返回首页

广东可易亚半导体科技有限公司

结果: 找到相关主题 5030 个

  • 【电路分享】OC门电路图文详解-KIA MOS管

    OC门即集电极开路。也就是三极管的集电极什么都不接。当左端输入低电平时,右端的三极管输出为低电平。然而当左端输入高电平时,由于右端的三极管集电极处于开路状态,所以是无法输出高电平。

    0 次查看

    www.kiaic.com/article/detail/4214.html         2023-04-28

  • CMOS电路三态门概念原理应用详解-KIA MOS管

    三态门输出电路除了有高低电平两个状态之外,还有第三个状态--Hi-Z高阻态;

    0 次查看

    www.kiaic.com/article/detail/4213.html         2023-04-27

  • CMOS电路传输门概念、电路原理、应用-KIA MOS管

    传输门-概念可当作模拟开关,用来传输连续的模拟电压信号;在Verilog门级描述中,类似于:bufif0/bufif1的作用;

    0 次查看

    www.kiaic.com/article/detail/4212.html         2023-04-27

  • CMOS电路OD门概念原理及应用图文-KIA MOS管

    在CMOS电路中为了满足输出电平变换,吸收大负载电流以及实现线与连接等需要,需要将输出级电路结构改为漏极开路输出的MOS管,构成漏极开路输出(Open-Drain Output)门电路,简称OD门。

    0 次查看

    www.kiaic.com/article/detail/4211.html         2023-04-27

  • 电路知识:非门多谐振荡器电路-KIA MOS管

    假设Q为低电平,则非门2的输入端为高电平,经过R对C充电,C的电压上升,直到非门1输入端的电压达到反转电压,此时非门1的输出变为低电平,Q变为高电平。

    0 次查看

    www.kiaic.com/article/detail/4210.html         2023-04-26

  • 【数字电路】锁存器、触发器电路分享-KIA MOS管

    R-S锁存器是静态存储单元中最基本的一种电路结构,通常由两个或非门或者与非门组成,下图为与非门搭建R-S锁存器的电路结构图。

    0 次查看

    www.kiaic.com/article/detail/4209.html         2023-04-26

  • 电源、无刷电机热销MOS管 KNB2408A 190A 80V原厂-KIA MOS管

    KNX2408A,采用先进的沟槽技术,提供优异的RDS(ON),低栅极电荷,适用于多种应用。

    0 次查看

    www.kiaic.com/article/detail/4208.html         2023-04-26

  • MOS管搭建反相器、传输门、与非门图文-KIA MOS管

    下图为反相器的结构示意图,由一个PMOS和一个NMOS拼接而成当v=1时,T1截止,T2导通,vo=0;当v=0时,T1导通,T2截止,vo=1;

    0 次查看

    www.kiaic.com/article/detail/4207.html         2023-04-25

  • 【电路设计】降噪电路-降噪方案分享-KIA MOS管

    电压波纹和开关噪声通常是由电源线发出的。这种噪声会影响晶体振荡器的输出。此外,有必要确保晶体振荡器产生的波纹噪声不会流到电源线上。实施这些措施还可以改善隔离,防止其他设备产生的外部噪声流入晶体振荡器,从而保证晶体振荡器的稳定性。

    0 次查看

    www.kiaic.com/article/detail/4206.html         2023-04-25

  • 运放噪声如何简单、快速计算?详解-KIA MOS管

    在运放构成的反向放大电路中,噪声主要来源于以下三方面:(1)运放的输入噪声电压(datasheet有数据曲线)(2)运放的输入电流噪声(datasheet有数据曲线),需要流过电阻后转换成电压噪声。(3)设置放大倍数的电阻R1和Rf的热噪声,可通过下面公式计算

    0 次查看

    www.kiaic.com/article/detail/4205.html         2023-04-25

  • KNB2808A 150A 80V TO-263无刷电机逆变器优质MOS管-KIA MOS管

    KNB2808A 150A 80V TO-263-特征RDS(开启)=4.0mΩ(典型值)@VGS=10V100%雪崩测试可靠且坚固提供无铅和绿色设备(符合RoHS标准)

    1 次查看

    www.kiaic.com/article/detail/4204.html         2023-04-24

  • 运算放大器的内部噪声及计算公式-KIA MOS管

    散粒噪声由导体中电荷载流子运动的随机波动引起的,当电子遇到障碍时,势能积累,直到电子越过障碍。例如当每个电子随机穿过势垒(例如半导体中的pn结)时,能量在电子遇到时被存储和释放,然后穿过势垒射出。

    0 次查看

    www.kiaic.com/article/detail/4203.html         2023-04-24

  • 运放电路设计降低电源噪声的措施-KIA MOS管

    噪声通常包括器件的固有噪声和外部噪声,固有噪声包括:热噪声、散弹噪声和低频噪声(1/f噪声)等;外部的噪声通常指电源噪声、空间耦合干扰等,通常通过合理的设计可以避免或减小影响。

    0 次查看

    www.kiaic.com/article/detail/4201.html         2023-04-23

  • 【图文分享】运放噪声如何计算?-KIA MOS管

    上图是运放的噪声频谱密度,图中的2.6nV/sqrt(Hz),2.7pA/sqrt(Hz)是电源、电流带宽噪声。

    0 次查看

    www.kiaic.com/article/detail/4200.html         2023-04-23

Powered by DY Net+! |SiteMap |Copyright © 广东可易亚半导体科技有限公司 粤ICP备14090673号