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MOS存储器结构
MOS存储器结构
www.kiaic.com/article/detail/282.html 2018-03-28
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金半场效应晶体管MESFET｜器件结构：
金半场效应晶体管MESFET｜器件结构：
www.kiaic.com/article/detail/283.html 2018-03-28
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非晶硅太阳能电池( amorphous si solar cell)
非晶硅太阳能电池( amorphous si solar cell)
www.kiaic.com/article/detail/289.html 2018-03-28
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串联式太阳能电池(tandem solar cell)
串联式太阳能电池(tandem solar cell)
www.kiaic.com/article/detail/295.html 2018-03-28
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MOS管选型要求？PMOS与NMOS的栅极解决方法
在CMOS中，阱可为单阱(single well)、双阱(twin well)或是倒退阱(retrograde well).双阱工艺有一些缺陷，如需高温工艺（超越1 050℃）及长扩散时间（超越8h）来到达所需2μm~31'm的深度，在这个工艺中，外表的掺杂浓度是最高的，掺杂浓度随着深度递加，为了...www.kiaic.com/article/detail/297.html 2018-03-28
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功率开关MOS管器件的驱动电路是什么原理？
功率开关器件在电力电子设备中占领着中心位置，它的牢靠工作是整个安装正常运转的根本条件。功率开关器件的驱动电路是主电路与控制电路之间的接口，是电力电子安装的重要局部。它对整个设备的性能有很大的影响，其作用是将控制回路输出的控制脉冲放大到足以驱动...www.kiaic.com/article/detail/298.html 2018-03-28
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mos器件漏极偏压详解原因 n沟道MOSFET
MOSFET按比例减少MOSFET尺寸的缩减在一开端即为一持续的趋向．在集成电路中，较小的器件尺寸可到达较高的器件密度，此外，较短的沟道长度町改善驱动电流（ID~1/L）以及工作时的特性，但是，由于器件尺寸的缩减，沟道边缘（如源极、漏极及绝缘区边缘）的扰动将变...www.kiaic.com/article/detail/300.html 2018-03-28
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MOS管损坏是什么原因 开关耗损详细原因
mos在控制器电路中的工作状态：开经过程（由截止到导通的过渡过程）、导通状态、关断过程（由导通到截止的过渡过程）、截止状态。Mos主要损耗也对应这几个状态，开关损耗（开经过程和关断过程），导通损耗，截止损耗（漏电流惹起的，这个忽略不计），还有雪崩能...www.kiaic.com/article/detail/301.html 2018-03-28
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如何选用三极管和MOS管
(1)MOS管是电压控制元件，而三极管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的状况下，应选用MOS管;而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用三极管。(2)电力电子技术中提及的单极器件是指只靠一种载流子导电的器件，双极器件是指靠两种...www.kiaic.com/article/detail/304.html 2018-03-28
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什么是MOS和CMOS集成门电路？
MOS集成门电路是一种由单极型晶体管（MOS场效应管)组成的集成电路。它具有抗干扰性能强、功耗低、制造容易、易于大范围集成等优点-www.kiaic.com/article/detail/309.html 2018-03-28
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cmos接口电路-CMOS与放大器的接口电路分析-KIA MOS管?
假如CMOS电路的负载（执行元件）是继电器，则电路必需具有较大的带负载才能。图7-6所示为非门驱动一个分立元件的开关放大器件的接口电路。中三极管的集电极负载为继电器KA线圈。其工作电流为lOOmA。若晶体管的β=25，则需求4mA的基极电流。这对与非门来说是个拉...www.kiaic.com/article/detail/311.html 2018-03-28
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什么是场效应管 什么是mos管作用
场效应晶体管通常简称为场效应管，是一种应用场效应原理工作的半导体器件，外形如图4-21所示。和普通双极型晶体管相比拟，场效应管具有输入阻抗高、噪声低、动态范围大、功耗小、易于集成等特性，得到了越来越普遍的应用。www.kiaic.com/article/detail/312.html 2018-03-28
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【功率金属氧化物半导体场效应晶体管】MOSFET领域是什么？
Power MOSFET全称为功率金属-氧化物-半导体场效应晶体管。其电气符号及根本接法如图3-25所示。PowerMOSFET有三个极，即源极(S)、漏极(D)和栅极(G)。控制信号“GS加于栅极和源极之间，改动UGS的大小，便可改动漏极电流ID的大小。由于栅—源极之间的阻抗十分大，...www.kiaic.com/article/detail/317.html 2018-03-28
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mos场效应管有哪些？以及特征及主要用处？
场效应晶体管通常简称为场效应管，是—种应用场效应原理工作的半导体器件，外形如图4-21所示。和普通双极型晶体管相比拟，场效应管具有输入阻抗高、噪声低、动态范围大、功耗小、易十集成等特性，得到了越来越普遍的应用。场效应管的品种很多，主要分为结型场效...www.kiaic.com/article/detail/318.html 2018-03-28