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如果电源的正极接P区,负极接N区,外加的正向电压有一部分降落在PN结区,PN结处于正向偏置。电流便从P型一边流向N型一边,空穴和电子都向界面运动,使空间电荷区变窄,电流可以顺利通过,方向与PN结内电场方向相反,削弱了内电场。
www.kiaic.com/article/detail/3210.html 2021-11-30
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功率 MOSFET 正向导通时可用一电阻等效,该电阻与温度有关,温度升高,该电阻变大;它还与门极驱动电压的大小有关,驱动电压升高,该电阻变小。
www.kiaic.com/article/detail/3209.html 2021-11-30
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钳位电路简介1、功能:将输入信号上移或下移,并不改变输入信号的波形。2、基本元件:二极管D、电容器C及电阻器R(直流电池VR)。3、类别:负钳位器与正钳位器。
www.kiaic.com/article/detail/3208.html 2021-11-30
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KNE4603A2MOS管 7A30V概述KNE4603A2是高密度沟槽双N沟道MOSFET,KNE4603A2为同步buck变换器应用中提供了极好的RDSON和栅极电荷。本产品KNE4603A2符合RoHs和绿色产品要求。
www.kiaic.com/article/detail/3207.html 2021-11-29
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电源和电机驱动应用中,功率MOS可以在不同的调制方式下,实现相应的能量转换功能。单个MOS驱动的结构如图1所示,通过MCU的 PWM模块调整占空比,控制功率MOS的通断,达到相应的功能。
www.kiaic.com/article/detail/3206.html 2021-11-29
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首先,电感(线圈)具有以下基本特性,被称为“电感的感性电抗”(1) 直流基本上直接流过(2) 对于交流,起到类似电阻的作用(3) 频率越高越难通过
www.kiaic.com/article/detail/3205.html 2021-11-29
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MOS管-5A-30V KPE4403A2产品概述该KPE4403A2是高密度沟槽双P沟道MOSFET,提供了优异的性能。大多数同步降压转换器应用中的RDSON和栅极充电。KNE4403A2符合环保和绿色产品要求。
www.kiaic.com/article/detail/3204.html 2021-11-26
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MOS管选型需要满足几个要求:1.足够的漏-源电压 VDS2.足够的漏极电流 ID3.快速开关的能力和开通、关断延时4.低的导通电阻Rds(on)
www.kiaic.com/article/detail/3203.html 2021-11-26
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(1)nmos反相器设电压vdd = 10v,开启电压vt1 = vt2 = 2v1、a输入高电平vih = 8vt1、t2均导通,输出为低电平vol ≈0.3v2、a输入低电平v il = 0.3v时,t1截止t2导通,电路输出高电平voh = vdd - vt2 = 8v。
www.kiaic.com/article/detail/3201.html 2021-11-26
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半导体制冷器是指利用半导体的热-电效应制取冷量的器件,又称热电制冷器。用导体连接两块不同的金属,接通直流电,则一个接点处温度降低,另一个接点处温度升高。若将电源反接,则接点处的温度相反变化。
www.kiaic.com/article/detail/3200.html 2021-11-25
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①正向阻断区(也称为截止区,夹断区):当栅极电压Vgs<Vgs(th)时,MOSFET沟道被夹断,漏极电流Id=0,管子不工作。
www.kiaic.com/article/detail/3199.html 2021-11-25
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采用AC-DC电源的LED照明应用中,电源转换的构建模块包括二极管、开关(FET)、电感及电容及电阻等分立元件用于执行各自功能,而脉宽调制(PWM)稳压器用于控制电源转换。
www.kiaic.com/article/detail/3198.html 2021-11-25
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常用几种均流技术的工作原理1、改变单元输出内阻法(斜率控制法、电压下垂式、输出特性斜率控制式)实现方式:·UO固定,改变斜率·斜率固定,改变输出电压
www.kiaic.com/article/detail/3197.html 2021-11-24
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图一为一个实际的采用电容降压的LED驱动电路﹕请注意,大部分应用电路中没有连接压敏电阻或瞬变电压抑制晶体管,建议连接上,因压敏电阻或瞬变电压抑制晶体管能在电压突变瞬间(如雷电﹑大用电设备起动等 )有效地将突变电流泄放,从而保护二级关和其它晶体管,它...
www.kiaic.com/article/detail/3196.html 2021-11-24