|
|
|
结果: 找到相关主题 5190 个
-
同步降压MOSFET电阻比正确选择-KIA MOS管
首先，FET 电阻与其面积成反比例关系。因此，如果为 FET 分配一定的总面积，同时您让高侧面积更大（旨在降低其电阻），则低侧的面积必减小，而其电阻增加。www.kiaic.com/article/detail/4025.html 2023-01-30
-
不同封装造成的电压尖峰差异-KIA MOS管
Turn OFF 尖峰根据封装的不同而有差异。图是 SiC MOSFET 的代表性封装, (a)是被广泛采用的TO-247-3L，(b)是近几年渐渐扩大采用的用于驱动电路的源极端子（即所谓的开尔文接法）的TO-247-4L。www.kiaic.com/article/detail/4024.html 2023-01-29
-
【电子精选】缓冲电路设计方法-KIA MOS管
图所示的缓冲电路是通过CSNB 吸收LTRACE 积蓄的能量。因此，在缓冲电路中形成的LSNB 必须比LTRACE 小。由于CSNB 中积蓄的能量基本不放电，静电容量越大电压尖峰抑制效果变好,但使用的电容器的等价串联电感 (ESL) 也必须考虑到LSNB 中。www.kiaic.com/article/detail/4023.html 2023-01-29
-
MOSFET应用-缓冲电路种类介绍-KIA MOS管
RC 缓冲电路可在各开关元件附近能布局缓冲电路，不过，必须确保每次元件Turn ON 时CSNB 中积存的全部能量均由RSNB 消耗掉。因此，当开关频率变高时，RSNB 所消耗的电力可能会变为数W，而CSNB 很难很大，所以抑制尖峰的效果也会变得有限。此外，RSNB 的尖峰吸收...www.kiaic.com/article/detail/4022.html 2023-01-29
-
SiC MOSFET尖峰产生原因及抑制-KIA MOS管
半桥电路中，针对MOS漏极和源极产生的尖峰抑制方法之一就是增加缓冲电路，其设计方法说明了漏极源极之间的电压尖峰是由于在Turn ON 时流过的电流的能量储存在线路和基板布线的寄生电感中，并与开关元件的寄生电容共振所产生的。www.kiaic.com/article/detail/4021.html 2023-01-13
-
小功率电源MOS管驱动电路设计图文-KIA MOS管
对于小功率电源(50W以内)MOS管的驱动电路设计相对简单，只需要一个驱动电阻Rg即可对MOS管进行驱动。此时的驱动开通电阻和关断电阻阻值一致。www.kiaic.com/article/detail/4020.html 2023-01-13
-
MOS管驱动电路功率损耗如何计算？详解-KIA MOS管
所有的MOS管导通后都存在导通内阻，当电流流过之后就会产生功率损耗，一般用RDS(ON)来表示，传导损耗一般来说和MOS的大小成反比，体积越大，其导通电阻一般能做的更小。www.kiaic.com/article/detail/4019.html 2023-01-13
-
SiC MOSFET桥臂串扰问题 误开通-KIA MOS管
如图1所示为SiC MOSFET的半桥应用电路，上管QH开通过程会在桥臂中点产生高速变化的dv/dt，下管Vds电压变化通过米勒电容CGD产生位移电流，从而在门极驱动电阻和寄生电感上产生正的电压干扰，当电压干扰使得门极电压超过器件的阈值电压就可能导致原本关断的下管误...www.kiaic.com/article/detail/4018.html 2023-01-12
-
驱动电路中的误开通如何避免？详解-KIA MOS管
通过调节RON/ROFF 的大小可以来调整 MOSFET 的开通/关断速度：增大RON/ROFF来减慢MOSFET开通/关断的速度，减小 dv/dt (di/dt) 从而减小门极电压尖峰。www.kiaic.com/article/detail/4017.html 2023-01-12
-
图文了解驱动电路中的误开通-KIA MOS管
图1显示了米勒效应带来的误开通。当 MOSFET 关断而对管导通时， Vds 电压快速的上升产生高的 dv/dt，从而在电容 Cgd 中产生位移电流( igd)。www.kiaic.com/article/detail/4016.html 2023-01-12
-
开关损耗测量中需要注意的问题解析-KIA MOS管
当电压通道和电流通道之间存在时间偏移时，测量结果明显偏高或偏低，而器件的开关速度越快，偏移的影响就越明显。图1为MOS管的关断损耗测量原理图，由此可见，只有经过校正以后，才能得到正确的测量结果。www.kiaic.com/article/detail/4015.html 2023-01-11
-
开关损耗测试在电源调试中的重要作用-KIA MOS管
一般来说，开关管工作的功率损耗原理图如图1所示，主要的能量损耗体现在“导通过程”和“关闭过程”，小部分能量体现在“导通状态”，而关闭状态的损耗很小几乎为0，可以忽略不计。www.kiaic.com/article/detail/4014.html 2023-01-11
-
LED电路：利用MOSFET提升效率降低噪声-KIA MOS管
下面的电路摘自实际LED照明电路的相关部分。该LED驱动电路是DC/DC转换器通过临界模式（BCM）的PFC向LED供电的。www.kiaic.com/article/detail/4013.html 2023-01-11
-
通过双脉冲测试确认MOSFET损耗-KIA MOS管
双脉冲测试是广泛应用于MOSFET和IGBT等功率开关元件特性评估的一种测试方法。该测试不仅可以评估对象元件的开关特性，还可以评估体二极管和IGBT一同使用的快速恢复二极管（FRD）等的反向恢复特性。因此，对导通时发生反向恢复特性引起损耗的电路的评估非常有效...www.kiaic.com/article/detail/4012.html 2023-01-10