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逆变器专用mos管,40a300v,KNH9130A参数引脚图-KIA MOS管
KNH9130A采用专有新平面技术，是一款逆变器专用MOS管，漏源击穿电压300V，漏极电流40A，RDS（ON）值为100mΩ，低栅极电荷最小化开关损耗，快速恢复体二极管，高效稳定；KNH9130A场效应管广泛应用于DC-DC转换器、DC-AC逆变器、开关电源和电机控制等，封装形式：...www.kiaic.com/article/detail/5257.html 2024-10-18
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pwm控制mos管驱动电机,pwm电机驱动-KIA MOS管
MOSFET开关频率达到20KHz。MOSFET本身需要一定的功率驱动，因为MOSFET的容性负载很大，门级要2A以上的电流驱动才能导通。因此在PWM电路和电机驱动电路之间，还需要插入一级MOSFET驱动电路。同时，随着电机电流的加大，它也需要更大的散热器。www.kiaic.com/article/detail/5256.html 2024-10-17
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pwm控制mos管调节电压电流分析-KIA MOS管
用单片机的PWM信号控制mos管的开通和关断，然后mos管后端接负载。一个MOS管，PWM的占空比变化（比如从50到100%），MOS管输出电压（比如100V）会变化（在这样的情形下，比如在纯阻性负载上，其峰值电压还是100V，平均值为50V）。www.kiaic.com/article/detail/5255.html 2024-10-17
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逆变器mos管场效应管,75A100V,kia3510a参数引脚图-KIA MOS管
KIA3510A是一款逆变器专用MOS管，漏源击穿电压100V，漏极电流75A，RDS（ON）值为9mΩ，低导通电阻最大限度地减少导通损耗，最小化开关损耗；低栅极电荷、100%雪崩测试，性能高效稳定；提供无铅和绿色设备（符合RoHS标准）；广泛应用于电源切换、LED电源等，封装...www.kiaic.com/article/detail/5254.html 2024-10-16
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单片机驱动mos管电路原理,电路图分享-KIA MOS管
通过三极管作为中间级，来提高驱动能力和确保MOS管正常工作。? 单片机I/O口的电压通常较低，而MOS管需要较高的驱动电压才能达到饱和状态，因此直接驱动可能会导致MOS管不完全导通，内阻增大，从而产生过热问题。通过三极管作为中间级，可以有效提高驱动电压，...www.kiaic.com/article/detail/5253.html 2024-10-16
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MOS管驱动器,MOSFET驱动器电路-KIA MOS管
最理想的 MOSFET 驱动器电路如图1所示。这种配置常用于升压（boost）、反激式和单开关的正激开关电源拓扑结构中。采用正确的布板技巧和选择合适的偏置电压旁路电容，可以使 MOSFET 栅极电压得到很好的上升和下降时间。除了在偏置电压增加本地旁路电容外，MOSFE...www.kiaic.com/article/detail/5252.html 2024-10-16
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130A 100V场效应管,KNX2910B中文资料,mos管原厂-KIA MOS管
KNX2910B采用先进的沟槽技术，漏源击穿电压100V, 漏极电流130A ，提供优异的Rdson，RDS（ON）值为9mΩ，超低导通电阻，最大限度地减少导通损耗，最小化开关损耗；低栅极电荷，完全表征雪崩电压和电流，具有高EAS的良好稳定性和均匀性，性能稳定可靠；专用于电源...www.kiaic.com/article/detail/5251.html 2024-10-15
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三极管驱动mos管,三极管和MOS管驱动-KIA MOS管
VT1为NPN型三极管，其基极输入信号的幅度只有5V，而MOS场效应管VT2的开启电压较高，要想使其充分导通，其栅极驱动电压一般要求≥10V。www.kiaic.com/article/detail/5250.html 2024-10-15
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mos管的驱动电阻,mos管驱动电阻计算-KIA MOS管
L为PCB走线电感，一般直走线为1nH/mm，考虑杂七杂八的因素，取L = Length+10（nH），其中Length单位取mm。Rg为栅极驱动电阻，设驱动信号是12V峰值的方波，Cgs为MOSFET栅源极电容，不同管子及不同的驱动电压会不一样，取1nF。www.kiaic.com/article/detail/5249.html 2024-10-15
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100v130amos管,封装TO-220,KNP2910A场效应管参数-KIA MOS管
KNP2910A场效应管采用超高密度电池设计，漏源击穿电压100V, 漏极电流130A ，RDS（ON）值为5mΩ，超低导通电阻，最大限度地减少导通损耗，最小化开关损耗；100%雪崩测试，可靠坚固；无铅环保器件(符合RoHS标准)，绿色环保，专用于17串-21串保护板、同步整流、无...www.kiaic.com/article/detail/5248.html 2024-10-14
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MOS管驱动电机电路,电机正反转电路分享-KIA MOS管
利用自举升压结构将上拉驱动管N4的栅极（B点）电位抬升，使得UB》VDD+VTH ，则NMOS管N4工作在线性区，使得VDSN4 大大减小，最终可以实现驱动输出高电平达到VDD。而在输出低电平时，下拉驱动管本身就工作在线性区，可以保证输出低电平位GND。www.kiaic.com/article/detail/5247.html 2024-10-14
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lm386功放电路,lm386音频放大电路图-KIA MOS管
由 Vcc 供电的 LM386 使用电阻器 R1 和电容器 C2。这是为了防止电路振荡。电阻R2和电容C3在上述电路中起着重要作用，因为它改变了输出中获得的输出增益。增加一个10uF的单个电容器将有助于获得最大增益。与电阻R2一起使用将获得约50db的增益。C3 的正极端子应连...www.kiaic.com/article/detail/5246.html 2024-10-14
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保护板专用mos管,150A 80V,KNB2808A场效应管现货-KIA MOS管
KNB2808A是一款10串-16串保护板专用MOS管，漏源击穿电压80V, 漏极电流150A ，RDS（ON）值为4mΩ，极低RDS（ON）和优秀栅极电荷，最大限度地减少导通损耗，最小化开关损耗；100%雪崩测试，可靠且坚固，无铅和绿色设备可用（符合RoHS标准），高效环保，在切换应用...www.kiaic.com/article/detail/5245.html 2024-10-12
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增强型mos管工作原理,增强型mos管的开启电压-KIA MOS管
增强型MOS管的工作原理基于栅源电压（VGS）的控制。当栅源之间不加电压时，漏源之间的PN结是反向的，因此不存在导电沟道，即使漏源之间加了电压，也不会有电流通过。当栅源之间加正向电压到一定值时，漏源之间会形成导电通道，这个使导电沟道刚刚形成的栅源电压...www.kiaic.com/article/detail/5244.html 2024-10-12