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芯片，集成电路，IC之间的关系与区别-KIA MOS管
芯片，又称微电路（microcircuit）、微芯片（microchip）、集成电路（integrated circuit， IC），是指内含集成电路的硅片，体积很小，常常是计算机或其他电子设备的一部分。www.kiaic.com/article/detail/3212.html 2021-12-01
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元器件-IC封装常识图解-KIA MOS管
封装，就是指把硅片上的电路管脚,用导线接引到外部接头处,以便与其它器件连接，封装形式是指安装半导体集成电路芯片用的外壳。www.kiaic.com/article/detail/3211.html 2021-12-01
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关于PN结正向导通图文分享-KIA MOS管
如果电源的正极接P区，负极接N区，外加的正向电压有一部分降落在PN结区，PN结处于正向偏置。电流便从P型一边流向N型一边，空穴和电子都向界面运动，使空间电荷区变窄，电流可以顺利通过，方向与PN结内电场方向相反，削弱了内电场。www.kiaic.com/article/detail/3210.html 2021-11-30
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MOSFET正向导通、反向导通等效电路-KIA MOS管
功率 MOSFET 正向导通时可用一电阻等效，该电阻与温度有关，温度升高，该电阻变大；它还与门极驱动电压的大小有关，驱动电压升高，该电阻变小。www.kiaic.com/article/detail/3209.html 2021-11-30
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二极管负钳位器电路比较分析-KIA MOS管
钳位电路简介1、功能：将输入信号上移或下移，并不改变输入信号的波形。2、基本元件：二极管D、电容器C及电阻器R（直流电池VR）。3、类别：负钳位器与正钳位器。www.kiaic.com/article/detail/3208.html 2021-11-30
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KNE4603A2MOS管 7A30V资料 双N管 SOP8 原厂直销-KIA MOS管
KNE4603A2MOS管 7A30V概述KNE4603A2是高密度沟槽双N沟道MOSFET，KNE4603A2为同步buck变换器应用中提供了极好的RDSON和栅极电荷。本产品KNE4603A2符合RoHs和绿色产品要求。www.kiaic.com/article/detail/3207.html 2021-11-29
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电源和电机驱动应用中的MOS冗余驱动-KIA MOS管
电源和电机驱动应用中，功率MOS可以在不同的调制方式下，实现相应的能量转换功能。单个MOS驱动的结构如图1所示，通过MCU的 PWM模块调整占空比，控制功率MOS的通断，达到相应的功能。www.kiaic.com/article/detail/3206.html 2021-11-29
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电感的频率特性以及等效电路讲解-KIA MOS管
首先，电感（线圈）具有以下基本特性，被称为“电感的感性电抗”(1) 直流基本上直接流过(2) 对于交流，起到类似电阻的作用(3) 频率越高越难通过www.kiaic.com/article/detail/3205.html 2021-11-29
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MOS管-5A-30V KPE4403A2参数 原厂免费送样-KIA MOS管
MOS管-5A-30V KPE4403A2产品概述该KPE4403A2是高密度沟槽双P沟道MOSFET，提供了优异的性能。大多数同步降压转换器应用中的RDSON和栅极充电。KNE4403A2符合环保和绿色产品要求。www.kiaic.com/article/detail/3204.html 2021-11-26
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MOS管半桥电路-关键参数计算方法-KIA MOS管
MOS管选型需要满足几个要求：1.足够的漏-源电压 VDS2.足够的漏极电流 ID3.快速开关的能力和开通、关断延时4.低的导通电阻Rds(on)www.kiaic.com/article/detail/3203.html 2021-11-26
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MOS集成逻辑门电路|图文并茂-KIA MOS管
(1)nmos反相器设电压vdd = 10v，开启电压vt1 = vt2 = 2v1、a输入高电平vih = 8vt1、t2均导通，输出为低电平vol ≈0.3v2、a输入低电平v il = 0.3v时，t1截止t2导通，电路输出高电平voh = vdd - vt2 = 8v。www.kiaic.com/article/detail/3201.html 2021-11-26
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比较-半导体制冷和压缩机制冷哪个好？-KIA MOS管
半导体制冷器是指利用半导体的热-电效应制取冷量的器件，又称热电制冷器。用导体连接两块不同的金属，接通直流电，则一个接点处温度降低，另一个接点处温度升高。若将电源反接，则接点处的温度相反变化。www.kiaic.com/article/detail/3200.html 2021-11-25
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MOSFET和IGBT的工作区命名详解-KIA MOS管
①正向阻断区（也称为截止区，夹断区）：当栅极电压Vgs＜Vgs(th)时，MOSFET沟道被夹断，漏极电流Id=0，管子不工作。www.kiaic.com/article/detail/3199.html 2021-11-25
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LED驱动电源的拓扑结构分析-KIA MOS管
采用AC-DC电源的LED照明应用中，电源转换的构建模块包括二极管、开关(FET)、电感及电容及电阻等分立元件用于执行各自功能，而脉宽调制(PWM)稳压器用于控制电源转换。www.kiaic.com/article/detail/3198.html 2021-11-25