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例用CMOS构成AB级输出电路的办法。输出晶体管M1和M2两个栅极间并联衔接着n沟MOS晶体管M3和p沟MOS晶体管M4,加偏置电流Ibias并使ID3+ID4=Ibias。而且,M3和M4的栅极分别加偏置电压Vbias1和Vbias2。假如输入电压Vin降落,那么M3的栅极—源极间电压VGS3增加,流过...
www.kiaic.com/article/detail/416.html 2018-03-27
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由于栅氧化膜与硅衬底绝缘,所以CMOS的输入具有十分高的输入阻抗。实践的CMOS器件中,输入级装备有维护电路(维护二极管或维护MOS晶体管),这些器件通常是反向偏置的,所以具有几十MQ以上的输入阻抗。不沦怎样,与双极IC相比,具有十分高的输入阻抗。
www.kiaic.com/article/detail/417.html 2018-03-27
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KNB3308BA N沟道 MOSFET 80A /60V TO-252、263封装最新规格书 自行提供mos管定制.是一家专业从事中、大、功率场效应管(MOSFET)、快恢复二极管、三端稳压器开发设计、集研发、生产和销售为一体的国家高新技术企业。KIA半导体科技从2005-2018已经拥有独立研发...
www.kiaic.com/article/detail/759.html 2018-03-27
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KIA2803A N沟道 MOSFET 150A /30V TO-220、263封装最新规格书 自行提供mos管定制.是一家专业从事中、大、功率场效应管(MOSFET)、快恢复二极管、三端稳压器开发设计、集研发、生产和销售为一体的国家高新技术企业。KIA半导体科技从2005-2018已经拥有独立研发...
www.kiaic.com/article/detail/758.html 2018-03-27
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KIA2404A N沟道 MOSFET 190A /40V TO-220、247封装最新规格书 自行提供mos管定制.是一家专业从事中、大、功率场效应管(MOSFET)、快恢复二极管、三端稳压器开发设计、集研发、生产和销售为一体的国家高新技术企业。KIA半导体科技从2005-2018已经拥有独立研发...
www.kiaic.com/article/detail/757.html 2018-03-27
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KIA6410 N沟道 MOSFET 15A /100V TO-220、251、252封装最新规格书 自行提供mos管定制.是一家专业从事中、大、功率场效应管(MOSFET)、快恢复二极管、三端稳压器开发设计、集研发、生产和销售为一体的国家高新技术企业。KIA半导体科技从2005-2018已经拥有独立...
www.kiaic.com/article/detail/756.html 2018-03-26
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KIA70N06 N沟道 MOSFET 70A /60V TO-263封装最新规格书 自行提供mos管定制.是一家专业从事中、大、功率场效应管(MOSFET)、快恢复二极管、三端稳压器开发设计、集研发、生产和销售为一体的国家高新技术企业。KIA半导体科技从2005-2018已经拥有独立研发中心,...
www.kiaic.com/article/detail/755.html 2018-03-26
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KIA6110A N沟道 MOSFET 12A /100V TO-251、252封装最新规格书 自行提供mos管定制.是一家专业从事中、大、功率场效应管(MOSFET)、快恢复二极管、三端稳压器开发设计、集研发、生产和销售为一体的国家高新技术企业。KIA半导体科技从2005-2018已经拥有独立研发...
www.kiaic.com/article/detail/754.html 2018-03-26
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KIA70N08 N沟道 MOSFET 70A /80V TO-220封装最新规格书 自行提供mos管定制.是一家专业从事中、大、功率场效应管(MOSFET)、快恢复二极管、三端稳压器开发设计、集研发、生产和销售为一体的国家高新技术企业。KIA半导体科技从2005-2018已经拥有独立研发中心,...
www.kiaic.com/article/detail/753.html 2018-03-23
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KIA1N60H N沟道 MOSFET 1A /600V TO-92、251、252封装最新规格书 自行提供mos管定制.是一家专业从事中、大、功率场效应管(MOSFET)、快恢复二极管、三端稳压器开发设计、集研发、生产和销售为一体的国家高新技术企业。KIA半导体科技从2005-2018已经拥有独立研...
www.kiaic.com/article/detail/752.html 2018-03-23
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MOS管定义MOS管学名是场效应管,是金属-氧化物-半导体型场效应管,属于绝缘栅型。其结构示意图:结构示意图解析1)沟道上面图中,下边的p型中间一个窄长条就是沟道,使得左右两块P型极连在一起,因此
www.kiaic.com/article/detail/423.html 2018-03-23
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详解,N沟道MOS管和P沟道MOS管先讲讲MOS/CMOS集成电路MOS集成电路特点:制造工艺比较简单、成品率较高、功耗低、组成的逻辑电路比较简单,集成度高、抗干扰能力强,特别适合于大规模集成电路。MOS集成电路包括:NMOS管组成的
www.kiaic.com/article/detail/424.html 2018-03-23
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Tc、Tch、TJ的含义略有差别,但在数值上一般是相同的。TSTG数值上一般也是和Tc相同的。TL在数值上一般是260一300℃之间的一个数值。TJ(Operating Junction Temperature,管芯工作温度),简称“结温”,也写作Tj。TJ是指产品内部的芯片连续工作时能够承受的温...
www.kiaic.com/article/detail/427.html 2018-03-23
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容易集成化TTL等双极器件中,如图10. 15所示,相邻的晶体管之间需求隔离,而且要提高电流驱动型器件的集成度,就很难抑止功率耗费和发热现象。CMOS中,由于闩锁现象/可控硅现象的缘由,需求思索设置恰当的别离寄生
www.kiaic.com/article/detail/428.html 2018-03-23