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60V转220V逆变器电路设计【详细方案】-KIA MOS管
变压器可选用一个 100W 机床控制变压器，将变压器铁芯拆开，再将次级线圈拆下来，并记录匝数，以便于计算每伏圈数。然后用φ1.35mm 的漆包线重新绕次级线圈，先绕一个 22V 的主线圈，在中间抽头，再用φ0.47 的漆包线绕两个 4V 的反馈线圈，线圈的层间用较厚的...www.kiaic.com/article/detail/3704.html 2022-08-08
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【图文精选】倍压整流电路工作原理详解-KIA MOS管
需要注意的是，倍压整流电路输入的是交流电，输出的是直流电，一般是使用升压变压器将电压升高，升压后再输入到倍压整流电路。为方便分析，把变压器输出的电压分成正半周和负半周进行分析，这里把变压器输出电压的峰值电压记为Um，不考虑二极管导通压降的情况下...www.kiaic.com/article/detail/3703.html 2022-08-08
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5N60场效应管参数代换 5N60引脚图 5N60E参数4.5A600V-KIA MOS管
这些N沟道增强模式的功率场效应晶体管是用KIA半导体制造的专有、平面、DMOS技术。这项先进的技术经过了特别的调整，以使其最小化通态电阻，提供优越的开关性能，并承受高能量脉冲在雪崩和换向模式。这些器件非常适合于高效率的开关模式电源供应和电子灯镇流器的...www.kiaic.com/article/detail/3702.html 2022-08-05
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运放输入偏置电流测量|输入偏置电流Ib、失调电流Ios-KIA MOS管
输入偏置电流测量方式，总体来说主要有两种测试方法，一种是让输入偏置电流流入一个大的电阻，从而形成一个失调电压，然后放大失调电压并进行测量，这样就可以反算出输入偏置；另一种方法是让输入偏置电流流入一个电容，用电容对这个电流进行积分，这样只要测得...www.kiaic.com/article/detail/3701.html 2022-08-05
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运放的失调电流与失调电压|输入失调电压电流计算-KIA MOS管
如果运放两个输入端上的电压均为 0V，则输出端电压也应该等于 0V。但事实上，输出端总有一些电压，该电压称为失调电压 VOS。如果将输出端的失调电压除以电路的噪声增益，得到结果称为输入失调电压或输入参考失调电压。www.kiaic.com/article/detail/3700.html 2022-08-05
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如何避免BUCK电路中的反向恢复电流尖峰-KIA MOS管
实际上MOSFET断开产生续流通路，PN结电荷发生变化，如将其看成一个等效电容，则为上负下正的一个部件。最终电感电流释放到谷点，谷点末期(0-至0+时刻)电容替代电感为负载提供能量，此时电感还以电磁能方式保存有能量(因为电感如果再放电，电容的电压显然要高过...www.kiaic.com/article/detail/3699.html 2022-08-04
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MOS管散热设计经验分享图文-KIA MOS管
MOSFET的失效很多都是由于过热导致的，那么在选件选型，电路设计及PCB布局时就要格外注意应用情况和设计余量，确保MOSFET的Tj不会超过其最大值。www.kiaic.com/article/detail/3698.html 2022-08-04
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如何让开关电源启动电路更加安全可靠？-KIA MOS管
如下图1所示，主要是一个由电阻和稳压管组成的简单启动电路，正常工作下该启动电路功耗较大，尤其开关电源在高温环境、输入高压、输出满载的情况下启动电路发热严重极易给系统的稳定带来风险，而且还会降低开关电源的转换效率。www.kiaic.com/article/detail/3697.html 2022-08-04
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详解开关电源间歇振荡的三种原因-KIA MOS管
1、过载型该型故障在四种故障中，较为常见。通常由开关变压器二次侧的整流二极管击穿、滤波电容漏电，或负载电路的IC器件、散热风扇等损坏所致。当解除相应负载支路后，或摘除电源本身故障元件后，电源即由间歇振荡转为正常输出状态。www.kiaic.com/article/detail/3696.html 2022-08-03
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DC-DC电源非连续模式下的振荡原因分析-KIA MOS管
当MOS管导通时（ta~tb），电流回路从VIN-Q1-L1-C1-GND，电感电流逐渐上升，此时UD电压约等于VIN；当MOS管关闭时（tb~tc），电流回路从L0001-C1-D1-L1，电感电流逐渐下降，此时UD电压约等于GND；当电感电流下降到0（tc~td，MOS管仍处于关闭状态），此时UD电压约...www.kiaic.com/article/detail/3695.html 2022-08-03
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MOSFET应用-功率损耗容易误解的三个要点-KIA MOS管
总功率损耗Ptot的定义是：在焊接衬底温度维持在25℃时，器件达到最大结点温度时所用的功率。可以用公式Tj=Tmb+Rth_j-mb*Ptot来表达，节点温度才是最终的MOSFET是否过热损坏的判定参数。www.kiaic.com/article/detail/3694.html 2022-08-03
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可控的开关电源软启动电路设计-KIA MOS管
软启动与浪涌抑制完全不同，尽管这两种功能是互补的。两种动作都能在刚通电期间减小进入开关电源浪涌电流。然而不同的是，浪涌抑制直接对进入输入电容的电流进行限制，而软启动则通过作用于变换器控制电路使负载逐渐增大，这通常是通过增加脉冲宽度来实现的。www.kiaic.com/article/detail/3693.html 2022-08-02
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【收藏】开关电源软启动电路设计图文-KIA MOS管
热敏电阻防冲击电流电路如图2所示。它利用热敏电阻的Rt的负温度系数特性，在电源接通瞬间，热敏电阻的阻值较大，达到限制冲击电流的作用;当热敏电阻流过较大电流时，电阻发热而使其阻值变小，电路处于正常工作状态。www.kiaic.com/article/detail/3692.html 2022-08-02
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【电子精选】限流软启动电路设计-KIA MOS管
如果可以把电流始终限制在I_SET以下，可以去掉限流电阻，让电流保持略小于I_SET，快速充电。如下图，电流曲线的积分为V_CL，左右两图的阴影面积大小相同，可以看出，电容CL得到相同的电压时，限流电路充电时间t2明显小于固定电阻充电时间t1。www.kiaic.com/article/detail/3691.html 2022-08-02