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V-FET或功率场效应管（MOS管）工作原理知识详解-KIA MOS管
V-FET或功率场效应管（MOS管）知识，功率MOS管通常采用V型配置，如图所示。这就是为什么该元器件有时被称为V-MOS管或V-FET。功率MOS场效应晶体管也分为结型和绝缘栅型，但通常主要指绝缘栅型中的MOS型。结型功率场效应晶体管一般称作静电感应晶体管（Static In...www.kiaic.com/article/detail/2233.html 2020-06-16
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看看使用碳化硅MOSFET提升工业驱动器的能源效率详解-KIA MOS管
目前工业传动通常採用一般所熟知的硅基IGBT反相器（inverter），但最近开发的碳化硅MOSFET元件，为这个领域另外开闢出全新的可能性。以反相器为基础的传动应用，最常见的拓扑就是以6个电源开关连接3个半桥接电桥臂。每一个半桥接电桥臂，都是以欧姆电感性负载（...www.kiaic.com/article/detail/2232.html 2020-06-15
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MOS管知识-细说MOS管晶体管增强型知识（图文详解）-KIA MOS管
根据导电方式的不同，MOSFET又分增强型、耗尽型。所谓增强型是指：当VGS=0时管子是呈截止状态，加上正确的VGS后，多数载流子被吸引到栅极，从而“增强”了该区域的载流子，形成导电沟道。N沟道增强型MOSFET基本上是一种左右对称的拓扑结构，它是在P型半导体上生...www.kiaic.com/article/detail/2231.html 2020-06-12
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恒流电源-六个提示帮你搞定恒流电源电路设计-KIA MOS管
基本的恒流源电路主要是由输入级和输出级构成，输入级提供参考电流，输出级输出需要的恒定电流。恒流源电路就是要能够提供一个稳定的电流以保证其它电路稳定工作的基础。即要求恒流源电路输出恒定电流，因此作为输出级的器件应该是具有饱和输出电流的伏安特性。...www.kiaic.com/article/detail/2230.html 2020-06-12
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PN结单向导电原理解析及PN结为什么可以单向导电-KIA MOS管
PN结单向导电原理解析及PN结为什么可以单向导电，PN结采用不同的掺杂工艺，通过扩散作用，将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体（通常是硅或锗）基片上，在它们的交界面就形成空间电荷区称为PN结（英语：PN junction）。PN结具有单向导电性，是电子技术中...www.kiaic.com/article/detail/2228.html 2020-06-11
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交流电源知识-基于一种交流电源的LED照明电路设计-KIA MOS管
交流电源是现代词，是一个专有名词，指的是插头与插座指用来接上用来将市电提供的交流电，使家用电器与可携式小型设备通电可使用的装置。当前全球能源短缺 的忧虑再度升高的背景下，节约能源是我们未来面临的重要的问题，在照明领域，led发光 产品的应用正吸引...www.kiaic.com/article/detail/2229.html 2020-06-11
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电工基础知识电路图详解及电路图符号基础知识大全-KIA MOS管
电工基础知识电路图，在了解电路图之前，必须得知道电路图符号。接下来就会讲到电路图符号和电路图的知识。电路图，是指用电路元件符号表示电路连接的图。电路图是人们为研究、工程规划的需要，用物理电学标准化的符号绘制的一种表示各元器件组成及器件关系的原...www.kiaic.com/article/detail/1231.html 2020-06-10
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怎样区分场效应管与IGBT管 明明白白看清楚-KIA MOS管
怎样区分场效应管与IGBT管，在电子电路中，MOS管和IGBT管会经常出现，它们都可以作为开关元件来使用，MOS管和IGBT管在外形及特性参数也比较相似，那为什么有些电路用MOS管？而有些电路用IGBT管？下面我们就来了解一下，怎样区分场效应管与IGBT管吧！www.kiaic.com/article/detail/2226.html 2020-06-10
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MOSFET电路类型集合与特性分析 MOSFET开关电路-KIA MOS管
MOSFET电路类型集合与特性分析 MOSFET开关电路，为了帮助MOSFET最大化导通和关断时间，需要驱动电路。如果MOSFET需要相对较长的时间进出导通，那么我们就无法利用MOSFET的优势。这将导致MOSFET发热，器件将无法正常工作。MOSFET驱动器通常可以使用自举电路来产...www.kiaic.com/article/detail/2227.html 2020-06-10
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MOS管D80N06替代产品-KND3306B参数 封装 规格书详情-KIA MOS管
MOS管D80N06替代产品-KND3306B参数 封装 规格书详情，MOS管D80N06替代产品KND3306B特点：RDS(ON)=7mΩtyp@VGS=10V提供无铅绿色设备低Rds开启以最小化导电损耗www.kiaic.com/article/detail/2222.html 2020-06-09
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静电对电子元器件的破坏-防护静电危害的基本原则及防护措施-KIA MOS管
电子元器件按其种类不同，受静电破坏的程du度也不一样，最低的zhi100V的静电压也会对dao其造成破坏。近年来随着电子元器件发展趋于集成化，因此要求相应的静电电压也在不断降低。人体所感应的静电电压一般在2-4KV以上，通常是由于人体的轻微动作或与绝缘物的磨...www.kiaic.com/article/detail/2225.html 2020-06-09
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MOS管涨知识| MOS管的实际应用详细解析-KIA MOS管
MOS管涨知识| MOS管的实际应用详细解析：MOS管和三极管类似，只不过 MOS管是压控压型（电压控制），而三极管是流控流型（电流控制）。N型MOS管应用的场景更多，相比于比P型MOS管，其优点如下：1、开关速度更快、2、耐压更高、3、通过的电流更大。下面是N型MOS管...www.kiaic.com/article/detail/2224.html 2020-06-09
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MOS管工作原理-MOS晶体管的阈值电压及输出特点解析-KIA MOS管
MOS管全称金属—氧化物—半导体场效应晶体管或称金属—绝缘体—半导体场效应晶体管，英文名metal oxide semiconductor，属于场效应管中的绝缘栅型，因此，MOS管有时候又称为绝缘栅场效应管。双极结晶体管是放大输入电流的微小变化以产生输出电流的大变化的晶体...www.kiaic.com/article/detail/2223.html 2020-06-08
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FET晶体管类型和MOS管工作原理、应用及作用图文解析-KIA MOS管
FET晶体管类型和MOS管工作原理、应用及作用图文解析，FET，也称为单极晶体管，是用于控制器件电性能的晶体管。FET具有非常高的输入阻抗（在JFET的情况下为100兆欧姆，在MOSFET的情况下为10 4至10 9兆欧），普通晶体管的主要缺点即输入阻抗低，从而加载了信号源...www.kiaic.com/article/detail/2221.html 2020-06-04