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场效应晶体管通常简称为场效应管,是—种应用场效应原理工作的半导体器件,外形如图4-21所示。和普通双极型晶体管相比拟,场效应管具有输入阻抗高、噪声低、动态范围大、功耗小、易十集成等特性,得到了越来越普遍的应用。场效应管的品种很多,主要分为结型场效...
www.kiaic.com/article/detail/318.html 2018-03-28
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(1)场效应管的根本参数 ①夹断电压UP 也称截止栅压UGS(OFF),是在耗尽型结型场效应管或耗尽型绝缘栅型场效应管源极接地的状况下,能使其漏源输出电流减小到零时所需的栅源电压UGs。 ②开启电压UT 也称阀电压,是加强型绝缘栅型场效应管在漏源电压UDS为...
www.kiaic.com/article/detail/319.html 2018-03-28
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场效应管较三极管娇弱,使用不当很容易损坏,因此使用时应特别注意以下事项。 ①应根据不同的使用场合选用适当型号的场效应管。常用mos场效应管的主要用途见表3-8。 ②场效应管,尤其是绝缘栅场效应管,输入阻抗非常高,不用时应将各电极短接,以免栅极感...
www.kiaic.com/article/detail/320.html 2018-03-28
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在图2-31(a)中,s表示Source,源极;D表示Drain,漏极;G表示Gate,栅极。在漏极和源极之间加上一个正向电压后,N型半导体中的多数载流子(电子)便能够导电了。这种导电沟道是N型的场效应管,称为N沟道结型场效应管。
www.kiaic.com/article/detail/321.html 2018-03-28
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N沟道加强型MOSFET的沟道构成及符号如图2-35所示,其中图2-35 (a)所示是在一块杂质浓度较低的P型半导体衬底上制造两个高浓度的N型区,并分别将它们作为源极s和漏极D,然后在衬底的外表制造一层Si02绝缘层,并在上面引出一个电极作为栅极G。图2-35(b)所示是其在...
www.kiaic.com/article/detail/322.html 2018-03-28
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结型场效应管的引脚辨认办法如图4-38昕示,将万用表置丁。RX 1k”挡,用两表笔分别丈量每两个引脚间的正、反向电阻。当某两个引脚间的正、反向电阻相等,均为数千欧时,则这两个引脚为漏极D和源极S(可互换).余下的一个引脚即为栅极G。
www.kiaic.com/article/detail/323.html 2018-03-28
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1 工业领域:步进马达驱动,电钻工具,工业开关电源2 新能源领域:光伏逆变,充电桩,无人机3 交通领域:车载逆变器,汽车HID安定器,电动自动车4 绿色照明领域:CCFL节能灯。 LED照明电源,金卤灯镇流器
www.kiaic.com/article/detail/326.html 2018-03-28
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(1)将万用表的转换开关置于电阻挡的RX100挡或RXlk挡。(2)用黑表笔任接一个电极,用红表笔依次触碰另外曲个电极,进行测量。
www.kiaic.com/article/detail/336.html 2018-03-28
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www.kiaic.com/article/detail/337.html 2018-03-28
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国内碳化硅二极管生产家公司向以质量、廉价、供应碳化硅二极管 KIA08060V1 KIA10060V1 KIA10120V1 KIA15170V1 KIA20060V1 KIA20065V1等等 碳化硅二极管供应商 质量保证 原装现货 原厂碳化硅二极管厂家(KIA可易亚)
www.kiaic.com/article/detail/761.html 2018-03-28
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国内生产家KIA MOS管,公司向以质量、廉价、供应mos管 KIA3401 KIA75NF75 KIA2808A KIA3510A 等等 MOS管 质量保证 原装现货 原厂mos管厂家(可易亚),专业从事中、大、功率场效应管(MOSFET)、快恢复二极管、三端稳压器开发设计、集研发、生产和销售为一体的...
www.kiaic.com/article/detail/760.html 2018-03-28
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MOS场效应管即金属氧化物半导体型场效应管,属于绝缘栅型。在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层,因而具有很高的输入电阻(最高可达10l5Ω)。它分为N沟道管和P沟道管,如图2-54所示。通常是将衬底(基板)与源极S接在一同。
www.kiaic.com/article/detail/338.html 2018-03-27
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如图2-55所示,万用表置于R Xl00挡,将G极悬空,黑表笔接D极,红表笔接S极,此时万用表指示出漏、源极间的电阻值,然后用手指触摸G极,人体的感应电压便加到栅极上,由于管子的放大作用,此时表针应有较大的偏转。表针摆动的幅度愈大,则标明管子的放大才能愈强...
www.kiaic.com/article/detail/339.html 2018-03-27
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MOSFET构造,从纵剖面来看,栅极(栅区)、源极(源区)、漏极(漏区)大致排列在同不断线上,这样的构造被称为横向沟道(Ltcral Channel)构造。同时,栅极,精确一点说是“栅区”与漏区、源区的分界面大致也是平面状的,这种栅极构造称为平面栅极(Planar Gate)...
www.kiaic.com/article/detail/341.html 2018-03-27