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广东可易亚半导体科技有限公司

结果: 找到相关主题 5229 个

  • 开关电源调试问题(10大问题汇总及解决方法详解)-KIA MOS管

    本文主要讲开关电源调试问题有哪些,开关电源不同于线性电源,开关电源利用的切换晶体管多半是在全开模式(饱和区)及全闭模式(截止区)之间切换,这两个模式都有低耗散的特点,切换之间的转换会有较高的耗散,但时间很短,因此比较节省能源,产生废热较少。理...

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    www.kiaic.com/article/detail/2018.html         2019-11-28

  • 场效应管-解析场效应管的特点与作用及使用注意事项-KIA MOS管

    场效应晶体管,缩写(FET),简称场效应管。主要有两种类型(junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管(metal-oxide semiconductor FET,简称MOS-FET)。由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高(107~...

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    www.kiaic.com/article/detail/1013.html         2019-11-27

  • 详细分析常见开关电源中的7种驱动电路(附有图片)-KIA MOS管

    详细分析常见开关电源中的7种驱动电路,驱动电路(Drive Circuit),位于主电路和控制电路之间,用来对控制电路的信号进行放大的中间电路(即放大控制电路的信号使其能够驱动功率晶体管),称为驱动电路。驱动电路的作用:将控制电路输出的PWM脉冲放大到足以驱动...

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    www.kiaic.com/article/detail/2015.html         2019-11-27

  • 单片机5V转3.3V电平的19种方法技巧 工程师必看-KIA MOS管

    单片机5V转3.3V电平的19种方法技巧 工程师必看,具体方法请查看原文。使用LDO稳压器,从5V电源向3.3V系统供电标准三端线性稳压器的压差通常是 2.0-3.0V 。要把 5V 可靠地转换为3.3V,就不能使用它们。压差为几百个毫伏的低压降 (Low Dropout, LDO)稳压器,是...

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    www.kiaic.com/article/detail/2014.html         2019-11-27

  • 功率场效应管的原理、几大特性及参数等详解-KIA MOS管

    功率场效应管又叫功率场控晶体管。半导体结构分析略。本讲义附加了相关资料,供感兴趣的同事可以查阅。实际上,功率场效应管也分结型、绝缘栅型。但通常指后者中的MOS管,即MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)。MOS器件的电极分别为...

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    www.kiaic.com/article/detail/2011.html         2019-11-26

  • 12v充电器原理图(附7款12v充电器原理图片)大全-KIA MOS管

    本文主要讲12v充电器原理图(附7款12v充电器原理图片)大全,?充电器是采用高频电源技术,运用先进的智能动态调整充电技术。工频机是以传统的模拟电路原理来设计的,机器内部电力器件(如变压器、电感、电容器等)都比较大,一般在带载较大运行时存在较小噪声...

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    www.kiaic.com/article/detail/2012.html         2019-11-26

  • 四种恒流源电路分析、基本原则及输入、输出要求-KIA MOS管

    恒流源电路,恒流源由信号源和电压控制电流源(VCCS)两部分组成。正弦信号源采用直接数字频率合成(DDS)技术,即以一定频率连续从EPROM中读取正弦采样数据,经D/A转换并滤波后产生EIT所需的正弦信号。本系统采用DDS集成芯片AD9830,其内部有两个12位相位寄存器...

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    www.kiaic.com/article/detail/2013.html         2019-11-26

  • 场效应管详解-场效应管的作用是什么 到底好在哪里-KIA MOS管

    说到场效应管,它到底有什么作用,到底好在哪些地方呢?这也是这篇文章要讲的,现在我们来看看场效应管的简介,它主要有两种类型:结型场效应管(junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管(metal-oxide semiconductor FET,简称MOS-FET)。由多数载流...

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    www.kiaic.com/article/detail/2010.html         2019-11-25

  • MOSFET的驱动技术详细解剖及主要参数详解-KIA MOS管

    本文主要讲MOSFET驱动技术详细解剖及主要参数详解,先来看看MOSFET的一些主要参数。耐压:通常所说的VDS,或者说是击穿电压。那么一般MOS厂家是如何来定义这个参数的呢?不同的厂家对此定义略有不同,但是基本上来说,当电压超过击穿电压,MOS的漏电流就会急剧...

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    www.kiaic.com/article/detail/2009.html         2019-11-25

  • C50N06A替代型号KNP3206A产品规格书下载 免费送样与技术服务-KIA MOS管

    C50N06A替代型号KNP3206A产品特征:1、RDS(ON)=6.5mΩ(类型)@VGS=10V2、低RDS(ON)以减小导电损耗3、低门电荷在快速开关中的应用4、优化的BVDSS性能

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    www.kiaic.com/article/detail/2008.html         2019-11-22

  • 功率器件的保护措施有哪些及优缺点详解-KIA MOS管

    本文主要讲功率器件的保护措施。功率器件,就是输出功率比较大的电子元器件,像大音响系统中的输出级功放中的电子元件都属于功率器件,还有电磁炉中的IGBT也是。本章详细介绍了:功率器件定义,功率器件龙头企业,最新功率器件,分立器件与功率器件,功率器件测...

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    www.kiaic.com/article/detail/2007.html         2019-11-22

  • 使用直流稳压电源时注意事项及基本功能、用途、分类等详解-KIA MOS管

    直流稳压电源是什么,能为负载提供稳定直流电源的电子装置。直流稳压电源的供电电源大都是交流电源,当交流供电电源的电压或负载电阻变化时,稳压器的直流输出电压都会保持稳定。 直流稳压电源随着电子设备向高精度、高稳定性和高可靠性的方向发展,对电子设备...

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    www.kiaic.com/article/detail/2006.html         2019-11-22

  • IRFB3607代替型号KIA75NF75-MOS管原厂 规格书下载-KIA MOS管

    IRFB3607代替型号KIA75NF75的产品特征:KIA75NF75可完美代替IRFB3607的型号,下面会介绍IRFB3607代替型号的参数、封装等性情。1、RDS(ON)=7mΩ@VGS=10V2、提供无铅绿色设备3、低Rds开启,最小化导电损耗4、高雪崩电流

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    www.kiaic.com/article/detail/2005.html         2019-11-21

  • 三端稳压管和稳压二极管工作原理、应用、参数等区别与联系-KIA MOS管

    三端稳压管和稳压二极管工作原理、应用、参数等区别与联系,三端稳压管是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件。稳压管在反向击穿时,在一定的电流范围内(或者说在一定功率损耗范围内),端电压几乎不变,表现出稳压特性,因而广泛应用于稳压...

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    www.kiaic.com/article/detail/2004.html         2019-11-21

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