|
|
|
结果: 找到相关主题 5105 个
-
KIA75NF75替代ST75NF75 75A/75V中文资料-封装齐全 免费送样-KIA MOS管
KIA75N75替代ST75NF7，ST75NF75产品参数电流：75A电压：75V门源电压：±20V脉冲漏电流：370A雪崩电流：70A封装：TO-220www.kiaic.com/article/detail/1305.html 2018-11-30
-
解析用万用表测量mos管 实用简单的测量-测量mos管好坏及如何判断-KIA MOS管
mos管测量方法下图为MOS管的标识，我们主板中常用的MOS管G D S三个引脚是固定的，不管是N沟道还是P沟道都一样，把芯片放 正从左到右分别为G极D极S极，如文中图：mos管测量方法。www.kiaic.com/article/detail/1304.html 2018-11-29
-
三极管开关电路应用与开关电路状态的影响因素分析-KIA MOS管
三极管开关电路简单应用，三极管我们有时候也称为晶体管、晶体三极管等，它是一种电流控制元器件，即用基极电流去控制集电极电流。能够把微弱信号放大成较大电信号， 有PNP和NPN两种。它有截止状态、放大状态、饱和导通三种工作状态，我们经常用到的就是饱和导...www.kiaic.com/article/detail/1303.html 2018-11-29
-
KNB3208A替代HY3208A 120A/80V 参数资料-免费送样 原厂直销-KIA MOS管
MOS管HY3208A主要参数1、电流：120A2、电压：80VA3、 6毫欧MOS管KNB3208A产品特征描述1、专有新沟槽技术2、RDS(ON)，typ.=6.5mΩ@VGS=10V3、低门电荷减小开关损耗4、快恢复体二极管www.kiaic.com/article/detail/1302.html 2018-11-29
-
600V快恢复二极管参数选型及封装大全-600V快恢复二极管供应商-KIA MOS管
600V快恢复二极管，快恢复二极管（简称FRD）是一种具有开关特性好、反向恢复时间短特点的半导体二极管，主要应用于开关电源、PWM脉宽调制器、变频器等电子电路中，作为高频整流二极管、续流二极管或阻尼二极管使用。 快恢复二极管的内部结构与普通PN结二极管不...www.kiaic.com/article/detail/1301.html 2018-11-29
-
半桥谐振LLC+CoolMOS开关端电路工作原理及结构详解-KIA MOS管
近来， 半桥谐振拓扑以其高效，高功率密度受到广大电源设计工程师的青睐，但是这种软开关拓扑对MOSFET的要求却超过了以往任何一种硬开关拓扑。特别是在电源启机，动态负载，过载，短路等情况下。CoolMOS 以其快恢复体二极管，低Qg 和Coss能够完全满足这些需求并...www.kiaic.com/article/detail/1300.html 2018-11-29
-
晶体管和mos管区别-最为具体的晶体管、mos管区别详解-KIA MOS管
晶体管和mos管区别mos管是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对...www.kiaic.com/article/detail/1299.html 2018-11-28
-
FDP51N25供应商-FDP51N25参数中文资料 货源稳定 -KIA MOS管
FDP51N25产品特点：1、51A，250V，RDS (on) = 0.060Ω@VGS = 10V2、低栅极电荷（典型的55nC）3、低Crss（典型的63PF）4、快速切换5、100%雪崩试验6、提高dv/dt能力www.kiaic.com/article/detail/1298.html 2018-11-28
-
mos经典驱动电路详解 mos结构与种类、导通特性解析-KIA MOS管
mos经典驱动电路详解：现在的mos经典驱动电路，有几个特别的需求：1，低压应用，当使用5V电源，这时候如果使用传统的图腾柱结构，由于三极管的be有0.7V左右的压降，导致实际最终加在gate上的电压只有4.3V。这时候，我们选用标称gate电压4.5V的MOS管就存在一定的...www.kiaic.com/article/detail/1297.html 2018-11-28
-
led灯驱动电源电路图 led灯的驱动原理电路图方案详解 KIA MOS管
接触过LED的人都知道：由于LED正向伏安特性非常陡图1.1（正向动态电阻非常小），要给LED正常供电就比较困难。不能像普通白炽灯一样，直接用电压源供电，否则电压波动稍增，电流就会增大到将LED烧毁的程度。为了稳定LED的工作电流，保证LED能正常可靠地工作，具...www.kiaic.com/article/detail/845.html 2018-11-27
-
MOS管选型批发产品厂商
场效应管MOS管生产厂家KIA电子，专业生产从事各种大功率半导体器件与功率集成器件的设计，生产和销售。是中国大功率半导体器件的销售企业。且本公司产品广泛应用于遥控飞机，开关电源，移动数码，电动车，逆变器，节能灯，汽车消费类，LCD，HID，LED等。www.kiaic.com/article/detail/144.html 2018-11-27
-
MOS管失效的6大原因 全面深度的分析及失效应对措施-KIA MOS管
对MOS失效的原因分析，对1，2重点进行分析1：雪崩失效(电压失效)，也就是我们常说的漏源间的BVdss电压超过MOSFET的额定电压，并且超过达到了一定的能力从而导致MOSFET失效。2：SOA失效(电流失效)，既超出MOSFET安全工作区引起失效，分为Id超出器件规格失效以及...www.kiaic.com/article/detail/1296.html 2018-11-27
-
MOS管二级效应-背栅效应、沟道长度调制效应、亚阈值效应详解-KIA MOS管
MOS管的二级效应主要有三种：背栅效应、沟道长度调制效应、亚阈值效应。在很多情况下，源极和衬底的电位并不相同。对NMOS管而言，衬底通常接电路的最低电位，有VBS≤0；对PMOS管而言，衬底通常接电路的最高电位，有VBS≥0。这时，MOS管的阈值电压将随其源极和衬...www.kiaic.com/article/detail/1295.html 2018-11-27
-
KND8103A可替代L7805CV1 MOS管中文资料-原厂直销 免费送样-KIA MOS管
KND8103A可替代L7805CV1，本文将会有KNX8103A和L7805CV1两个型号的产品附件，KIA半导体10几年一直走品质追求，也一直力争将质量做好最精致完美。KAI半导体雪崩冲击低，且低内阻等优势。www.kiaic.com/article/detail/1293.html 2018-11-26