mos晶体管的沟道长度影响 增加漏极-源极件电压会受到什么影响呢

MOS管夹断与沟道长度调制实践工作中，晶体管的沟道长度对特性式有一定的影响，这叫做沟道长度调制。1．MOS晶体管在非饱和区的行为下面以NMOS晶体管为例，讨论MOS晶体管处于导通状态时的沟道厚度。图1

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www.kiaic.com/article/detail/388.html         2017-08-16

如何正确理解mos管衬底偏置效应

由于MOS晶体管M1的源极与基底都接地，所以不发作衬底偏置效应。而M2源极的电位VS比接地的基底的电位VB=0要高，这就意味着VSB>0。其结果，M2发作基底偏置效应，使M2的阈值电压比M1高。

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www.kiaic.com/article/detail/389.html         2017-08-16

MOS晶体管自身产生的噪声中，特别重要的是热噪声和闪烁噪声

MOS晶体管的噪声MOS晶体管自身产生的噪声中，特别重要的是热噪声和闪烁噪声（1／f噪声）。沟道电阻产生的热噪声电子在电阻巾作随机运动，因此电阻的两端会产生噪声电压，这种噪声电压称为热噪声。MOS晶体管的沟道具有电阻成

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www.kiaic.com/article/detail/390.html         2017-08-16

MOS晶体管放大电路的三个端子中有两个分别是输入端和输出端

为了放大模仿信号必需运用有源器件。MOS晶体管就是一种频繁运用的有源器件。MOS晶体管的三个端子中有两个分别是输入端和输出端。还有第三个端子，将这个端子固定为一定的电位就能够构成三种放大电路。就是说，源极、栅极、漏极中的某个极衔接到固定电位上，就可...

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www.kiaic.com/article/detail/386.html         2017-08-15

以NMOS晶体管为例，阐明MOS的工作原理特征

先讨论将栅极与源极短路、接地（VGS=OV）时的状况。如图1.9所示的MOS晶体管。这种状态下，虽然漏极上加电压VDS，但是在漏极—源极间简直没有电流流过。为什么？如图1.10所示，这是由于此时的漏极与源极间能够等效为两个pn结二极管反向连接。

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www.kiaic.com/article/detail/385.html         2017-08-15

体二极管的技术参数VSD、IS、trr、Qrr、ISM、IRRM​

早期的功率MOSFET常常会由于漏-源极的电流或者电压的变化速率太快而失控，或者形成漏-源极的击穿损坏。而在大功率的高速开关电路中，纯阻性负载是很少见的，即便外部负载是纯阻性的，电路的散布参数、VMOS本身的散布参数在VMOS高速开关期间，也会有时间很短但是...

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www.kiaic.com/article/detail/382.html         2017-08-14

cmos电路和cmos器件的特点以及优化分析

CMOS器件具有宏大市场的最大理由就是功率耗费低。正如将CMOS反相器电路（图10.4）置换为等效电路（图10.5）时所看到的那样，不管输入的信号是“L”电平还是“H”电平，p沟MOS晶体管和n沟MOS晶体管中总有一个OFF，处于切断／高阻抗状态。就是说，在稳定状态下，...

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www.kiaic.com/article/detail/379.html         2017-08-11

半导体MOSFET和MESFET有什么区别，基本原理是什么？

MOSFET采用横向双扩散结构(IDMOS)来兼顾工作频率与功率的要求，MESFET则采用肖特基势垒栅极(Schottky Gate FET)结构（图1.24）。就PN结的特性而言，与肖特基二极管并无本质上的区别。众所周知，肖特基势垒的基本结构就是“Metal-Semiconductor”（金属-半导体）...

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www.kiaic.com/article/detail/347.html         2017-07-27

MOS管是什么？什么是VDMOS(VMOS) 、UMOS (UDMOS、UVDMOS)

采用DMOS工艺的VMOS最初称为VDMOS( Vertical Double-diffusedMOSFET，垂直沟道，双扩散MOSFET)和VVDMOS( V-groove VerticalDouble-diffused MOSFET,V形槽栅垂直沟道双扩散MOSFET)。这是直到目前仍然是绝对主流的功率MOSFET品种。因此在国内，如果没有特别说明...

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www.kiaic.com/article/detail/346.html         2017-07-27

运用TrL和CMOS集成门电路有什么留意事项？

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①多余的输入端不能悬空，以免形成干扰，—般要依据逻辑功用的不同接电源或接地。 ②电源电压大小必需契合请求，极性必需正确，否则会损坏集成电路。 ③输出端不能直接接电源或直接接地，需经外接电阻后再接电源。

www.kiaic.com/article/detail/310.html         2017-07-11

KIA半导体推出碳化硅场效应管（SiC-MOSFET）

近些年来，随着节能意识几乎在所有的领域持续高涨，在高电压工业设备领域中，可实现节能并支持高电压的功率半导体和电源IC应用也越来越广泛。其中，与现有的Si功率半导体相比，可支持更高电压、有助于实现小型化且更加节电的SiC功率半导体备受瞩目。

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www.kiaic.com/article/detail/53.html         2016-04-18