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65R300场效应管,650V15A,KIA65R300FS参数资料-KIA MOS管
KIA65R300FS场效应管漏源电压650V，漏极电流15A，导通电阻RDS（ON）0.27Ω，低栅极电荷（典型值43nC），高坚固性、快速切换确保电路高效稳定，100%雪崩测试、改进的dv/dt功能增强了可靠性及安全性；65R300采用了先进的超级结技术，最大限度地减少传导损耗，提高...www.kiaic.com/article/detail/5293.html 2024-11-04
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储能电源场效应管,650vmos管,KIA65R190FS参数规格书-KIA MOS管
KIA65R190FS场效应管漏源电压650V，漏极电流20A，导通电阻RDS（ON）0.16Ω，低栅极电荷（典型值70nC），具有高坚固性、快速切换、100%雪崩测试、改进的dv/dt功能增强了稳定性及安全性；65R190mos管专为高压、高速功率开关电源应用设计，采用了先进的超级结技术...www.kiaic.com/article/detail/5290.html 2024-11-04
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p沟道和n沟道的区别,p沟道n沟道区分-KIA MOS管
N沟道场效应管 ：导电通道是由n型半导体构成的，主要由电子作为载流子进行导电。在N沟道场效应管中，当栅极施加正向偏压时（相对于源极为正），栅极下方的P型衬底中的空穴被排斥，形成耗尽层，而N型区中的电子则被吸引到耗尽层边缘，形成导电沟道，允许电流从源...www.kiaic.com/article/detail/5292.html 2024-11-04
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运放振铃现象产生的原因及消除方法-KIA MOS管
运放振铃产的原因就是由于反向输入端的寄生电容与反馈电阻构成了一个低通滤波器，低通滤波器会导致相位滞后。运算放大器同相端与反相端的电压差值放大无穷大倍，然而放大倍数又不可能无穷大，这就得益于输出端的反馈回路。www.kiaic.com/article/detail/5291.html 2024-11-04
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nmos工作原理示意图,nmos原理图-KIA MOS管
当NMOS晶体管接收到不可忽略的电压时，它会形成闭合电路，这意味着从源极端子到漏极的连接就像电线一样。因此电流从栅极流向源极。类似地，当该晶体管接收到约0V的电压时，它会形成开路，这意味着源极端子到漏极的连接将断开，因此电流从栅极端子流到漏极。www.kiaic.com/article/detail/5289.html 2024-11-01
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pwm电机调速原理,pwm电机调速电路-KIA MOS管
PWM调速通过快速地打开和关闭电源电压，调整 ON/OFF 脉冲的长度，将电压设置在0V和最大电压之间的任意位置，从而实现电机速度的调节。www.kiaic.com/article/detail/5288.html 2024-11-01
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储能电源mos管,650v场效应管,KIA12N65H参数引脚图-KIA MOS管
KIA12N65H场效应管漏源电压650V，漏极电流12A，导通电阻RDS（ON）0.63Ω，高效低耗；低栅极电荷（典型值52nC），最小化开关损耗，快速切换能力在电路中能够迅速响应信号变化，确保信号传输的准确性、雪崩能量规定和改进的dv/dt能力增强了稳定性及安全性；专为高...www.kiaic.com/article/detail/5287.html 2024-10-31
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电动剃须刀电路图,原理图分享-KIA MOS管
P1 P2为充电输入接口，QP1（内置限流电阻）为充电检测管，当插入外接适配器时，QP1的集电极将单片机的6脚拉到地，单片机即检测到有外接适配器接入，接着，单片机的7脚输出低电平， QP2截止，QP4 QP3导通，开始给电池充电。www.kiaic.com/article/detail/5286.html 2024-10-31
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mos管降压电路,mos管升压电路-KIA MOS管
假设NMOS管Q2的Vgs值为2.5V，那么NMOS管Q2的源极输出电压为12V-2.5=9.5V左右，这个时候B+这边的电压发生一定范围的跳动也是没关系的，NMOS管Q2的输出不会受影响。其中要考虑的就是NMOS管Q2的DS间耐压值是否承受的了。www.kiaic.com/article/detail/5285.html 2024-10-31
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500v场效应管,储能电源逆变器mos管,KIA13N50H参数-KIA MOS管
KIA13N50H场效应管漏源电压500V，漏极电流13A，导通电阻RDS（ON）0.4Ω，高效低耗；低栅极电荷（典型值45nC），最小化开关损耗，具有快速切换能力、指定雪崩能量、改进的dv/dt能力，稳定可靠；13N50场效应管专用于500W逆变器后级电路，以及电子镇流器、DC-AC电...www.kiaic.com/article/detail/5284.html 2024-10-30
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mos管电平转换电路,双向电平转换电路-KIA MOS管
当右侧开关直接接地，3.3V变为0V时，模拟输入一个低电平，此时MOS管Q1的漏极电压为0V,由于MOS管的体二极管原因，左侧1.8V电，经过电阻R1,MOS管的体二极管，流入GND,此时MOS管Q1的源极电压大概为0.6V左右，因此MOS管Q1的GS间电压为Vgs=1.8V-0.6V=1.2V,www.kiaic.com/article/detail/5283.html 2024-10-30
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专业功放电路图,功放电路原理图-KIA MOS管
射频信号(RF)由3脚输入，经过前置放大器、末级功率放大器放大后由10、11脚输出。3脚与内部放大器直接耦合，其外加一个隔直耦合电容，3脚输入阻抗为50Ω，但确切的阻抗值由1脚外接的内部级间匹配网络决定。www.kiaic.com/article/detail/5282.html 2024-10-30
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16n50参数及代换,KIA16N50H场效应管参数,中文资料-KIA MOS管
KIA16N50H场效应管漏源电压500V，漏极电流16A，出色的导通电阻RDS（ON）0.32Ω；低栅极电荷（典型值45nC），最小化开关损耗，具有快速切换能力、指定雪崩能量、改进的dv/dt能力，稳定可靠；在储能电源中广泛应用，提供卓越的开关性能；还热销于高效开关电源、有...www.kiaic.com/article/detail/5281.html 2024-10-29
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无线发射接收电路设计,电路原理图-KIA MOS管
电路四发射管V1及外围元件C1、C2、L1、L2等构成频率为265MHz超高频发射电路，通过环形天线L2向空中发射。天线L2采用镀银线或直径为1.5mm的漆包线，天线尺寸为24mm（长）X9mm（高）。三极管V1选用高频发射管BE414或2SC3355。www.kiaic.com/article/detail/5280.html 2024-10-29