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广东可易亚半导体科技有限公司

结果: 找到相关主题 5006 个

  • PMOS、NMOS高侧和低侧驱动对比分析-KIA MOS管

    功率MOS管作为常用的半导体开关,其驱动方式有什么特点呢?首先,我们认为MOS管是电压控制型器件,其正常工作时是不需要电流的(开或关的稳态条件下),只要有维持电压,MOS管即可保持开启或关闭状态。

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    www.kiaic.com/article/detail/2891.html         2021-06-30

  • PNP和NPN三极管的开关电路分析-KIA MOS管

    三极管,全称为半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种电流控制电流的半导体器件。其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号,也用作无触点开关。晶体三极管,是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件。

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    www.kiaic.com/article/detail/2890.html         2021-06-29

  • 三极管用于开关的注意事项​详解-KIA MOS管

    图1的左边NPN管,蜂鸣器接在三极管的集电极,驱动信号是常见的3.3V或5VTTL,高电平导通,电阻按照经验法可以取4.7K。如左电路开通时假设为高电平5V,基极电流Ib=(5V-0.7V)/4.7K=0.9mA,可以使三极管完全饱和,但如果是右边电路用的是PNP管,蜂鸣器同样接在三极...

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    www.kiaic.com/article/detail/2889.html         2021-06-29

  • PMOS用于电源开关应用分析-KIA MOS管

    PMOS 和 NMOS 哪个更适合用于电源开关这种场合?大部分都是从工艺,导通电阻 Rds 来解释,但随着半导体工艺的进步,现今的 PMOS 与 NMOS 之间差距已经不大了,从 SOT-23 的封装来看,两者的大小也是差不多的。个人觉得,PMOS 用于电源开关更多是为了方便控制。...

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    www.kiaic.com/article/detail/2888.html         2021-06-29

  • MOS管600V​7A KNX4660A原厂现货 免费送样-KIA MOS管

    MOS管600V7A KNX4660A-产品概述KNX4660A沟道增强型硅栅功率MOSFET是为高压而设计的。高速功率开关应用,如高效率开关电源,有源,开关电源等。功率因数校正,基于半桥拓扑的电子灯镇流

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    www.kiaic.com/article/detail/2887.html         2021-06-28

  • KNH8150A 500V30A 原厂及PDF文件资料-价格优势 货源稳定-KIA MOS管

    MOS管8150产品特征-KNH8150A:1、高级平面加工 2、RDS(ON),类型:150mΩ@VGS=10V 3、低门电荷减小开关损耗 4、坚固的多晶硅闸板结构

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    www.kiaic.com/article/detail/1176.html         2021-06-28

  • CMOS集成电压比较器设计分析-KIA MOS管

    电压比较器是对输入信号进行鉴幅与比较的电路,其功能是比较一个模拟信号和另一个模拟信号(参考信号),并以输出比较得到的二进制信号。其在A/D转换器、数据传输器、切换功率调节器等设备中有着广泛的应用。

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    www.kiaic.com/article/detail/2886.html         2021-06-28

  • FQA24N50​替代KNX7650A MOS管​500V25A​ 原厂现货直销-KIA MOS管

    FQA24N50替代KNX7650A MOS管?,KIA半导体主营半导体产品丰富,是一家国产MOS管厂家。专业从事中、大、功率场效应管(MOSFET)、超结场效应管、碳化硅二极管、碳化硅场效应管、快速恢复二极管、三端稳压管开发设计,集研发、生产和销售为一体的国家高新技术企业。...

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    www.kiaic.com/article/detail/2884.html         2021-06-25

  • 功率半导体器件分类及应用-KIA MOS管

    电力电子技术的核心是电能的变换和控制,常见的有直流转交流(逆变)、交流转直流 (整流)、变频、变相等。在工程中拓展开来,变得五花八门,应用领域非常之广。但是,千变万化离不开其核心一一功率电子器件。

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    www.kiaic.com/article/detail/2883.html         2021-06-25

  • igbt特性分析|igbt开关特性详解-KIA MOS管

    (1)转移特性用来描述IGBT集电极电流iC与栅一射电压UGE之间的关系,如图图1(a)所示。 它与功率MOSFET的转移特性类似。开启电压UGE(th)是IGBT能实现电导调制而导通的最低栅一射电压。

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    www.kiaic.com/article/detail/2882.html         2021-06-25

  • MOS管40V190A KIA2404A场效应管 专业制造商 -KIA MOS管

    1、KIA2404A产品特征RDS(on) (TYP) = 2.2m? @VGS = 10 V超高密度电池设计超低电阻100%雪崩测试无铅和绿色设备可用(符合RoHS标准)

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    www.kiaic.com/article/detail/2775.html         2021-06-24

  • MOS管500V24A规格书 KIA24N50H​原厂现货 价格优势-KIA MOS管

    这种功率MOSFET是使用KIA半导体先进的平面条纹DMOS技术生产的。这种先进技术是特别定制,以最小化通态电阻,并提供优越的开关。其性能好,能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这种功率MOSFET非常适合于高效率开关电源。

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    www.kiaic.com/article/detail/2881.html         2021-06-24

  • 半导体器件型号命名方法|超详细!-KIA MOS管

    中国半导体器件型号命名方法一、 半导体器件型号由五部分(场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分)组成。五个部分意义如下:第一部分:用数字表示半导体器件有效电极数目。

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    www.kiaic.com/article/detail/2880.html         2021-06-24

  • 电力电子器件以及分类解析-KIA MOS管

    电力电子器件(Power Electronic Device)又称为功率半导体器件,主要用于电力设备的电能变换和控制电路方面大功率的电子器件(通常指电流为数十至数千安,电压为数百伏以上)。

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    www.kiaic.com/article/detail/2879.html         2021-06-24

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