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详解SiC MOSFET如何降低电磁干扰和开关损耗-KIA MOS管
寄生电感是SiC MOSFET的VDS峰值和振铃的主要成因。从关闭波形（图1）中看，栅源电压（VGS）从18V至0V。关闭时的漏极电流（ID）为50A，VDS为800V。SiC MOSFET的高开关速度会导致高VDS峰值和长振铃期。www.kiaic.com/article/detail/3391.html 2022-03-09
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【电子分享】设计准确的直流电源图解-KIA MOS管
电池测试、电化学阻抗谱和半导体测试等测试和测量应用需要准确的电流和电压输出直流电源。在环境温度变化为±5°C时，设备的电流和电压控制精度需要优于满量程的±0.02%。精度在很大程度上取决于电流感应电阻器和放大器的温漂。www.kiaic.com/article/detail/3390.html 2022-03-09
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-4.1A-30V PMOS管 KIA3407规格参数 原厂价优 免费送样-KIA MOS管
-4.1A-30V PMOS管 KIA3407产品介绍KIA3407采用先进的沟槽技术，提供卓越的RDS（开）、低栅极。这款产品作负载开关或在脉宽调制应用中使用。KIA3407是一款标准产品、不含铅（符合ROHS和Sony 259规范）。www.kiaic.com/article/detail/3389.html 2022-03-08
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【图文】MOSFET和运算放大器构建的电流负载设计-KIA MOS管
测试电源和电池需要电流负载，该电流负载能够吸收大电流并消耗大量功率。只需使用一个运算放大器和一个功率MOSFET就可以构建一个简单而准确的电流负载，如图1所示。www.kiaic.com/article/detail/3388.html 2022-03-08
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反激式电源的交叉调整率如何提高？必看详文-KIA MOS管
例如，一个反激式电源可分别从一个48V输入产生两个1 A的12V输出，如图1的简化仿真模型所示。理想的二极管模型具有零正向压降，电阻可忽略不计。变压器绕组电阻可忽略不计，只有与变压器引线串联的寄生电感才能建模。www.kiaic.com/article/detail/3387.html 2022-03-08
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运算放大器datasheet参数中文详解-KIA MOS管
运放主要直流指标有输入失调电压、输入失调电压的温度漂移（简称输入失调电压温漂）、输入偏置电流、输入失调电流、输入偏置电流的温度漂移（简称输入失调电流温漂）、差模开环直流电压增益、共模抑制比、电源电压抑制比、输出峰-峰值电压、最大共模输入电压、...www.kiaic.com/article/detail/3386.html 2022-03-07
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图文分享-PFC MOS管DS震荡波形如何解决？-KIA MOS管
此问题一般情况是在硬开关，因有米勒效应，弥勒效应时可确定开关是硬开关，看上图MOS管驱动问题严重。当驱动电压到米勒平台，理想是保持不变，但是如上第二个图有震荡，即可能引起二次关断。www.kiaic.com/article/detail/3385.html 2022-03-07
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【图文】PFC电路MOS管应用电路振荡问题分析-KIA MOS管
PFC(功率因数校正)主要是对输入电流波形进行控制，使其同步输入电压波形。功率因数是指有功功率与视在功率的比值。功率因素可以衡量电力被有效利用的程度，当功率因素值越大，代表其电力利用率越高。www.kiaic.com/article/detail/3384.html 2022-03-07
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小电流PMOS管 KIA3409 -2.6A-30V资料 sot-23 原厂直销-KIA MOS管
?小电流PMOS管 KIA3409 -2.6A-30V介绍KIA3409采用先进的沟槽技术，提供卓越的RDS（on）低栅极充电。这款产品适合用作负载开关或在脉宽调制应用中使用。是一款标准产品，KIA3409不含铅（符合ROHS和Sony 259规范）。www.kiaic.com/article/detail/3383.html 2022-03-04
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【技术笔记】用于测量极低电阻的简单比率技术-KIA MOS管
也许极低阻值的电阻器（即mΩ级及以下）最常见的应用是电流控制电路，因为其低阻值可降低功率损耗。对于这类应用，大约10%-20%的容差就足够了。但即使在这样的容差下，精确测量非常低的电阻值也相当困难，尤其是在涉及大电流时。www.kiaic.com/article/detail/3381.html 2022-03-04
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【图文详解】超级结MOSFET结构、工作原理-KIA MOS管
（1）SJ-MOS在N层具有柱状P层（P柱层）。P层和N层交替排列。（参见图3-9（b））（2）通过施加VDS，耗尽层在N层中扩展，但其在SJ-MOS中的扩展方式与在一般D-MOS中不同。（关于电场强度，参见图3-9（a）／（b）。电场强度将表示耗尽层的状态。www.kiaic.com/article/detail/3380.html 2022-03-04
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详解SiC MOSFET的短路检测及短路保护-KIA MOS管
1、SiC MOSFET的晶元面积小于IGBT晶元面积，短路时候散热能力不及IGBT。2、IGBT短路后能够退饱和（desaturation）进入线性区，电流不再增加，能够自我限流。www.kiaic.com/article/detail/3379.html 2022-03-03
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电源电路解析-降压电路(DC DC）图文分享-KIA MOS管
1、降压拓扑如上图，要想掌握降压电路，必须深刻理解拓扑结构，几乎所有降压DC to DC 都是基于此拓扑结构。2、环路一，开关导通时的电流路径；环路二，开关闭合时的电流路径。闭合环路，变化的电流产生磁场，为了降低EMC，设计PCB 时，环路设计应该尽量小，同时...www.kiaic.com/article/detail/3378.html 2022-03-03
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【电子精选】分享-功率因数校正(Power Factor Correction)-KIA MOS管
PFC的英文全称为“Power Factor Correction”，意思是“功率因数校正”，功率因数指的是有效功率与总耗电量（视在功率）之间的关系，也就是有效功率除以总耗电量（视在功率）的比值。基本上功率因数可以衡量电力被有效利用的程度，当功率因数值越大，代表其电力...www.kiaic.com/article/detail/3377.html 2022-03-03