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广东可易亚半导体科技有限公司

结果: 找到相关主题 5196 个

  • 这些电路设计中的细节工程师必看-KIA MOS管

    电路设计中的细节解析：1.为了获得具有良好稳定性的反馈电路，通常要求在反馈环外面使用一个小电阻或扼流圈给容性负载提供一个缓冲。2.积分反馈电路通常需要一个小电阻（约560欧）与每个大于10pF的积分电容串联。

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    www.kiaic.com/article/detail/2489.html         2020-12-02

  • 缺货到不可思议，晶圆提价趋势确定-KIA MOS管

    晶圆提价趋势确定:财联社12月2日讯，近日，芯片代工商力积电召开兴柜前公开说明会，董事长黄崇仁表示，目前晶圆产能已紧张到不可思议。芯片缺货风波愈演愈烈，此前中芯国际已表态，会通过优化产品组合来提升平均晶圆代工价格。有券商认为，在晶圆扩产设备先行背...

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    www.kiaic.com/article/detail/2490.html         2020-12-02

  • MOS管保护电路|MOSFET栅源保护知识分享-KIA MOS管

    MOS管保护电路|MOSFET栅源保护知识分享-KIA MOS管，MOSFET栅源保护：功率MOS管自身拥有众多优点，但是MOS管具有较脆弱的承受短时过载能力，特别是在高频的应用场合，所以在应用功率MOS管对必须为其设计合理的保护电路来提高器件的可靠性。

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    www.kiaic.com/article/detail/2487.html         2020-12-01

  • ​如何识别电子元器件？一定要看这篇-KIA MOS管

    电子元器件的识别方法-电子元器件识别：由于电子元器件种类繁多，这里就主要讲电阻、电容、晶体二极管、稳压二极管、电感、变容二极管、晶体三极管、场效应晶体管放大器等这几种的识别方法。希望以下内容能帮到大家。1.电阻电阻的识别方法主要是参数识别法，参...

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    www.kiaic.com/article/detail/2486.html         2020-12-01

  • 电路分享|晶体管搭建常见的逻辑门电路-KIA MOS管

    晶体管搭建常见的逻辑门电路：常见的晶体管有二极管、三极管和MOS管，主要的逻辑门电路：与门、或门、非门、与非门、或非门、异或门等，这篇文章介绍用晶体管搭建常见的逻辑门电路。1. 二极管，① 二极管与门，用两个二极管组成的与门，A和B都为高电平时，Y才为...

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    www.kiaic.com/article/detail/2485.html         2020-12-01

  • 100V130A|KNX2910A中文资料|规格书|KIA原厂直销-KIA MOS管

    100V130A|KNX2910A中文资料-特性，RDS(ON) = 5.0mΩ@VGS = 10V,超高密度电池设计，超低导通电阻，100%雪崩测试，无铅环保器件(符合RoHS标准)

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    www.kiaic.com/article/detail/2484.html         2020-11-30

  • MOS管保护电路实测与保护电路分析-KIA MOS管

    MOS管保护电路实测，分析:功率MOS管自身拥有众多优点，但是MOS管具有较脆弱的承受短时过载能力，特别是在高频的应用场合，所以在应用功率MOS管对必须为其设计合理的保护电路来提高器件的可靠性。

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    www.kiaic.com/article/detail/2483.html         2020-11-30

  • 详解PWM驱动MOS管H桥电路分享-KIA MOS管

    PWM驱动MOS管H桥电路：H桥是一个典型的直流电机控制电路，因为它的电路形状酷似字母H，故得名与“H桥”。4个三极管组成H的4条垂直腿，而电机就是H中的横杠（注意：图中只是简略示意图，而不是完整的电路图，其中三极管的驱动电路没有画出来）。

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    www.kiaic.com/article/detail/2482.html         2020-11-30

  • 什么是Qg,MOS管Qg的概念解析-KIA MOS管

    MOS管Qg概念:Qg(栅极电荷):栅极电荷Qg是使栅极电压从0升到10V所需的栅极电荷，是指MOS开关完全打开，Gate极所需要的电荷量。虽然MOS的输入电容,输出电容,在反馈电容是一项非常重要的参数,但是这些参数都是一些静态参数。

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    www.kiaic.com/article/detail/2444.html         2020-11-27

  • 你想了解的都在这里|MOS管及其扩展知识总结-KIA MOS管

    MOS管及其扩展知识:今天简单总结一下MOS管，金属氧化物半导体场效应(MOS)晶体管可分为N沟道与P沟道两大类， P沟道硅MOS场效应管在N型硅衬底上有两个P+区，分别叫做源极和漏极，两极之间不通导，源极上加有足够的正电压(栅极接地)时，栅极下的N型硅表面呈现P型反...

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    www.kiaic.com/article/detail/2476.html         2020-11-27

  • MOS管、三极管-电平转换电路的详细分析-KIA MOS管

    MOS管、三极管-电平转换电路分析:电平转换电路在电路设计中会经常用到，市面上也有专用的电平转换芯片，专用的电平转换芯片主要是其转换速度较快，多使用在速度较高的通讯接口，一般对速度要求不高的控制电路，则可使用此文介绍的分立器件搭建的电平转换电路。...

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    www.kiaic.com/article/detail/2477.html         2020-11-27

  • 集成电路知识|MOS管二级效应及其小信号等效-KIA MOS管

    MOS管二级效应及其小信号等效-二级效应-体效应:由于源极和衬底之间存在电压差，是的器件的电流方程偏离上述公式。主要是由于当源极与衬底存在压差时，阈值电压会发生变化，具体可参考刘恩科等著《半导体物理》第七版第八章MOS结构的介绍。

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    www.kiaic.com/article/detail/2478.html         2020-11-27

  • 华润微CRSS042N10N参数|变频器,锂电池保护板专用-KIA MOS管

    华润微CRSS042N10N参数|变频器,锂电池保护板专用-KIA MOS管,SkyMOS1 N-MOSFET 100V, 3.6m?, 120A,CRSS042N10N参数-特性：使用CRM(CQ)先进的SkyMOS1技术,极低通阻RDS(通),优秀的Qg x RDS(on)产品(FOM),符合JEDEC标准

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    www.kiaic.com/article/detail/2481.html         2020-11-27

  • NCEP039N10D锂电保护板专用|规格书参数资料-KIA MOS管

    NCE n通道超级沟槽II功率MOSFET-NCEP039N10D-描述：该系列设备使用超级战壕II技术，即独特优化，提供最有效的高频切换性能。传导和开关电源由于极低的组合，损失最小化RDS(ON)和Qg。该设备是理想的高频开关和同步整流。

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    www.kiaic.com/article/detail/2479.html         2020-11-27

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