返回首页

广东可易亚半导体科技有限公司

结果: 找到相关主题 5120 个

  • MOS电容C-V曲线仿真方法-KIA MOS管

    在电路设计中,常见到利用 MOS 电容做去耦电容(也有利用来做miller补偿的电容),因此对 mosfet 的 c-v 特性曲线有必要进行确认。关于具体的 c-v 曲线的仿真方法,首先可以从电容的定义(或者说特性)来确定测试方法,这也是 ee240 里面提到的仿真方法。

    1 次查看

    www.kiaic.com/article/detail/3011.html         2021-08-25

  • 电子电路:电压比较器工作原理及原理图-KIA MOS管

    电压比较器是集成运放非线性应用电路,他常用于各种电子设备中,那么什么是电压比较器呢?它将一个模拟量电压信号和一个参考固定电压相比较,在二者幅度相等的附近,输出电压将产生跃变,相应输出高电平或低电平。比较器可以组成非正弦波形变换电路及应用于模拟...

    0 次查看

    www.kiaic.com/article/detail/3010.html         2021-08-25

  • 50A60V内阻低 MOS管KIA50N06 参数资料 原厂价格-KIA MOS管

    50A60V内阻低 MOS管KIA50N06产品特征RDS(on) =10.5m@ VGS =10V提供无铅绿色设备低Rds开启,可将传导损耗降至最低高雪崩电流

    0 次查看

    www.kiaic.com/article/detail/3009.html         2021-08-24

  • 电源IC的损耗如何进行计算?详解-KIA MOS管

    图中给出了从“电源IC的损耗”这个角度考虑时相关的部分。本次以输出段的MOSFET内置型IC为例进行说明。相关内容见图中蓝色所示部分。电感除外(因为电感是外置的)。如果计算此前的说明中使用的控制器型IC的损耗的话,是不包括MOSFET和电感损耗的。

    1 次查看

    www.kiaic.com/article/detail/3008.html         2021-08-24

  • 开关MOSFET的栅极驱动损耗图文分析-KIA MOS管

    栅极电荷损耗是由该例中外置MOSFET的Qg(栅极电荷总量)引起的损耗。当MOSFET开关时,电源IC的栅极驱动器向MOSFET的寄生电容充电(向栅极注入电荷)而产生这种损耗(参见下图)。这不仅是开关电源,也是将MOSFET用作功率开关的应用中共同面临的探讨事项。

    0 次查看

    www.kiaic.com/article/detail/3007.html         2021-08-24

  • 电子电路:互锁电路工作原理及电路图-KIA MOS管

    互锁电路就是电路和两个回路,互相锁定,一个动作另一个不能动作。只要把两个回路互加一个常闭接点就行了,一个回路起动时能把另一个回路切断。

    0 次查看

    www.kiaic.com/article/detail/3006.html         2021-08-23

  • 交流电路中电容作用分析图解-KIA MOS管

    交流电路是指电源的电动势随时间作周期性变化,使得电路中的电压、电流也随时间作周期性变化,这种电路叫做交流电路。那么交流电路中电容的作用是什么?

    0 次查看

    www.kiaic.com/article/detail/3005.html         2021-08-23

  • 交流、直流电区别及交流转直流电路图-KIA MOS管

    交流电和直流电两者的变化特性不同。交流电的电流大小和方向会随时间做周期性变化,在一个周期内的运行平均值为零,通常波形为正弦曲线,而直流电没有周期性变化。

    0 次查看

    www.kiaic.com/article/detail/3004.html         2021-08-23

  • 二极管交流电变直流电路图详解-KIA MOS管

    交流电变直流电路原理图利用二极管变成直流电应用比较多的算是整流桥了,所以说下由二极管搭建的整流桥是怎么把交流电变成直流电的呢?为了便于理解原理图如下。

    0 次查看

    www.kiaic.com/article/detail/3002.html         2021-08-20

  • 三极管构成的高低电平转换电路图及分析-KIA MOS管

    三极管高低电平转换电路将一个红外遥控接收板的4个默认输出为低电平的端口改为默认输出为高电平,当接收到红外遥控信号时相应端口输出变为低电平。

    0 次查看

    www.kiaic.com/article/detail/3001.html         2021-08-20

  • MOS管电平转换电路原理与分析-KIA MOS管

    电平转换在电路设计中非常常见,因为做电路设计很多时候就像在搭积木,这个电路模块,加上那个电路模块,拼拼凑凑连起来就是一个电子产品了。而各电路模块间经常会出现电压域不一致的情况,所以模块间的通讯就要使用电平转换电路了。

    0 次查看

    www.kiaic.com/article/detail/3000.html         2021-08-19

  • ​MOS管开关速度及如何提高MOS管开关速度?-KIA MOS管

    MOSFET的开关速度和Cin充放电有很大关系,使用者无法降低Cin,但可降低驱动电路内阻Rs减小时间常数,加快开关速度,MOSFET只靠多子导电,不存在少子储存效应,因而关断过程非常迅速,开关时间在10—100ns之间,工作频率可达100kHz以上,是主要电力电子器件中最...

    1 次查看

    www.kiaic.com/article/detail/2999.html         2021-08-19

  • MOS管最大持续电流如何确定与计算?详解-KIA MOS管

    MOS管最大持续电流=MOS耐电压/MOS内阻值。该额定电流应为负载在所有条件下可承受的最大电流。与电压情况类似,即使系统产生尖峰电流,也要确保所选的MOS晶体管能够承受此额定电流。

    0 次查看

    www.kiaic.com/article/detail/2998.html         2021-08-19

  • MOS管KNX3203B 30V​100A规格封装资料 MOS管原厂-KIA MOS管

    MOS管KNX3203B 30V100A原厂介绍广东可易亚半导体科技有限公司是一家专业从事中、大、功率场效应管(MOSFET)、快速恢复二极管、三端稳压管开发设计,集研发、生产和销售为一体的国家高新技术企业。

    0 次查看

    www.kiaic.com/article/detail/2997.html         2021-08-18

Powered by DY Net+! |SiteMap |Copyright © 广东可易亚半导体科技有限公司 粤ICP备14090673号