|
|
|
结果: 找到相关主题 5168 个
-
STD35P6LLF6参数代换,KIA8606A场效应管中文资料,优质现货-KIA MOS管
KIA8606A采用先进的高单元密度沟槽技术的N沟道MOSFET，漏源击穿电压60V，漏极电流为35A，超低栅极电荷，提供卓越的开关性能；100%EAS保证、出色的Cdv/dt效应、绿色设备可用，稳定可靠；KIA8606A能够代换ST意法半导体STD35P6LLF6，为LED车灯、同步降压转换器应用...www.kiaic.com/article/detail/5094.html 2024-07-19
-
mosfet栅极电阻,mos管栅极电阻的作用-KIA MOS管
MOS管具有高输入阻抗、低噪声、低功耗等优点，广泛应用于模拟和数字电路中。其中，栅极电阻是MOS管中一个重要的参数，它对MOS管的性能和特性有着重要的影响。栅极电阻指的是在MOS管工作时，由于栅极与衬底之间存在一定的电阻而产生的效应。它是指在给定的偏置下...www.kiaic.com/article/detail/5093.html 2024-07-19
-
电压跟随器电路图、原理图分享-KIA MOS管
电压跟随器（或称缓冲放大器、单位增益放大器或隔离放大器）是一种运算放大器电路，其输出电压等于输入电压（它“跟随”输入电压）。因此，电压跟随器运算放大器不会放大输入信号，并且电压增益为 1。www.kiaic.com/article/detail/5092.html 2024-07-19
-
STF140N6F7场效应管代换,60V 70A,KIA3506A参数管脚图-KIA MOS管
KIA3506A场效应管漏源击穿电压60V，漏极电流为70A，VGS=10V ,RDS(on)=6.5mΩ@ VGS=10V；具有超低电阻、高UIS和UIS 100%测试，减小损耗，稳定可靠；KIA3506A可以代换ST意法半导体STF140N6F7在电动车控制器、硬开关和高频电路、不间断电源中广泛应用。KIA3506A封...www.kiaic.com/article/detail/5091.html 2024-07-18
-
25n06场效应管参数代换,60V 25A,KIA30N06B参数引脚图-KIA MOS管
KIA30N06B场效应管采用先进的高单元密度沟槽技术，漏源击穿电压60V，漏极电流25A，RDS（开启）=25m?@VDS=60V，具有超低栅极电荷、出色的Cdv/dt效应下降以及100%EAS保证、绿色设备可用，稳定可靠，能够在各种应用场景下发挥稳定的作用；KIA30N06B能够代换25n06...www.kiaic.com/article/detail/5090.html 2024-07-18
-
大功率变压器电路,原理图,工作原理详解-KIA MOS管
大功率变压器是交流电源变换的一种，由一个或多个整流器、滤波器及大功率开关器件组成。在直流电压的供电系统中，将交流电转换为直流电的装置称为整流器；而在直流电压的供电系统中，将直流电转换为交流电的装置就称为滤波器。www.kiaic.com/article/detail/5089.html 2024-07-18
-
光耦驱动继电器电路图文分享-KIA MOS管
光耦合器(opticalcoupler，OC)，光电隔离器或光电耦合器，简称光耦。以光为媒介来传输电信号，通常把发光器(红外线发光二极管LED)与受光器(光敏半导体管)封装在同一管壳内。当输入端加电信号时发光器发出光线，受光器接受光线之后就产生光电流，从输出端流出，...www.kiaic.com/article/detail/5088.html 2024-07-17
-
光伏逆变器MOS管,ru40190r参数代换,KIA2404A场效应管-KIA MOS管
KIA2404A场效应管采用超高密度电池设计，漏源击穿电压40V，漏极电流190A；超低导通电阻RDS（开启）（TYP）=2.2m?@VGS=10 V，提高开关效率降低损耗；100%雪崩试验、无铅和绿色设备可用（符合RoHS标准），稳定可靠，适合应用在光伏逆变、电鱼机、DC-DC转换器和离...www.kiaic.com/article/detail/5087.html 2024-07-16
-
什么是电压电流转换电路,电压电流转换电路原理-KIA MOS管
电压电流转换电路的原理是利用欧姆定律和基尔霍夫电路定律。欧姆定律表明，电流和电阻成正比，电压和电阻成反比。基尔霍夫电路定律则表明，在一个电路中，电流的总和等于零，电势差的总和也等于零。www.kiaic.com/article/detail/5086.html 2024-07-16
-
ovp过压保护,ovp和ocp什么意思,一文详解-KIA MOS管
OVP 全称 Overvoltage Protection，即过压保护，当电压超过预设水平时关闭电源或暂停输出，对后级电路起到了保护作用,避免因输入电压过高导致后级电路损坏。应用于电子产品中电源输入口处，防止输入电源电压异常过高损坏电子产品。www.kiaic.com/article/detail/5085.html 2024-07-16
-
p沟道mos管-100a -40v,KPX3204B场效应管参数引脚图-KIA MOS管
KPX3204B场效应管采用先进的高单元密度沟槽，漏源击穿电压-40V，漏极电流-90A，极低导通电阻VGS=-10V时，RDS（ON）=3.2mΩ（典型值）；超低栅极电荷，高效率低损耗，100%EAS保证、CdV/dt效应显著下降、绿色设备可用，可靠稳定；封装形式：TO-252。www.kiaic.com/article/detail/5084.html 2024-07-15
-
信号地详解,信号地与电源地的区别-KIA MOS管
SGND（信号地）对应两块芯片亦或模块间的通信信号回流所流过的路径；电源地对应电源回路电流的路径。SGND（信号地）通常是传感器的地。通常SGND（信号地）和GND（电源地）不可以共用，因为GND上流过的大电流会产生电压差，引起干扰，会使信号产生误判，把高电平...www.kiaic.com/article/detail/5083.html 2024-07-15
-
判断mos管的工作状态方法分享-KIA MOS管
mos管的三个工作状态：截止状态：当VGS（栅源电压）小于VGS(TH)（阈值电压）时，MOS管处于截止状态。此时，漏极电流ID很小，相当于管子不导通。www.kiaic.com/article/detail/5082.html 2024-07-15
-
ipd036n04l场效应管代换,KIA3204A参数引脚图,原厂原装-KIA MOS管
KIA3204A场效应管采用超高密度电池设计，漏源击穿电压40V，漏极电流100A，超低导通电阻，RDS（开启）=3.8 mΩ@VGS=10V，减小损耗；100%雪崩测试、无铅和绿色器件可用（符合RoHS标准），可靠稳定；广泛应用于电机驱动器、交换机系统中，封装形式：TO-220、TO-25...www.kiaic.com/article/detail/5081.html 2024-07-12