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电源电路分析-过压保护电路设计-KIA MOS管
电源防护中的过压保护简单的保护，我们一般加个TVS之类的，当外部有瞬间高能量冲击时候它能够把这股能量抑制下来，虽然功率高，上千W都可以，但是维持抑制的时间很短很短，万一器件损坏或者长时间工作电压高于正常工作电压的时候，就力不从心了。www.kiaic.com/article/detail/3418.html 2022-03-22
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【分享】在模拟版图设计中堆叠MOSFET-KIA MOS管
在28nm以下，由于最大器件长度限制，模拟设计人员经常要对多个短长度的MOSFET串联来创建长沟道的器件。这些串联连接的器件通常被称为堆叠MOSFET或堆叠器件。www.kiaic.com/article/detail/3417.html 2022-03-22
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详细分析理解运算放大器输入失调电压-KIA MOS管
输入失调电压Vos(Voltage - Input Offset)，指的是为使运算放大器输出端为0V所需加于两输入端间之补偿电压。理想之运算放大器其Vos应该为0V。www.kiaic.com/article/detail/3416.html 2022-03-21
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【好文分享】如何防止MOSFET寄生导通？-KIA MOS管
功率MOSFET发生寄生导通（不希望发生的事件）的机率比我们的预计更高，造成的损失也更大。寄生导通通常会损坏MOSFET，且之后很难查出故障的根源。寄生导通机制取决于漏源和栅源电压间的电容分压比例 。www.kiaic.com/article/detail/3415.html 2022-03-21
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围绕二象限驱动器电路设计的PWM放大器电路-KIA MOS管
在此，R1和C1对晶体管Q4构成一个适度的滤波器。Q5发射极上的3.3V电压将对Q4的基极发射极结产生反向偏置，并使电流通过R11流向Q4的基极。流经Q4的电流驱动Q3和Q2，且该电流取决于PWM的水平。www.kiaic.com/article/detail/3414.html 2022-03-21
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【图文详解】如何处理MOSFET非线性电容-KIA MOS管
与MOSFET相关的三个电容的基本定义如图1a和1b所示。以VDS的函数的方式测量这些电容并不是一件直截了当的工作，在此过程中需要它们中的某些被短路或开路（left floating）。www.kiaic.com/article/detail/3413.html 2022-03-18
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【电路分享】常用的不对称半桥MOSFET驱动电路-KIA MOS管
图1为常用的小功率驱动电路，简单可靠成本低，适用于不要求隔离的小功率开关设备。其中一路直接接到下管，另外一路经反向器反向后驱动上管。RP1，RP2用于调节死区时间。www.kiaic.com/article/detail/3412.html 2022-03-18
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【图文】如何正确选择同步降压MOSFET电阻比？-KIA MOS管
首先，FET 电阻与其面积成反比例关系。因此，如果为 FET 分配一定的总面积，同时您让高侧面积更大（旨在降低其电阻），则低侧的面积必减小，而其电阻增加。www.kiaic.com/article/detail/3411.html 2022-03-18
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P沟道 MOS管KIA7P03A -7.5A-30V 参数资料 原厂现货直销-KIA MOS管
P沟道 MOS管KIA7P03A -7.5A-30V产品描述KIA7P03A是高密度沟槽p-CH MOSFET，提供出色的导通电阻和大多数同步降压转换器应用的栅极电荷。www.kiaic.com/article/detail/3410.html 2022-03-17
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如何抑制反激电源中的振铃现象？详解-KIA MOS管
反激电源是最常用的拓扑之一。其变压器漏感常会引起原边振铃，并导致会损坏 MOSFET 的电压尖峰。因此，通过变压器和MOSFET 组件的合理设计来控制振铃非常重要。www.kiaic.com/article/detail/3409.html 2022-03-17
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功率MOSFET的热阻特性图文详解-KIA MOS管
数据表中，功率MOSFET有不同的热阻值，数据表中的热阻都是在一定的条件下测试的。MOSFET反并联二极管相当于一个温度传感器，一定的温度对应着一定的二极管的压降。www.kiaic.com/article/detail/3408.html 2022-03-17
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分析半导体器件中的EOS和ESD故障详解-KIA MOS管
静电可以定义为累积在材料表面的固定电荷。静电荷之间的相互作用（称为静电）导致两个关键问题：静电过应力（EOS）和静电放电（ESD）。静电可以定义为累积在材料表面的固定电荷。www.kiaic.com/article/detail/3407.html 2022-03-16
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CMOS集成电路ESD保护结构设计分析-KIA MOS管
静电放电(Electrostatic Discharge, ESD)是造成大多数的电子元件或电子系统受到过度电性应力(Electrical Overstress EOS)破坏的主要因素。这种破坏会导致半导体元件以及电脑系统等,形成一种永久性的毁坏，因而影响集成电路(Integrated Circuits, ICs)的电路功能...www.kiaic.com/article/detail/3406.html 2022-03-16
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【收藏】几种常用的MOSFET驱动电路分享-KIA MOS管
MOSFET因导通内阻低、开关速度快等优点被广泛应用于开关电源中。MOSFET的驱动常根据电源IC和MOSFET的参数选择合适的电路。下面一起探讨MOSFET用于开关电源的驱动电路。www.kiaic.com/article/detail/3405.html 2022-03-16