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基于运放 二极管：精密整流电路、理想二极管电路-KIA MOS管
这个电路是反向比例放大电路变化而来的。当输入负电压时，由于运放的输出电压升高，二极管正向导通，运放可以工作在负反馈状态，所以输出是输入的反相；当输入正电压时，由于运放的输出电压降低，二极管截止，运放不能形成负反馈，输入电压可以通过R1、R2直接到...www.kiaic.com/article/detail/3650.html 2022-07-13
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IGBT反并联二极管/IGBT反并联二极管反向恢复-KIA MOS管
当输入直流电压高于负载反向电动势时，它是一个逆变电路，将直流电变成峰值等于（或小于）直流电压的交流电（波形由驱动信号决定，常用驱动信号是SPWM正弦脉宽调制，即正弦波交流电）。www.kiaic.com/article/detail/3649.html 2022-07-13
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MOS管参数测试方法详细图文-KIA MOS管
1、VSSS耐压按下图连接测试电路，设置VGS=0V，VSS1从0V以0.1V步增，逐渐增加电压至IS=1mA,且MOS无损毁，记录VSS1的电压。www.kiaic.com/article/detail/3648.html 2022-07-12
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【电路精选】TTL串口防倒灌电参考电路-KIA MOS管
当串口芯片与主控IC譬如MCU等器件一同使用时，如果串口直连的双方器件有一方不需要供电工作时，要注意一方电流对另一方电流的倒灌导致未供电的芯片继续工作的情况（这种情况也可能会造成芯片工作异常，系统紊乱），或者是在MCU通过串口下载代码的场景中，当MCU...www.kiaic.com/article/detail/3647.html 2022-07-12
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PMOS防止倒灌电路/MOS管防倒灌电路-KIA MOS管
在某些应用中,如电池充电电路中, B点是充电器接口, C点是电池接口，为了防止充电器拔掉时,电池电压出现在充电接口。(Q1、Q2、Q3共同组成防倒灌电路)注意Q3的DS反向接于电路,这样做是防止MOS的体极管对电路产生的影响(如果Q3按常规方式接在电路中, C点接电源则会...www.kiaic.com/article/detail/3646.html 2022-07-12
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MOS管构成二极管/MOS管二极管接法-KIA MOS管
主要保护GS极，限制Vgs间的最大电压。 (其一)保护DS极，其二)起到回流二极管作用，其三)为过电流或电感提供反向通路，其四)防止d、s极反向连接，其五)隔离。www.kiaic.com/article/detail/3645.html 2022-07-11
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NMOS作开关的接法及NMOS接法差异分析-KIA MOS管
1、左边电路负载是接在S极对地，如果R1很小且Q1-G极一直为High，那么流过Q1的电流可能将会非常大，MOS管容易烧；www.kiaic.com/article/detail/3644.html 2022-07-11
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运算放大器单稳态电路分析-KIA MOS管
在初始上电时（即t = 0），输出（V OUT）将向正电源轨（+ Vcc）或向负电源轨（-Vcc）饱和，因为这是允许的唯一两个稳定状态运算放大器。现在让我们假设输出已经朝着正电源轨+ Vcc摆动。然后，同相输入端的电压V B将等于+ Vcc *β，其中β是反馈分数。www.kiaic.com/article/detail/3643.html 2022-07-11
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20A 500V场效应管 TO-220 KNX7150A MOS管原厂原装-KIA MOS管
20A 500V场效应管 KNX7150A-产品特征1、专有新平面技术2、RDS(ON),typ.=0.24Ω@VGS =10V3、低栅极电荷最小化开关损耗4、快恢复体二极管www.kiaic.com/article/detail/3642.html 2022-07-08
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运算放大器多谐振荡器电路分析-KIA MOS管
通过将正弦输入替换为跨运算放大器输出的RC定时电路，我们可以进一步将周期波形转换为矩形输出这一想法。这次，我们可以使用电容器的充电电压Vc来改变运算放大器的输出状态，而不是使用正弦波形来触发运算放大器。www.kiaic.com/article/detail/3641.html 2022-07-08
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多谐振荡器电路制作的LED闪烁灯分享-KIA MOS管
多谐振荡器也叫无稳态触发器，“多谐”的含义就是含有多种频率成分的意思，因为其输出的是脉冲方波，而方波可以分解为多个不同频率的正弦波。www.kiaic.com/article/detail/3640.html 2022-07-08
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NMOS开关电路测试图文分享-KIA MOS管
从输出特性曲线可以看出，只要Vgs大于截止电压4.5V，DS就可以导通了。测试时直接使Vgs=+12V，Vds=+48V，负载电流最大可达到50A。为了方便单片机控制Vgs，可加一个三极管进行电压控制，加一个光耦进行电气隔离，通过单片机IO口电平高低来控制NOMS的通断。www.kiaic.com/article/detail/3639.html 2022-07-07
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大电流H桥电机驱动电路-自举电路-KIA MOS管
自举电路作用：在高端和低端MOS管中提到过，由于负载（电机）相对于高端和低端的位置不同，而MOS的开启条件为Vgs>Vth，这便会导致想要高端MOS导通，则其栅极对地所需的电压较大。www.kiaic.com/article/detail/3638.html 2022-07-07
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驱动芯片和MOS管搭建大电流H桥电机驱动电路-KIA MOS管
用半桥/全桥驱动芯片和MOS管搭建合适的H桥电机驱动电路实现对大电流电机的驱动控制。该电机驱动板有两个H桥电路，可以同时控制双路电机。可通过相应的控制信号来控制电机的转速和正反转。www.kiaic.com/article/detail/3637.html 2022-07-07