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双场效应管振荡电路图,场效应管电路图,各种双场效应管振荡电路图晶体管振荡线路,都可以用场效应管构成,可以根据振荡原理导出用场效应管参数表示的振荡条
www.kiaic.com/article/detail/967.html 2018-07-06
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pwm控制mos芯片、pwm控制mos开关、1.用低端电压和PWM驱动高端MOS管。2,用小幅度的PWM信号驱动高gate电压需求的MOS管。3,gate电压的峰值限制4,输入和输出的电流限制5,通过使用合适的电阻,可以达到很低的功耗。
www.kiaic.com/article/detail/962.html 2018-07-04
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KIA2300 N沟道 MOSFET 6.0A /20V SOT-23封装最新规格书 自行提供mos管定制.是一家专业从事中、大、功率场效应管(MOSFET)、快恢复二极管、三端稳压器开发设计、集研发、生产和销售为一体的国家高新技术企业。KIA半导体科技从2005-2018已经拥有独立研发中心,...
www.kiaic.com/article/detail/777.html 2018-06-25
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KIA3506A N沟道 MOSFET 70A /60V TO-252、220封装最新规格书 自行提供mos管定制.是一家专业从事中、大、功率场效应管(MOSFET)、快恢复二极管、三端稳压器开发设计、集研发、生产和销售为一体的国家高新技术企业。KIA半导体科技从2005-2018已经拥有独立研发中...
www.kiaic.com/article/detail/778.html 2018-06-25
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KIA2306A N沟道 MOSFET 3.5A /30V SOT-23封装最新规格书 自行提供mos管定制.是一家专业从事中、大、功率场效应管(MOSFET)、快恢复二极管、三端稳压器开发设计、集研发、生产和销售为一体的国家高新技术企业。KIA半导体科技从2005-2018已经拥有独立研发中心,...
www.kiaic.com/article/detail/779.html 2018-06-25
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是用于高耐压、高电流的二极管,但按照其特性、特征、制造工艺可进行以下分类。此时,对二极管基本的应用条件而言,特性和性能已优化。快恢复二极管的内部结构与普通PN结二极管不同,它属于PIN结型二极管,即在P型硅材料与N型硅材料中间增加了基区I,构成PIN硅...
www.kiaic.com/article/detail/780.html 2018-06-25
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KIA79L12 三端稳压管 -35A /100V TO-92、SOT-89封装最新规格书 自行提供mos管定制.是一家专业从事中、大、功率场效应管(MOSFET)、快恢复二极管、三端稳压器开发设计、集研发、生产和销售为一体的国家高新技术企业。KIA半导体科技从2005-2018已经拥有独立研发...
www.kiaic.com/article/detail/782.html 2018-06-25
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7805mos管、78L05引脚图三端IC是指这种稳压用的集成电路,只有三条引脚输出,分别是输入端、接地端和输出端。它的样子像是普通的三极管,TO- 220 的标准封装,也有9013样子的TO-92封装。用78/79系列三端稳压IC来组成稳压电源所需的外围元件极少,电路内部还有过...
www.kiaic.com/article/detail/784.html 2018-06-25
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碳化硅(含SiC约85%)是极好的脱氧剂,用它可加快炼钢速度,并便于控制化学成分,提高钢的质量。此外,碳化硅还大量用于制作电热元件硅碳棒。碳化硅的硬度很大,莫氏硬度为9.5级,仅次于世界上最硬的金刚石(10级),具有优良的导热性能,是一种半导体,高温时能...
www.kiaic.com/article/detail/785.html 2018-06-25
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KIA78L15 N沟道 MOSFET 100A /35V TO-92、SOT-89封装最新规格书 自行提供三端稳压管定制.是一家专业从事中、大、功率场效应管(MOSFET)、快恢复二极管、三端稳压器开发设计、集研发、生产和销售为一体的国家高新技术企业。KIA半导体科技从2005-2018已经拥有独...
www.kiaic.com/article/detail/795.html 2018-06-25
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快恢复二极管(简称FRD)是一种具有开关特性好、反向恢复时间短等特点的半导体二极管,主要应用于开关电源、PWM脉宽调制器、变频器等电子电路中,作为高频整流二极管、续流二极管或阻尼二极管使用。快恢复二极管在制造上采用掺金、单纯的扩散等工艺,可获得较高...
www.kiaic.com/article/detail/786.html 2018-06-25
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金属氧化物半导体场效应(MOS)晶体管可分为N沟道与P沟道两大类,P沟道硅MOS场效应晶体管在N型硅衬底上有两个P+区,分别叫做源极和漏极,两极之间不通导,柵极上加有足够的正电压(源极接地)时,柵极下的N型硅表面呈现P型反型层,成为连接源极和漏极的沟道。改变栅...
www.kiaic.com/article/detail/787.html 2018-06-25
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电压范围:7805、7806、7808、7809、7812、7815、7818、7820、7824封装形式: TO-220 塑料封装,TO-3 铝壳封装7805-7818最高输入电压35V;7820-7824最高输入电压40V工作温度范围0-70℃;最高结温150℃TO-3 封装结到外壳的热阻是 4℃/W,结到环境的热阻是 35℃...
www.kiaic.com/article/detail/788.html 2018-06-25
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NMOS集成电路是N沟道MOS电路,NMOS集成电路的输入阻抗很高,基本上不需要吸收电流,因此,CMOS与NMOS集成电路连接时不必考虑电流的负载问题。NMOS集成电路大多采用单组正电源供电,并且以5V为多。CMOS集成电路只要选用与NMOS集成电路相同的电源,就可与NMOS集成...
www.kiaic.com/article/detail/789.html 2018-06-25