-
电容简介电容器所带电量Q与电容器两极间的电压U的比值,叫电容器的电容。在电路学里,给定电势差,电容器储存电荷的能力,称为电容(capacitance),标记为C。采用国际单位制,电容的单位是法拉(farad),标记为F。电容的符号是C。
www.kiaic.com/article/detail/2782.html 2021-05-08
-
mos管是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管,或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的,他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下,这个两个区是一样的,即使两端对调也不会影响器件...
www.kiaic.com/article/detail/2780.html 2021-05-07
-
电路结构及应用特点电动自行车的磷酸铁锂电池保护板的放电电路的简化模型如图1所示。Q1为放电管,使用N沟道增强型MOS管,实际的工作中,根据不同的应用,会使用多个功率MOS管并联工作,以减小导通电阻,增强散热性能。RS为电池等效内阻,LP为电池引线电感。
www.kiaic.com/article/detail/2779.html 2021-05-07
-
MOS管60V80A KNX3406A产品特征RDS(ON)=6.5mΩ(typ.)@VGS=10V提供无铅和绿色设备低无线电数据系统开启,以减少传导损耗高雪崩电流
www.kiaic.com/article/detail/2778.html 2021-04-30
-
KIA半导体的KNX3706A产品是一种高密度沟槽N-ch MOSFET,它提供了优良的RDS(ON)和大多数同步降压变换器应用的栅极电荷。KNX3706A满足RoHS和绿色产品的要求,100%EAS保证功能的可靠性得到认可。
www.kiaic.com/article/detail/2777.html 2021-04-30
-
KIA30N06B是极高电池密度的最高性能沟槽N-ch MOSFET ,它为大多数同步BUCK变换器的应用提供了优良的Rdson和栅电荷。KIA30N06B满足RoHS和绿色产品要求,100%的EAS保证了全部功能的可靠性。
www.kiaic.com/article/detail/2776.html 2021-04-30
-
40V150A参数规格 KIA2804N产品特征1、RDS(on)=3.0m@VGS=10V2、超高密度电池设计3、超低导通电阻4、快恢复体二极管5、无铅和绿色设备(符合RoHS)
www.kiaic.com/article/detail/2774.html 2021-04-29
-
30V85AMOS管 KNX3403A产品特征RDS(on)=4.5mΩ@VGS=10V无铅绿色设备降低导电损耗高雪崩电流
www.kiaic.com/article/detail/2773.html 2021-04-29
-
晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片,由于其形状为圆形,故称为晶圆;在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构,而成为有特定电性功能的集成电路产品。晶圆的原始材料是硅,而地壳表面有用之不竭的二氧化硅。二氧化硅矿石经由电弧炉提炼,盐酸氯化,并经...
www.kiaic.com/article/detail/2772.html 2021-04-28
-
场效应管可分为结型场效应管(简称JFET)和绝缘栅场效应管(简称MOS管或MOSFET)两种。每种又可分为N沟道和P沟道两类,N沟道和P沟道场效应管工作原理相同,只是工作电压极性相反,这就像三极管有NPN型和PNP型之分一样。增强型和耗尽型之分,有关图形符号如图1。...
www.kiaic.com/article/detail/2771.html 2021-04-28
-
KIA2803A,AON6512两个型号的具体参数、封装、电路特征等。(一)AON6512参数电流:150A电压:30V漏源电压:30V栅源电压:±20V雪崩电流:70A雪崩能量:123MJ漏源击穿电压:30V前向传导:85S输入电容:3430pF输出电容:1327pF反向转移电容:175pF
www.kiaic.com/article/detail/2770.html 2021-04-28
-
这种功率MOSFET是使用KIA的先进的平面条纹DMOS技术生产的。这种先进的技术特别适合最小化状态上的电阻,提供优越的开关性能,并在雪崩和换相模式下经受高能量脉冲。这些器件适用于高效开关电源、基于半桥拓扑的有源功率因数校正。
www.kiaic.com/article/detail/2769.html 2021-04-27
-
1、此功率MOSFET是使用KIA的先进平面条纹DMOS技术生产的。这先进的技术已经专门针对最小化通态电阻,提供了优越的开关性能好,在雪崩和整流模式下能承受高能量脉冲。这些适用于高效率开关电源,有功功率因数校正基于半桥拓扑。
www.kiaic.com/article/detail/2768.html 2021-04-27
-
NCE3050替代MOS管NCE3050可用KIA50N03A替代。深圳市可易亚半导体科技有限公司.是一家专业从事中、大、功率场效应管(MOSFET)、快速恢复二极管、三端稳压管开发设计,集研发、生产和销售为一体的国家高新技术企业。
www.kiaic.com/article/detail/2767.html 2021-04-27