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7n65f参数及代换,KNX4665B场效应管参数引脚图规格书-KIA MOS管
KNX4665B场效应管可以替代7n65型号应用在DCDC转换器、电源适配器、镇流器、LED驱动中，漏源击穿电压650V，漏极电流7A，能够承受较大的电压压力及良好的导电性能；RDS（ON）的典型值为1.1Ω，低导通电阻，低栅极电荷最小化，有效降低开关损耗，提升整体性能；符...www.kiaic.com/article/detail/5188.html 2024-09-03
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ao4410参数,ao4410场效应管参数引脚图规格书-KIA MOS管
最大耐压：30V最大电流：18A导通电阻：5mΩ@10V, 6.5mΩ@4.5V最大反馈电容 (Crss)：542pFwww.kiaic.com/article/detail/5116.html 2024-07-31
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hy4008场效应管参数代换,KIA2808A参数引脚图规格书-KIA MOS管
KIA2808A是一款能够代换hy4008场效应管80V，200A参数的高性能功率器件，KIA2808A场效应管漏源击穿电压80V，漏极电流150A，VGS=10V时，RDS（开启）=4.0m?（典型值），减小损耗提高效率；100%雪崩测试，可靠且坚固；无铅和绿色设备可用（符合RoHS标准），高效环...www.kiaic.com/article/detail/5114.html 2024-07-30
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9926mos管,9926场效应管,参数引脚图规格书-KIA MOS管
9926mos管,9926场效应管参数漏源电压：20V漏极电流：6A漏源通态电阻(RDS(on))：0.030Ω总功耗：2.0Wwww.kiaic.com/article/detail/4955.html 2024-06-06
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6706MOS管,6706场效应管,参数引脚图规格书-KIA MOS管
KIA6706A场效应管漏源击穿电压60V，漏极电流18A，额定RDSON为7.5mΩ（在VGS=10V时），表现稳定可靠，具有超低的门电荷，在工作时能够更加高效，还具有Cdv/dt效应下降的特点，有助于减少电路中的不稳定因素，提升整体性能，KIA6706A是一款具有先进技术和优秀性能...www.kiaic.com/article/detail/4961.html 2024-05-16