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MOS管选型规范- MOS管选型规范的六个原则必知-KIA MOS管
MOS管选型规范在电源电路应用中，往往首先考虑漏源电压VDS的选择。在此上的基本原则为MOSFET实际工作环境中的最大峰值漏源极间的电压不大于器件规格书中标称漏源击穿电压的90%。即：VDS_peak≤90%*V(BR)DSSwww.kiaic.com/article/detail/2346.html 2020-09-21
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MOS管SOA分析-详解MOS管烧坏原因SOA的具体分析-KIA MOS管
MOS管SOA分析开关电源中MOSFET、IGBT是最核心也是最容易烧坏的器件。开关器件长期工作于高电压大电流状态，承受着很大的功耗，一但过压或过流就会导致功耗大增，晶圆结温急剧上升，如果散热不及时，就会导致器件损坏，甚至可能会伴随爆炸，非常危险。www.kiaic.com/article/detail/2345.html 2020-09-21
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MOS管驱动电路-MOS管驱动电路设计及注意事项-KIA MOS管
MOS管驱动电路设计一般认为MOSFET是电压驱动的，不需要驱动电流。然而，在MOS的G、S两级之间有结电容存在，这个电容会让驱动MOS变的不那么简单。 如果不考虑纹波和EMI等要求的话，MOS管开关速度越快越好，因为开关时间越短，开关损耗越小，而在开关电源中开关损...www.kiaic.com/article/detail/2344.html 2020-09-18
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保护板MOS管烧坏-保护板MOS测试裂开或烧毁原因-KIA MOS管
保护板MOS管烧坏，锂电池保护板测试时MOS管裂开不会烧毁，可能是因为过充或是温度过高导致的，需要重新焊接MOS管。锂电池保护板测试关系着保护板的性能和电池的使用安全，是很重要的一个环节。www.kiaic.com/article/detail/2343.html 2020-09-18
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MOS管和三极管区别-分析MOS管和三极管原理图对比-KIA MOS管
MOS管和三极管原理图并不复杂，但是分开讲述细节，反而不如对比起来容易理解。这里用一张图，让您轻松理解MOS管和三极管的工作原理。www.kiaic.com/article/detail/2342.html 2020-09-17
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MOS管开关电路图（八款MOS管开关电路图设计）KIA MOS管
MOS管开关电路是指具有“接通”和“断开”两种状态的电路。输入、输出信号具有两种状态的电路就是一种开关电路。逻辑门电路、双稳态触发器也都是开关电路。 开关电路的原理是由开关管和PWM（Pulse Width ModulaTIoon）控制芯片构成振荡电路，产生高频脉冲。将高...www.kiaic.com/article/detail/2341.html 2020-09-17
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小电流 低内阻MOS管型号-KIA30N03B 30A30V规格书 原厂供货-KIA MOS管
小电流MOS管 KIA30N03B 30A/30V特征：RDS(on)=15m?@VDS=30V高单元密度沟槽技术超低门电荷优异的Cdv/dt效应下降100%EAS保证绿色设备可用www.kiaic.com/article/detail/1497.html 2020-09-16
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MOS管开关频率-解析MOS管开关频率测算的问题-KIA MOS管
以840的参数计算，假定门极电压10V，那么电容量为63nC/10V=6.3nF。与10千欧放电电阻时间常数为63us。但是，不是经过一个时间常数之后MOS管就关断了，而是门极电压下降到Vg(th)以下MOS管才会关断。这段时间与MOS管型号有关，与门极充电达到的电压有关(实际上门极...www.kiaic.com/article/detail/2334.html 2020-09-16
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MOS管烧坏的原因-解析MOS管为什么会被烧毁-KIA MOS管
MOS管烧坏的原因Mos管主要损耗也对应这几个状态，开关损耗（开通过程和关断过程），导通损耗，截止损耗（漏电流引起的，这个忽略不计），还有雪崩能量损耗。只要把这些损耗控制在mos承受规格之内，mos即会正常工作，超出承受范围，即发生损坏。而开关损耗往往大...www.kiaic.com/article/detail/2338.html 2020-09-16
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逆变器mos管发热严重有四个原因及如何解决-KIA MOS管
逆变器mos管发热严重?由于逆变器的场效应管管耗较大，工作时一般要求要外接面积足够大的散热片，并且外接散热片与场效应管自身散热片之间应紧密接触（一般要求涂抹导热硅脂），若外接散热片较小或与场效应管自身散热片接触不够紧密，皆可导致管子发热。www.kiaic.com/article/detail/2339.html 2020-09-16
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MOS管损坏原因-MOS管损坏最常见有五种及分析-KIA MOS管
MOS管损坏有五种原因（1）雪崩破坏（2）器件发热损坏（3）内置二极管破坏、（4）由寄生振荡导致的破坏（5）栅极电涌、静电破坏。如果在漏极-源极间外加超出器件额定VDSS的电涌电压，而且达到击穿电压V(BR)DSS（根据击穿电流其值不同），并超出一定的能量后就发...www.kiaic.com/article/detail/2340.html 2020-09-16
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MOS管开关管损耗计算方法公式及解释-KIA MOS管
MOS管导通损耗的计算公式为：P=I^2R= Rdson* Iqsw* IqswD= 20x20x61.8/12=0.36Wwww.kiaic.com/article/detail/2333.html 2020-09-15
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功率MOS管参数-Vdss的温度特性分析-KIA MOS管
功率MOSFET-Vdss温度特性分析，由图可知MSOFET耐压随温度升高而增加。 为什么MSOFET的VDS耐压随温度升高而增加，即呈现正温度系数呢？www.kiaic.com/article/detail/2336.html 2020-09-15
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场效应管的四个区域解析-如何判断场效应管工作区域-KIA MOS管
判断场效应管工作区域，下面先讲述MOS管场效应管的四个区域：1）可变电阻区（也称非饱和区）：满足Ucs》Ucs（th）（开启电压），uDs《UGs-Ucs（th），为图中预夹断轨迹左边的区域其沟道开启。2）恒流区（也称饱和区、放大区、有源区）：满足Ucs≥Ucs（h）且Ubs...www.kiaic.com/article/detail/2332.html 2020-09-11