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随着MOSFET尺寸的缩小，特别是沟道长度的缩短，短沟道效应变得显著。这种效应包括直接隧穿、热载流子注入等，它们会改变沟道中的电荷分布和电场分布，进而影响阈值电压。短沟道效应通常导致阈值电压的降低和亚阈值摆幅的增大。

www.kiaic.com/article/detail/5601.html 2025-04-07

对于短沟道（L很小）的MOS管，由于Source和Drain的距离太近，导致Channel的能带被向下拉，因此导致了处于Cut-Off状态下的器件leakage会增大（因为沟道的势垒降低了，在常温下热激发的电子会有更多能够越过沟道势垒，从Source跑到Drain处）。这个效应对于亚阈值...

www.kiaic.com/article/detail/5382.html 2024-12-16

在CMOS器件工艺中，当导电沟道长度降低到十几纳米，甚至几纳米量级时，晶体管出现一些效应。这些效应主要包括阈值电压Vth随着沟道长度降低而降低，载流子表面散射，速度饱和，离子化和热电子效应。

www.kiaic.com/article/detail/5146.html 2024-08-14

当MOS晶体管的沟道长度小到可以和漏结及源结的耗尽层厚度相比拟时，会出现一些不同于长沟道MOS管特性的现象，统称为短沟道效应，它们归因于在沟道区出现二维的电势分布以及高电场。

www.kiaic.com/article/detail/5014.html 2024-06-12

短沟道效应（short-channel effects），当金属氧化物半导体场效应管的导电沟道长度降低到十几纳米、甚至几纳米量级时，晶体管出现的一些效应。

www.kiaic.com/article/detail/4518.html 2023-10-09

在半导体的制造中，始终遵循着摩尔定律，于是集成电路的尺寸持续减小，于是MOSFET的沟道长度也相应地缩短，这就导致了MOSFET管中的S和D（源和漏）的距离越来越短，因此栅极对沟道的控制能力变差，这就意味着栅极电压夹断（pinch off）沟道的难度变大，于是使得...

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www.kiaic.com/article/detail/3088.html 2021-10-08

MOSFET的短沟道效应:当MOS晶体管的沟道长度小到可以和漏结及源结的耗尽层厚度相比拟时,会出现一些不同于长沟道MOS管特性的现象,统称为短沟道效应，它们归因于在沟道区出现二维的电势分布以及高电场。当沟道区的掺杂浓度分布一定时,如果沟道长度缩短,源结与漏结...

www.kiaic.com/article/detail/2436.html 2020-11-06

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