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正弦波发生电路,正弦波发生电路原理图-KIA MOS管
不需要外加激励信号，电路就能产生输出信号的电路称为信号发生电路或波形振荡器。其中能产生正弦波输出信号的电路称为正弦波发生电路或正弦振荡器。正弦波发生电路能产生正弦波输出，它是在放大电路的基础上加上正反馈而形成的，它是各类波形发生器和信号源的核...www.kiaic.com/article/detail/5368.html 2024-12-09
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运放积分电路,运放积分电路原理详解-KIA MOS管
积分电路由一个电阻R和一个电容C构成。在实际应用中，积分电路通常包含运算放大器、电容、电阻等元件。运放将输入信号放大并传递给电容进行积分。积分电路的输出是输入信号的积分。在积分电路中，电容的电压随时间的变化率与输入信号成正比。www.kiaic.com/article/detail/5367.html 2024-12-09
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01t13场效应管参数,72V控制器mos管,KIA2910N代换-KIA MOS管
NCEP01T13场效应管代换型号KIA2910A漏源击穿电压100V，漏极电流130A，采用超高密电池设计，低导通电阻RDS(ON) 6 mΩ，优秀的高频开关性能，导通和开关功率损耗最小化；100%雪崩测试，稳定可靠；无铅绿色环保（符合RoHS标准）；适用于高速开关、锂电池保护板、控...www.kiaic.com/article/detail/5366.html 2024-12-06
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漏极开路门电路符号原理,OD门-KIA MOS管
OD门的输出端可以通过上拉电阻或上拉电源拉高，从而实现高低电平转换。与OC门（Open Collector Gate）类似，OD门的输出端也可以被多个门并联连接，形成开关电路，控制外部器件的工作。OD门适用于既可以输出高电平又可以输出低电平的应用场合，如数字信号的放大...www.kiaic.com/article/detail/5365.html 2024-12-06
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2844开关电源电路,电路原理图-KIA MOS管
FB反馈方式如下图所示，当输出电压24V减小，流过PC817光耦二极管电流减小，对应PC817光耦三极管的电流也较小（原因是光耦三极管内阻增大），对应进入2脚FB管脚的电压降低，误差放大器输出增大，从而PWM打开占空比增大，输出电压上升，完成反馈。www.kiaic.com/article/detail/5364.html 2024-12-06
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032n08场效应管参数,032n08代换,KIA2808A参数资料-KIA MOS管
032n08场效应管代换型号KIA2808A漏源击穿电压80V，漏极电流150A，VGS=10V时，低导通电阻RDS(ON)4mΩ，最大限度地减少导电损耗，提高效率；100%雪崩测试，稳定可靠；无铅和绿色设备可用（符合RoHS标准），高效环保；在锂电池保护板、控制器、逆变器中广泛应用。...www.kiaic.com/article/detail/5363.html 2024-12-05
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运放加法电路,反相加法运算电路,电路图,公式-KIA MOS管
根据电路图可知：V-=V+=0V设Vi1=V18Vi2=V20求得输出电压Vo的值如下：(Vo-(V-))/R26=((V-)-Vi1)/R27+((V-)-Vi2)/R30www.kiaic.com/article/detail/5362.html 2024-12-05
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运放减法电路,减法运算电路,原理图,公式-KIA MOS管
减法运算电路如上，输出电压的计算如下：假设V24=Vi1；V25=Vi2可得V+=(Vi1-0)/(R31+R29)*R29V-=(Vo-Vi2)/(R32+R33)*R32+Vi2www.kiaic.com/article/detail/5361.html 2024-12-05
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80n07场效应管参数,保护板mos管,KIA3508A替代-KIA MOS管
80n07场效应管替代型号KIA3508A漏源电压80V，漏极电流70A，低导通电阻RDS(ON)11mΩ；具有低Rds开启、低栅极电荷，最大限度地减少导电损耗；100%雪崩测试、高击穿电压和电流，性能稳定可靠；无铅和绿色设备标准，符合RoHS环保要求；适用于电动车控制器、锂电池保...www.kiaic.com/article/detail/5360.html 2024-12-04
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放大电路图,放大电路原理-KIA MOS管
放大电路是一种将输入信号放大的电路。它的工作原理基于放大元件（如晶体管或运放）的特性和配置。放大电路的组成包括信号源、放大器件、偏置电路、负载等。信号源提供待放大的微弱信号，放大器件通过控制电流或电压的变化来放大信号，偏置电路确保放大器件在合...www.kiaic.com/article/detail/5359.html 2024-12-04
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贴片封装和直插封装的区别-KIA MOS管
贴片封装（SMD）：封装在一个带有引脚的矩形基板上，通过表面弯曲引脚与PCB板连接，包括有SOIC，QFN，BGA等等。贴片元器件可以通过SMT机器进行贴装。直插式封装（DIP）：引脚直插在PCB板上，元件插在PCB板上并通过焊接固定。DIP封装包括有DIP，ZIP，PGA等等。需...www.kiaic.com/article/detail/5358.html 2024-12-04
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直流升压斩波电路,直流升压斩波电路原理-KIA MOS管
由图中V的栅极电压波形UGE可知，当V处于通态时，电源Ui向电感L1充电，充电电流基本恒定为I1，同时电容C1上的电压向负载供电，因C1值很大，基本保持输出电压UO为恒值。www.kiaic.com/article/detail/5356.html 2024-12-03
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功率电感和普通电感的区别,原理作用-KIA MOS管
功率电感通常用于功率电路中，如电源滤波器、开关管驱动电路等，而普通电感则主要用于信号处理和低功率电路中。功率电感通常由高磁导率的材料制成，如绕线电感、磁珠等，而普通电感则可能使用较低磁导率的材料?。www.kiaic.com/article/detail/5355.html 2024-12-03
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ao3402场效应管参数,30v4a mos管,KIA3402代换-KIA MOS管
ao3402场效应管代换型号KIA3402场效应管漏源电压30V，漏极电流4A，采用先进的沟槽技术，提供优良的RDS（on）、低栅电荷和栅电压低至2.5V，最大限度地减少导电损耗；3402是一款可靠性高、性能稳定的场效应管,具有低电压放大和开关特性，适用于负载开关、PWM应用...www.kiaic.com/article/detail/5354.html 2024-12-02