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EMC加差模电感抑制开关电源的噪声进入电网-KIA MOS管
开关电源的EMC部分经常会看到有加差模电感，这个电感的作用就是用来抑制开关电源的噪声进入电网用的，特别对于要求高PF的电源里面，如果前面加太多的X电容，可能会引起PF值下降，所以很多时候是加差模电感。www.kiaic.com/article/detail/3309.html 2022-01-17
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开关电源的EMC测试及正确选择EMI滤波器-KIA MOS管
图1为所测的15kW开关电源的传导骚扰值，由图中可以看出在0、15～15MHz大范围超差。这是因为开关电源所产生的干扰噪声所为。开关电源所产生的干扰噪声分为差模噪声和共模噪声。www.kiaic.com/article/detail/3308.html 2022-01-17
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基于MOSFET内部结构优化的驱动电路-KIA MOS管
通常在实际的设计过程中，电子工程师对其的驱动电路以及驱动电路的参数调整并不是十分关注，尤其是从来没有基于MOSFET内部的微观结构去考虑驱动电路的设计，导致在实际的应用中，MOSFET产生一定的失效率。本文将讨论这些细节的问题，从而优化MOSFET的驱动性能，...www.kiaic.com/article/detail/3307.html 2022-01-17
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【超实用】有效防止电路中闩锁问题的方法-KIA MOS管
闩锁效应 (Latch Up) 是在器件的电源引脚和地之间产生低阻抗路径的条件，这种低阻抗路径可能会由于过大的电流水平而导致系统紊流或灾难性损坏。本文介绍闩锁效应产生的机理，并且介绍了3个电路设计的实用方法, 有效防止闩锁问题。www.kiaic.com/article/detail/3306.html 2022-01-14
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什么是IGBT中的闩锁效应？图文详解-KIA MOS管
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,具有功率MOSFET的高速性能与双极的低电阻性能两方面的优点。闩锁会使IGBT失去栅控能力，器件无法自行关...www.kiaic.com/article/detail/3305.html 2022-01-14
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【分享】常用的NMOS+PMOS控制电路-KIA MOS管
下面要介绍的是单片机电路里面经常用到的一个MOS管组合控制电路，由一个增强型NMOS管和一个增强型PMOS管组成，IO_CON是接到单片机(单片机供电3.3V)的IO口上，单片机电平控制有两种情况www.kiaic.com/article/detail/3304.html 2022-01-14
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MOS管、二极管反接保护电路分析-KIA MOS管
通常我们的电子产品，为防止用户将正负极接反，会对接口做防反接保护。比如接口做成梯形或者开个缺口，反了不容易插进，对于一些工控类产品，只提供接线端子的方式，虽然在外壳和端子上有标识出正负极，但总难免用户出现粗心大意的时候。www.kiaic.com/article/detail/3303.html 2022-01-13
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【收藏】MOS管防护电路图文详解-KIA MOS管
功率MOS管自身拥有众多优点，但是MOS管具有较脆弱的承受短时过载能力，特别是在高频的应用场合，所以在应用功率MOS管对必须为其设计合理的保护电路来提高器件的可靠性。www.kiaic.com/article/detail/3302.html 2022-01-13
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NMOS、PMOS管串联稳压电路及区别-KIA MOS管
两种电路相比较，主要有以下区别：NMOS管的Rds.on要小于PMOS管的Rds.on；NMOS型稳压电路所需的输入输出压差小于PMOS型的输入输出压差；www.kiaic.com/article/detail/3301.html 2022-01-13
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MOS管100V7A KIA5610A SOT-89 参数资料 原厂直销-KIA MOS管
MOS管100V7A KIA5610A产品概述KIA5610A是具有极高单元密度的最高性能沟槽N-ch MOSFET，其为大多数同步降压转换器应用提供优异的RDSON和栅极电荷。KIA5610A符合RoHS和绿色产品要求。www.kiaic.com/article/detail/3300.html 2022-01-12
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交流电与电池双电源供电切换电路-KIA MOS管
电池和交流电源之间的平稳电源的切换过程要求尽量避免用户干预、保证能量损失最少，尽可能不在电池供电回路中插入串联元件，以免在电池电压较低时电流回路中引起额外的电压降，从而降低总体转换效率。www.kiaic.com/article/detail/3299.html 2022-01-12
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图腾柱电路工作原理及注意事项详解-KIA MOS管
图腾柱就是上下各一个晶体管，上管为NPN，c极接正电源，下管为PNP，e极接负电源，注意，是负电源，是地。两个b极接到一起，接输入，上管的e和下管的c接到一起，接输出。www.kiaic.com/article/detail/3298.html 2022-01-12
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【电子知识】电容啸叫原因图文分享-KIA MOS管
减小电容的ESR及ESL，可以有效的减小电源上的纹波及噪音，此外电源模块的小型化也是趋势，所以片式多层陶瓷电容MLCC(Multi Layer Ceramic Capacitor)越来越多地被用于输出电容。但是，使用MLCC电容会产生一个新的问题，它的结构会导致啸叫。www.kiaic.com/article/detail/3297.html 2022-01-11
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单片机复位电路可靠性设计及实用复位电路-KIA MOS管
射频干扰，它是以空间电磁场的形式传递 在机器内部的导体（引线或零件引脚）感生出相应的干扰，可通过电磁屏蔽和合理的布线/器件布局衰减该类干扰；电源线或电源内部产生的干扰，它是通过电源线或电源内的部件耦合或直接传导，可通过电源滤波、隔离等措施来衰减...www.kiaic.com/article/detail/3296.html 2022-01-11