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【电子精选】分享-功率因数校正(Power Factor Correction)-KIA MOS管
PFC的英文全称为“Power Factor Correction”，意思是“功率因数校正”，功率因数指的是有效功率与总耗电量（视在功率）之间的关系，也就是有效功率除以总耗电量（视在功率）的比值。基本上功率因数可以衡量电力被有效利用的程度，当功率因数值越大，代表其电力...www.kiaic.com/article/detail/3377.html 2022-03-03
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【电子干货】通过IGBT热计算优化电源设计-KIA MOS管
某些IGBT是单裸片组件，要么结合单片二极管作，要么不结合二极管；然而，大多数IGBT结合了联合封装的二极管。大多数制造商提供单个θ值，用于计算结点至外壳热阻抗。www.kiaic.com/article/detail/3376.html 2022-03-01
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【分享】IGBT和MOSFET功率模块NTC温度控制-KIA MOS管
温度控制是MOSFET或IGBT功率模块有效工作的关键因素之一。尽管某些MOSFET配有内部温度传感器 (体二极管)，但其他方法也可以用来监控温度。www.kiaic.com/article/detail/3375.html 2022-03-01
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分享几种一键开关机电路方案【图文详解】-KIA MOS管
电路工作流程如下：A、 Key按下瞬间，Q2、Q1导通，7805输入电压在8.9V左右，7805工作，输出5V电压给单片机供电。B、单片机工作后，将最先进行IO口初始化，IO1设为输入状态，启用内部上拉；IO2设为输出状态，输出高电平。这时Q2、Q3导通，LED1发光，7805能够正常...www.kiaic.com/article/detail/3374.html 2022-02-28
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【电路分享】N沟道、P沟道MOSFET开关电路图-KIA MOS管
如图1所示，使用了P沟道的内置二极管的电路，此处二极管的主要作用是续流作用，电路是锂电池充放电电路，当外部电源断开时采用锂电池进行内部供电，即+5V电源断开后Q1的G极为低电平，S极和D极导通，为系统供电。www.kiaic.com/article/detail/3373.html 2022-02-28
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高压MOS管KNX42150A代替3n150 2.8A/1500V 光伏汇流箱-KIA MOS管
高压MOS管KNX42150A高压MOS管42150产品特征：高速转换RDS(ON)，typ.=6.5Ω@VGS=10V全隔离式TO-3PF塑料封装www.kiaic.com/article/detail/1379.html 2022-02-28
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PMOS管-3.5A-20V KIA2305 规格参数 SOT-23 原厂直销-KIA MOS管
PMOS管-3.5A-20V KIA2305产品特征VDS=-20V,RDS(on)=0.055Ω@VGS=-4.5V,ID=-3.5AVDS=-20V,R DS(on)=0.075Ω@VGS=-2.5V,ID=-3.0AVDS=-20V,R DS(on)=0.095Ω@VGS=-1.8V,ID=-1.8Awww.kiaic.com/article/detail/3371.html 2022-02-25
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开关电源-用于电源SiP的半桥MOSFET集成方案研究-KIA MOS管
为提高大功率电源SiP 效率，一般将传统开关电源拓扑中的续流二极管同步MOSFET 取代形成如图1 所示的同步开关电源拓扑，2 个MOSFET Q1 和Q2 形成半桥结构。MOSFET 是影响电源效率、热环境等性能的关键器件。www.kiaic.com/article/detail/3368.html 2022-02-25
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【分享】氮化镓芯片组实现高效率、紧凑的反激式电源-KIA MOS管
氮化镓芯片组--它由具有耐用的750V氮化镓(GaN)初级侧开关的反激式IC方案与创新的高频有源钳位方案组合而成，能够为手机、平板电脑和笔记本电脑设计出额定功率高达110W的新型超紧凑充电器。www.kiaic.com/article/detail/3367.html 2022-02-25
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系统中采用低端驱动器的常见应用-KIA MOS管
在许多中低功率应用中，低侧（接地参考）MOSFET由PWM控制IC的输出引脚驱动，以切换感性负载。如果PWM输出电路可以以可接受的开关时间驱动MOSFET而不会耗散过多功率，则此解决方案是可以接受的。随着系统功率需求的增长，开关和相关驱动电路的数量也随之增加。随...www.kiaic.com/article/detail/3366.html 2022-02-24
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SiC MOSFET实时结温监测电路图文解析-KIA MOS管
碳化硅设备或设备因在不久的将来有可能在电力电子设备（特别是大功率转换器应用）中替代硅的传统设备而闻名。由于宽带隙的可用性，高功率密度，较低的电阻和快速的开关频率，所有这些都是可能的。高可靠性电源系统需要复杂，苛刻和复杂的条件和环境才能工作。www.kiaic.com/article/detail/3365.html 2022-02-24
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驱动输入端负压抑制及尖峰形成原因-KIA MOS管
许多高性能、高频率的PWM控制芯片，无论是数字类型还是模拟类型，都不具备或只有有限的直接驱动功率MOSFET的能力。因为功率MOSFET对栅极驱动电流有较高的要求，驱动芯片就相当于PWM开关控制芯片与功率MOSFET之间的桥梁，用来将开关信号电流和电压放大，同时具备...www.kiaic.com/article/detail/3364.html 2022-02-24
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P-MOS管 KIA3423 -2.0A-20V 原厂送样 价格优势-KIA MOS管
KIA3423采用先进的沟槽技术，提供卓越的RDS，低栅极充电门极电压低至2.5V。该器件适合用作负载开关或用于脉宽调制应用。KIA3423是不含铅（符合ROHS和Sony 259规范）的标准产品。www.kiaic.com/article/detail/3363.html 2022-02-23
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半导体元器件过电应力失效图文浅析-KIA MOS管
半导体元器件在整机应用端的失效主要为各种过应力导致的失效，器件的过应力主要包括工作环境的缓变或者突变引起的过应力，当半导体元器件的工作环境发生变化并产生超出器件最大可承受的应力时，元器件发生失效。www.kiaic.com/article/detail/3362.html 2022-02-23