-
乙类功率放大器也称为B类功率放大器,也是一种线性放大器。甲类放大器的效率低,一般仅用小功率放大或信号放大使用,真正用于大功率放大的是乙类(B类)或甲乙类(AB类)功放。
www.kiaic.com/article/detail/4775.html 2024-02-18
-
KIA840场效应管具有500V 8A的参数,能够满足高压高电流的需求。这款场效应管的RDS(ON)参数仅为0.7Ω(典型值)在VGS=10V时,这意味着它具有非常低的电阻,能够有效降低能量损耗。KIA840场效应管能够代换irf840型号进行使用,KIA840封装有TO-252、TO-263、TO-...
www.kiaic.com/article/detail/4774.html 2024-02-04
-
电容降压电路是一种常见的小电流电源电路,具有体积小、成本低、电流相对恒定等优点。?将交流市电转换为低压直流的常规方法是采用变压器降压后再整流滤波,当受体积和成本等因素的限制时,最简单实用的方法就是采用电容降压式电源。
www.kiaic.com/article/detail/4773.html 2024-02-04
-
此处的RCD吸收设计,可以这样认为:为了吸收振荡尖峰,C应该有足够的容值,已便在吸收尖峰能量后,电容上的电压不会太高,为了平衡电容上的能量,电阻R需将存储在电容C中的漏感能量消耗掉,所以理想的参数搭配,是电阻消耗的能量刚好等于漏感尖峰中的能量(此时...
www.kiaic.com/article/detail/4772.html 2024-02-04
-
HD安定器热销型号KIA830场效应管具有漏源电压高达500V和漏极电流达到5A的强大性能,其开启状态下的电阻为1.0Ω,能够提供稳定可靠的电流流动。KIA830场效应管封装形式有:TO-220、TO-252两种
www.kiaic.com/article/detail/4771.html 2024-02-03
-
晶体管耗散功率也称集电极最大允许耗散功率PCM,是指晶体管参数变化不超过规定允许值时的最大集电极耗散功率。耗散功率与晶体管的最高允许结温和集电极最大电流有密切关系。
www.kiaic.com/article/detail/4770.html 2024-02-03
-
上式反应了增大VSB会导致 Vt的增加,尽管VGS保持恒定的情况下也会增大ID 。换句话说,VBS同样能控制ID的大小,因此体极和栅极具有相同的控制ID的能力,这个效应称为体效应 。这里 γ 称为体效应参数。
www.kiaic.com/article/detail/4769.html 2024-02-03
-
KNX6450A场效应管漏源电压500V,漏极电流13A,RDS(ON),典型=0.40Ω@VGS=10V;具备低栅极电荷,最小化了开关损耗,能够稳定可靠地工作,同时具备快速恢复体二极管,提供了更高效的性能表现。
www.kiaic.com/article/detail/4768.html 2024-02-02
-
MOS管的栅极放了一个电容,当按按键1的时候,电源通过R1给电容充电,,MOS管栅极的电压慢慢增大,流过MOS管的电流也慢慢增大,LED慢慢变亮。中间若松开按键,则LED会保持当前的这一亮度。
www.kiaic.com/article/detail/4767.html 2024-02-02
-
LED的亮度取决于输出电压。由于稳压器是可变的,因此LED的亮度也是可变的。电位计P1用于粗略调整,而P2用于以更精细的分辨率调整亮度。稳压器电路的输出可在0至4.3伏范围内变化。
www.kiaic.com/article/detail/4766.html 2024-02-02
-
KNX7650A场效应管采用高级平面工艺制造,具备漏源电压500V和漏极电流25A的特性,RDS(ON)(典型值)为170mΩ@VGS=10V,封装形式:TO-220F、TO-3P;KNX7650A是一款在电气设备、调光器模块、充电模块领域的专用MOS管。
www.kiaic.com/article/detail/4765.html 2024-02-01
-
可控硅由关断转为导通,除阳极要承受正向电压外,门极还要加上适当的触发电压,改变触发脉冲输出时刻便可达到改变输出直流电压的目的。为门极提供触发电压和电流的电路叫触发电路。在设计可控硅(SCR)触发电路时,可控硅(SCR)整个区域的运行很大程度上取决于...
www.kiaic.com/article/detail/4764.html 2024-02-01
-
反相器之所以叫反相器,是因为输出和输入信号的相位相反,而跟随器的相位相同。反相器是可以将输入信号的相位反转180度,这种电路应用在模拟电路,比如说音频放大,时钟振荡器等。
www.kiaic.com/article/detail/4763.html 2024-02-01
-
KIA75NF75场效应管漏源击穿电压为80V,漏极电流为80A,RDS(ON)参数为7mΩ(典型值)@VGS=10V,能够最大限度地减少导电损耗。这款场效应管还具备无铅和绿色设备的特点,符合环保要求。它采用了先进的技术,以确保低Rds开启,减少了导电损耗,使其具备更高的效...
www.kiaic.com/article/detail/4762.html 2024-01-31