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mos管并联二极管,mos管ds并联二极管-KIA MOS管
保护作用：当流过SD的电流过大时可以分流一部分；对于高速开关的场合，体二极管由于开通速度过慢，导致无法迅速开通，电流无法通过，进而损坏MOS，因此并联的二极管多为快恢复或肖特基。www.kiaic.com/article/detail/4986.html 2024-05-29
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3106场效应管参数,引脚图中文资料,3106MOS管现货-KIA MOS管
KNX3106N场效应管具有漏源击穿电压高达60V和漏极电流可达110A的强大特性，RDS（ON）在VGS为10V时表现出色，仅为7mΩ（典型值），表现出卓越的导通能力；采用了专有新型平面技术，能够实现快速切换，提高系统效率、经过100%雪崩测试，保证了器件的稳定性和可靠性...www.kiaic.com/article/detail/4985.html 2024-05-28
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势垒高度,势垒高度单位,势垒高度公式-KIA MOS管
势垒高度的计算公式为：qVD=Wm-Ws，其中q为电子电荷量，V为反向偏置电压，D为势垒宽度，Wm为多数载流子能量，Ws为少数载流子能量。www.kiaic.com/article/detail/4984.html 2024-05-28
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电容单位换算,电容的单位详解-KIA MOS管
电容是衡量电路中储存电荷能力的物理量，常用的单位有法拉（F），较小的单位有毫法拉（mF），微法拉（μF）和皮法拉（pF）。www.kiaic.com/article/detail/4983.html 2024-05-28
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2213场效应管,参数引脚图,2213MOS管中文资料-KIA MOS管
KCX2213A场效应管是一款具有高坚固性的SGT MOSFET技术产品，漏源击穿电压135V，漏极电流可达200A，表现出优秀的性能；RDS（ON）仅为2.9mΩ（典型值）@VGS=10V，具有低栅极电荷（151nC），经过改进的dv/dt能力测试，表现出卓越的稳定性和可靠性，100%的雪崩测试...www.kiaic.com/article/detail/4982.html 2024-05-27
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钳位电路原理,二极管经典钳位电路图-KIA MOS管
当输入口的电压小于等于GND-0.7时，二极管D1不导通，二极管D2导通，此时输出口的电压就会被钳位在GND-0.7，无论输入再小，输出也不会变。www.kiaic.com/article/detail/4981.html 2024-05-27
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led驱动电源电路,led驱动电路分享-KIA MOS管
输入整流部分：分析高压输入整流电路的具体参数，然后选取具体保险整流二极管的规格，因为我们的功率比较低，可以选取线绕电阻作为保险，用1N4007做整流管如果功率较大要选用其他耐流更高的整流二极管。www.kiaic.com/article/detail/4980.html 2024-05-27
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2920MOS管现货,2920场效应管参数引脚图,中文资料-KIA MOS管
KCX2920K场效应管是一款具有SGT MOSFET技术的优质器件，采用新型沟槽技术，漏源击穿电压200V，漏极电流130A，表现出色；RDS（ON）为9.8mΩ（典型值）@VGS=10V，在低栅极电荷情况下最小化开关损耗，快速恢复体二极管，能够在DC-DC转换器中发挥重要作用。www.kiaic.com/article/detail/4979.html 2024-05-24
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开关降压电路详解,开关降压电路图及原理-KIA MOS管
开关降压电路-buck电路图开关闭合时，电源给电感和电容充电。开关断开时，电感作为电源给负载供电。www.kiaic.com/article/detail/4978.html 2024-05-24
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开关升压电路图,开关升压电路原理-KIA MOS管
在充电过程中，开关闭合（三极管导通），等效电路如图二，开关（三极管）处用导线代替。这时，输入电压流过电感。二极管防止电容对地放电。由于输入是直流电，所以电感上的电流以一定的比率线性增加，这个比率跟电感大小有关。随着电感电流增加，电感里储存了一...www.kiaic.com/article/detail/4977.html 2024-05-24
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3303MOS管,3303场效应管参数引脚DFN3*3,原厂现货-KIA MOS管
KNG3303C场效应管是一款性能优越的器件，漏源击穿电压30V，漏极电流90A，具有极低的导通电阻，RDS(ON)仅为2.6mΩ(typ.)@VGS=10V；在PWM应用和负载开关中表现出色，为电源管理提供了强大支持，还具有低Crss、快速切换、100%雪崩测试和改进的dv/dt能力，保证了稳...www.kiaic.com/article/detail/4976.html 2024-05-23
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mos管电容计算公式,mos管电容计算详解-KIA MOS管
MOS电容的容量可以通过使用两个公式来计算，即C=εoA/d，其中C为电容值，εo为真空介电常数，A为极板的面积，d为极板之间的距离。www.kiaic.com/article/detail/4975.html 2024-05-23
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整流桥如何接线？整流桥接线方法-KIA MOS管
交流输入：连接到整流桥的两个交流输入引脚。正直流输出：连接到整流桥的正直流输出引脚。负直流输出：连接到整流桥的负直流输出引脚。电源负极：连接到整流桥的负极，通常与负直流输出引脚相同。电源正极：连接到整流桥的正极，通常与正直流输出引脚相同。www.kiaic.com/article/detail/4974.html 2024-05-23
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7P03参数引脚,7P03场效应管,PMOS管KIA7P03A-KIA MOS管
KIA7P03A功率场效应管采用先进的高密度沟槽技术，拥有优异的性能表现，电流能力为-7.5A，电压为-30V，典型的导通电阻RDS（ON）为18mΩ，在栅源电压为10V时；7P03场效应管具有超低的栅极电荷，可以在电路中发挥重要作用，还具有优良的CDV/dt效应递减，采用绿色环...www.kiaic.com/article/detail/4973.html 2024-05-22