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mos管的参数,mos管的主要参数理解-KIA MOS管
V(BR)DSS漏源破坏电压V(BR)DSS（有时候叫做VBDSS）指在特定的温度和栅源短接情况下，流过漏极电流达到一个特定值时的漏源电压。这种情况下的漏源电压为雪崩击穿电压。超过此值，管子面临损坏。www.kiaic.com/article/detail/4939.html 2024-05-08
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mos管的输出特性曲线,三个区,图文详解-KIA MOS管
截止区：当满足Ugs＜Ugs(th)，MOS管进入截止区。截止区在输出特性最下面靠近横坐标的部分，表示MOS管不能导电，处在截止状态。截止区也叫夹断区，在该区时沟道全部夹断，电流Id为0，管子不工作。www.kiaic.com/article/detail/4938.html 2024-05-08
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3402场效应管参数,3402场效应管引脚图,3402中文资料-KIA MOS管
KIA3402采用先进的沟槽技术，提供优良的RDS（开）、低栅电荷和栅电压低至2.5V。3402场效应管适用于作为负载开关或在PWM应用程序中使用。KIA3402（绿色产品）提供无铅包装。3402场效应管参数:VDS(V)=30V，ID=4.0Awww.kiaic.com/article/detail/4937.html 2024-05-07
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可控硅和mos管的区别，图文详解-KIA MOS管
可控硅是一种双向可导通的半导体开关，可以通过控制其触发角来调节电流的大小，在可控硅调光中，通过改变可控硅的触发角，控制电路的导通时间，从而达到调节灯光亮度的目的；MOS管除了具有信号放大作用，还具有开关作用，作为开关时，MOS管的开关速度要高于可控...www.kiaic.com/article/detail/4936.html 2024-05-07
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三极管和mos管的区别,区别有哪些-KIA MOS管
三极管是电流驱动的，即通过控制基极电流来控制集电极和发射极之间的电流；MOS管是电压驱动的，通过控制栅极和源极之间的电压来控制漏极电流。www.kiaic.com/article/detail/4935.html 2024-05-07
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3400参数,3400场效应管参数引脚图,KIA3400中文资料-KIA MOS管
KIA3400采用先进的沟槽技术，提供出色的RDS（导通）、低栅极电荷和低至2.5V的栅极电压操作。3400场效应管适用于负载开关或PWM应用。www.kiaic.com/article/detail/4934.html 2024-05-06
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ttl门电路详解,ttl门电路结构,特点,原理-KIA MOS管
TTL是一种集成电路，通过使用双极性晶体管组合来做到具有驱动能力的逻辑输出。TTL门电路由多个输入端和一个输出端组成。当输入端接收到电信号时，它会根据某种逻辑运算生成相应的输出信号。www.kiaic.com/article/detail/4933.html 2024-05-06
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全桥驱动步进电机原理，接线图-KIA MOS管
步进电机属于无刷直流（BLDC）电机，它按照等长的步进值逐步转动。步进电机又叫脉冲电机，基于最基本的电磁铁原理，是一种可以自由回转的电磁铁，其动作原理是依靠气隙磁导的变化来产生电磁转矩。www.kiaic.com/article/detail/4932.html 2024-05-06
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3302场效应管参数,85A 20V,KNX3302A中文资料-KIA MOS管
KNX3302A场效应管采用先进的沟槽技术，漏源击穿电压20V，漏极电流85A，RDS(on)=3.8m?(typ.) @ VGS=4.5V，提供出色的RDS（ON）、低栅极电荷和低至4.5V的栅极电压操作。3302场效应管适用于电池保护或其他开关应用。www.kiaic.com/article/detail/4931.html 2024-04-30
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高边驱动和低边驱动原理、区别详解-KIA MOS管
高边驱动电路比低边驱动电路复杂一些，一个原因是它通常使用n沟道MOSFET作为功率元件。因为在相同的性能条件下，NMOSFET比PMOSFET的制造工艺简单，更加容易实现，且成本更低，具有价格优势。www.kiaic.com/article/detail/4930.html 2024-04-30
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什么是高边驱动？高边驱动电路分享-KIA MOS管
高边驱动是指通过直接在用电器或者驱动装置前通过在电源线闭合开关来实现驱动装置的使能。高边驱动形象点说，像在电路的电源端加了一个可控开关。高边驱动就是控制这个开关的开关。www.kiaic.com/article/detail/4929.html 2024-04-30
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jmte3003a,3003场效应管参数,150A 30V,KNB2803S-KIA MOS管
jmte3003a,3003场效应管参数30V，150ARDS（ON）<2.9mΩ@VGS=10VRDS（ON）<6.5mΩ@VGS=4.5Vwww.kiaic.com/article/detail/4928.html 2024-04-29
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mos管的阈值电压公式，图文分享-KIA MOS管
MOSFET的阈值电压： 对于金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），其阈值电压可以通过以下公式计算：Vth = Vt0 + γ(√|2φF + Vsb| - √|2φF|)www.kiaic.com/article/detail/4927.html 2024-04-29
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mos管的阈值电压和什么有关,影响因素-KIA MOS管
衬底材料对MOSFET的阈值电压有显著的影响。普通的MOSFET衬底材料为硅晶片，但硅晶片在高温、高电场下易发生击穿，从而降低了阈值电压。www.kiaic.com/article/detail/4926.html 2024-04-29