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广东可易亚半导体科技有限公司

结果: 找到相关主题 5699 个

  • 逆变器mos,80v60a,3508场效应管参数,to252,KIA3508AD-KIA MOS管

    KIA3508AD场效应管漏源电压80V，漏极电流60A，导通电阻RDS(开启) 11mΩ，最大限度地减少导电损耗，低栅极电荷，高效低耗；100%雪崩测试，可靠且坚固耐用；高击穿电压和电流，稳定可靠；提供无铅环保器件（符合RoHS标准），品质优越；广泛用于电动车控制器、锂电...

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    www.kiaic.com/article/detail/6138.html         2025-12-31

  • 24v直流电机正反转控制器,正反转电路-KIA MOS管

    H桥电路：4个开关管（MOSFET/晶体管）组成桥臂，通过控制对角导通切换电流路径：正转：左上+右下开关导通（电流右向）。反转：左下+右上开关导通（电流左向）。

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    www.kiaic.com/article/detail/6136.html         2025-12-31

  • 调速电路原理,电机调速电路图-KIA MOS管

    将交流电压经桥式整流后的直流电压，通过晶闸管V加到直流电动机的电枢上。调节电位器RP的值，则能改变V的导通角，从而改变输出直流电压的大小，实现直流电动机调速。

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    www.kiaic.com/article/detail/6135.html         2025-12-31

  • 3508mos,80v70a,​​3508场效应管,KIA3508AB参数-KIA MOS管

    KIA3508AB场效应管漏源电压80V，漏极电流70A，导通电阻RDS(开启) 11mΩ，最大限度地减少导电损耗，低栅极电荷，高效低耗?；100%雪崩测试，可靠且坚固耐用；高击穿电压和电流，?稳定可靠；提供无铅环保器件（符合RoHS标准），品质优越；适用于电动车控制器、锂...

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    www.kiaic.com/article/detail/6134.html         2025-12-30

  • mos管驱动电机,6个mos管驱动无刷电机-KIA MOS管

    6个MOS管分为两组，三个高边MOS连接电源正极（VBus），三个低边MOS连接电源负极。通过控制MOS管通断，实现电流在电机绕组中分配，推动电机运转。

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    www.kiaic.com/article/detail/6133.html         2025-12-30

  • 三相无刷电机驱动电路图,原理详解-KIA MOS管

    六步法中的三相电机每次只有两组绕组有电流通过，产生磁场。为了让电机旋转，一般按照Q1Q2-Q2Q3—Q3Q4-Q4Q5-Q5Q6一Q6Q1的顺序依次导通功率开关管。

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    www.kiaic.com/article/detail/6132.html         2025-12-30

  • 3303mos,3303场效应管,30v90a,KCY3303S参数-KIA MOS管

    KCY3303S场效应管漏源击穿电压30V，漏极电流90A；采用先进的沟槽技术制造，极低的导通电阻RDS(开启) 2.2mΩ，最大限度地减少导电损耗，低栅极电荷，高效低耗；具有高电流承载能力、符合RoHS和无卤素标准，?稳定可靠，绿色器件；广泛应用于台式计算机电源管理、...

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    www.kiaic.com/article/detail/6131.html         2025-12-29

  • 开关电源软启动电路,可控电源电路-KIA MOS管

    当首次接上开关电源时，C1将放电。10V开关电源线上逐渐增大的电压将使放大器A1反相输入端为正，禁止脉宽调制器的输出。晶体管Q1将通过R2导通，保持C1放电状态直到送到变换器电路的300V直流线上形成的电压超过200V。

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    www.kiaic.com/article/detail/6130.html         2025-12-29

  • mos管软启动电路,开关电源软启动-KIA MOS管

    MOS管软启动电路通过控制MOS管栅极电压缓慢上升来限制电源启动时浪涌电流，利用RC时间常数实现电源的平滑开启。软启动的核心目的是抑制浪涌电流，避免电源瞬间开启时因负载电容充电或感性负载导致的电流冲击，从而保护电路稳定性和元器件安全。

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    www.kiaic.com/article/detail/6129.html         2025-12-29

  • 3404mos,3404场效应管参数,40v80a,KNY3404C现货-KIA MOS管

    KNY3404C场效应管漏源击穿电压40V，漏极电流80A；采用先进的高单元密度沟槽技术制造，极低的导通电阻RDS(开启) 5.0mΩ，最大限度地减少导电损耗，低栅极电荷，高效低耗；具有出色的Cdv/dt效应下降、符合RoHs和绿色产品要求、100%EAS保证，稳定可靠；应用于太阳...

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    www.kiaic.com/article/detail/6128.html         2025-12-26

  • igbt驱动电路图,igbt工作原理详解-KIA MOS管

    Q1，Q3为NPN型三极管，Q2，Q4为PNP型三极管，D1～D4为保护二极管，二路PWM控制信号A，B为高电平或低电平，即A为高电平，B为低电平时，Q1、Q4导通，Q2、Q3关断，此时，Q1、Q4和T1原边绕组就形成通路，脉冲电压加在T1的原边，与原边同相位的次边得到开通驱动信号...

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    www.kiaic.com/article/detail/6127.html         2025-12-26

  • 贴片mos管封装类型,贴片mos管焊接方法-KIA MOS管

    表面贴装式封装是将MOSFET的管脚及散热法兰直接焊接在PCB板表面的焊盘上。这种封装方式具有安装密度高、重量轻、不易受损等优点。常见的表面贴装式封装类型包括晶体管外形（D-PAK）、小外形晶体管（SOT）、小外形封装（SOP）、方形扁平式封装（QFP）以及塑封有...

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    www.kiaic.com/article/detail/6126.html         2025-12-26

  • 2803场效应管参数,30v150a mos,to220封装,​KNP2803A-KIA MOS管

    KNP2803A场效应管漏源电压30V，漏极电流150A，采用先进的沟槽加工技术，实现极低的导通电阻RDS(开启) 2.2mΩ，最大限度地减少导通损耗，低栅极电荷，快速切换，?高效低耗；改进的dv/dt能力、100%雪崩测试和改进的重复雪崩额定值，无铅，符合RoHS标准，稳定可靠...

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    www.kiaic.com/article/detail/6125.html         2025-12-25

  • 单相全桥逆变电路图,工作原理详解-KIA MOS管

    单相全桥逆变电路由四个功率开关管（IGBT/MOSFET）组成H型桥式拓扑，每个开关管并联续流二极管。通过交替导通对角线开关管实现直流-交流转换：正半周Q1、Q4导通，负载获+Ud；负半周Q2、Q3导通，负载获-Ud。周期性交替导通形成交变方波，采用SPWM技术调整开关管...

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    www.kiaic.com/article/detail/6124.html         2025-12-25

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