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三极管和mos管的区别,区别有哪些-KIA MOS管
三极管是电流驱动的，即通过控制基极电流来控制集电极和发射极之间的电流；MOS管是电压驱动的，通过控制栅极和源极之间的电压来控制漏极电流。www.kiaic.com/article/detail/4935.html 2024-05-07
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3400参数,3400场效应管参数引脚图,KIA3400中文资料-KIA MOS管
KIA3400采用先进的沟槽技术，提供出色的RDS（导通）、低栅极电荷和低至2.5V的栅极电压操作。3400场效应管适用于负载开关或PWM应用。www.kiaic.com/article/detail/4934.html 2024-05-06
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ttl门电路详解,ttl门电路结构,特点,原理-KIA MOS管
TTL是一种集成电路，通过使用双极性晶体管组合来做到具有驱动能力的逻辑输出。TTL门电路由多个输入端和一个输出端组成。当输入端接收到电信号时，它会根据某种逻辑运算生成相应的输出信号。www.kiaic.com/article/detail/4933.html 2024-05-06
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全桥驱动步进电机原理，接线图-KIA MOS管
步进电机属于无刷直流（BLDC）电机，它按照等长的步进值逐步转动。步进电机又叫脉冲电机，基于最基本的电磁铁原理，是一种可以自由回转的电磁铁，其动作原理是依靠气隙磁导的变化来产生电磁转矩。www.kiaic.com/article/detail/4932.html 2024-05-06
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3302场效应管参数,85A 20V,KNX3302A中文资料-KIA MOS管
KNX3302A场效应管采用先进的沟槽技术，漏源击穿电压20V，漏极电流85A，RDS(on)=3.8m?(typ.) @ VGS=4.5V，提供出色的RDS（ON）、低栅极电荷和低至4.5V的栅极电压操作。3302场效应管适用于电池保护或其他开关应用。www.kiaic.com/article/detail/4931.html 2024-04-30
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高边驱动和低边驱动原理、区别详解-KIA MOS管
高边驱动电路比低边驱动电路复杂一些，一个原因是它通常使用n沟道MOSFET作为功率元件。因为在相同的性能条件下，NMOSFET比PMOSFET的制造工艺简单，更加容易实现，且成本更低，具有价格优势。www.kiaic.com/article/detail/4930.html 2024-04-30
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什么是高边驱动？高边驱动电路分享-KIA MOS管
高边驱动是指通过直接在用电器或者驱动装置前通过在电源线闭合开关来实现驱动装置的使能。高边驱动形象点说，像在电路的电源端加了一个可控开关。高边驱动就是控制这个开关的开关。www.kiaic.com/article/detail/4929.html 2024-04-30
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jmte3003a,3003场效应管参数,150A 30V,KNB2803S-KIA MOS管
jmte3003a,3003场效应管参数30V，150ARDS（ON）<2.9mΩ@VGS=10VRDS（ON）<6.5mΩ@VGS=4.5Vwww.kiaic.com/article/detail/4928.html 2024-04-29
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mos管的阈值电压公式，图文分享-KIA MOS管
MOSFET的阈值电压： 对于金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），其阈值电压可以通过以下公式计算：Vth = Vt0 + γ(√|2φF + Vsb| - √|2φF|)www.kiaic.com/article/detail/4927.html 2024-04-29
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mos管的阈值电压和什么有关,影响因素-KIA MOS管
衬底材料对MOSFET的阈值电压有显著的影响。普通的MOSFET衬底材料为硅晶片，但硅晶片在高温、高电场下易发生击穿，从而降低了阈值电压。www.kiaic.com/article/detail/4926.html 2024-04-29
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9103场效应管参数,40A 30V mos管,KNX9103A中文资料-KIA MOS管
KNX9103A场效应管是一款具有先进的沟槽工艺技术的高性能器件，漏源击穿电压30V，漏极电流40A，采用了超低导通电阻的高密度电池设计，具有非常优秀的电气特性；RDS（ON）仅为8.5mΩ（典型值），VGS为10V，表现出极佳的导通能力，经过了完全的雪崩电压和电流特性...www.kiaic.com/article/detail/4925.html 2024-04-28
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两节锂电池充电电路,锂电池充放电电路-KIA MOS管
USB口的5V输入，使用一颗SOT23-6的升压IC，直接升压到8.4V.电流在1A以下。优点是成本最低，缺点是，没有锂电池充电控制逻辑，和锂电池指示灯。www.kiaic.com/article/detail/4924.html 2024-04-28
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三节锂电池串联充电电路,充放电电路方案-KIA MOS管
1，PW4053，输入5V，升压输出12.6V的三节锂电池充电管理芯片，1A；2，PW4203，输入15V-20V，降压输出12.6V的三节锂电池充电电流芯片，2A。锂电池如是可拆卸和拔插应用时，会产生浪涌瞬间尖峰高压，CBAT需改成100uF电解电容。www.kiaic.com/article/detail/4923.html 2024-04-28
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40n06场效应管参数,40n06参数,KIA40N06中文资料-KIA MOS管
KIA40N06B场效应管采用先进的高细胞密度沟槽技术，具备出色的性能，漏源击穿电压60V，漏极电流38A，在VDS为60V时，RDS（开启）仅为14m?，表现出卓越的导通能力、超低的栅极电荷，在Cdv/dt效应下降方面表现出色、100%的EAS保证，在各种工作条件下都能稳定可靠、...www.kiaic.com/article/detail/4922.html 2024-04-26