工作状态-KIA MOS管
三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，由两个PN结组合而成，有两种载流子参与导电，是一种电流控制电流源器件。其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关。晶体三极管主要应用于检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等。www.kiaic.com/article/detail/4534.html 2023-10-16
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反相器详解,反相器电路图及分析-KIA MOS管
通过观察可以发现，与同时使用P沟道和N沟道MOS管制成的CMOS反相器不同，TTL反向器中，只使用了NPN型这一种结构的三极管，这造就了它与CMOS反相器的不同之处。www.kiaic.com/article/detail/4533.html 2023-10-16