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场效应管的符号与三个极,G、S、D详解-KIA MOS管
场效应管的符号与三个极,G、S、D详解-KIA MOS管 1.判断栅极G MOS驱动器主要起波形整形和加强驱动的作用:假如MOS管的G信号波形不够陡峭，在点评切换阶段会造成大量电能损耗其副作用是降低电路转换效率，MOS管发烧严峻，易热损坏MOS管GS间存在一定电容，假如G信号...www.kiaic.com/article/detail/2365.html 2020-09-29
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MOS场效应管判断好坏及判断注意事项-KIA MOS管
MOS场效应管如何判断好坏（一）结型场效应晶体管的检测1．判别电极与管型 用万用表R×100档或R×1k档，用黑表笔任接一个电极，用红表笔依次触碰另外两个电极。若测出某一电极与另外两个电极的阻值均很大（无穷大）或阻值均较小（几百欧姆至一千欧姆），...www.kiaic.com/article/detail/2362.html 2020-09-28
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显卡MOS管详解与显卡MOS管分类和选购知识-KIA MOS管
显卡MOS管，三脚MOS依然是现在显卡上最常见的，八爪鱼MOS是全新的封装形式，它最大的优点是内阻低、转换率高、温度低。整合MOS继承了8脚MOS的优点，不同的是其内部整合进了多个MOS以提高输出和减少占地面积。以上三者均属于一般MOS类别，它们的耐温通常不能高于...www.kiaic.com/article/detail/2359.html 2020-09-27
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场效应管并联及并联判断方法-KIA MOS管
mos管如何并联使用？并联是元件之间的一种连接方式，其特点是将2个同类或不同类的元件、器件等首首相接，同时尾尾亦相连的一种连接方式。通常是用来指电路中电子元件的连接方式，即并联电路。www.kiaic.com/article/detail/2358.html 2020-09-27
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场效应管的参数及作用、使用优势解析-KIA MOS管
场效应管的参数，饱和漏极电流IDSS它可定义为：当栅、源极之间的电压等于零，而漏、源极之间的电压大于夹断电压时，对应的漏极电流。夹断电压UP它可定义为：当UDS一定时，使ID减小到一个微小的电流时所需的UGS。开启电压UT它可定义为：当UDS一定时，使ID到达某...www.kiaic.com/article/detail/2351.html 2020-09-25
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增强型绝缘栅场效应管工作原理与耗尽型MOS场效应管—KIA MOS管
绝缘栅场效应晶体管工作原理及特性。增强型绝缘栅场效应管，场效应管(MOSFET)是一种外形与普通晶体管相似，但控制特性不同的半导体器件。它的 输入电阻可高达1015 W，而且制造工艺简单，适用于制造大规模及超大规模集成电路。场效应管也称为MOS管，按其结构不同...www.kiaic.com/article/detail/2356.html 2020-09-25
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MOS管识别及MOS管和IGBT管的辨别-KIA MOS管
MOSFET类型识别小结。1）P沟道与N沟道的识别。MOS管识别，MOSFET在导通时，传输电流的层为P沟道的，则为P沟道MOSFET；传输电流的层为N沟道的，则为N沟道MOSFET。从原理图中看的话，可以看图上中漏极源极下方所示的为N型硅还是P型硅。从代表符号上来识别的话，则...www.kiaic.com/article/detail/2355.html 2020-09-25
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场效应管调光-常见调光方式比较及双按场效应管调光灯电路-KIA MOS管
场效应管调光-几种常见调光方式的比较随着科技的发展，越来越多的事情可以在手机上完成，大到调光系统，小到一盏台灯，都可以利用手机进行调光。在一个需要调光的空间中，设计师需要了解哪些光源可以方便的调光、有哪些调光的方式，从而更好地给出方案。www.kiaic.com/article/detail/2354.html 2020-09-24
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场效应管知识-场效应管代换原则与好坏判断 特点-KIA MOS管
一、定性判断MOS型场效应管的好坏，场效应管代换原则与好坏判断详解，先用万用表R×10kΩ挡(内置有9V或15V电池)，把负表笔(黑)接栅极(G)，正表笔(红)接源极(S)。给栅、源极之间充电，此时万用表指针有轻微偏转。再改用万用表R×1Ω挡，将负表笔接漏极(...www.kiaic.com/article/detail/2353.html 2020-09-24
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开关MOS管-开关MOS管的工作原因及详解分析-KIA MOS管
MOS管开关的工作详解MOS管作为开关元件，同样是工作在截止或导通两种状态。由于MOS管是电压控制元件，所以主要由栅源电压uGS决定其工作状态。www.kiaic.com/article/detail/2349.html 2020-09-23
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场效应管知识概述-场效应管应用的四大点详解-KIA MOS管
场效应管知识概述-场效应管应用的四大点详解，场效应管有其独特的优点，例输入阻抗高，噪声低，热稳定性好等，在我们的使用中也是屡见不鲜。我们知道场效应晶体管的种类很多，根据结构不同分为结型场效应管和绝缘栅型场效应管；绝缘栅型场效应管又称为金属氧化...www.kiaic.com/article/detail/2350.html 2020-09-23
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MOSFET击穿电压-MOS管击穿特性原因及解决方案-KIA MOS管
MOSFET 击穿电压的原因及解决方案：这三种情形即ESD一般会对电子元件造成以下三种情形的影响，(1)元件吸附灰尘，改变线路间的阻抗，影响元件的功能和寿命;(2)因电场或电流破坏元件绝缘层和导体，使元件不能工作(完全破坏);(3)因瞬间的电场软击穿或电流产生过热...www.kiaic.com/article/detail/2348.html 2020-09-22
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MOS管选型规范- MOS管选型规范的六个原则必知-KIA MOS管
MOS管选型规范在电源电路应用中，往往首先考虑漏源电压VDS的选择。在此上的基本原则为MOSFET实际工作环境中的最大峰值漏源极间的电压不大于器件规格书中标称漏源击穿电压的90%。即：VDS_peak≤90%*V(BR)DSSwww.kiaic.com/article/detail/2346.html 2020-09-21
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MOS管SOA分析-详解MOS管烧坏原因SOA的具体分析-KIA MOS管
MOS管SOA分析开关电源中MOSFET、IGBT是最核心也是最容易烧坏的器件。开关器件长期工作于高电压大电流状态，承受着很大的功耗，一但过压或过流就会导致功耗大增，晶圆结温急剧上升，如果散热不及时，就会导致器件损坏，甚至可能会伴随爆炸，非常危险。www.kiaic.com/article/detail/2345.html 2020-09-21