|
|
|
结果: 找到相关主题 5111 个
-
与门电路原理图,与门电路图-KIA MOS管
在与门电路功能示意图中，只有在开关A和B都闭合时，灯才会亮，如果A和B中任意一个处于开路状态，灯就不会亮。www.kiaic.com/article/detail/4808.html 2024-03-04
-
40n60参数代换,48n60场效应管参数,KCX9860A-KIA MOS管
KCX9860A漏源击穿电压600V，漏极电流47A；具有坚固的高压终端、指定雪崩能量、与离散快速恢复二极管相当的源极到漏极恢复时间、二极管用于桥式电路、高温下规定的IDSS和VDS（ON）、隔离安装孔减少了安装硬件等优异特性；KCX9860A封装形式：TO-220F、TO-247；能...www.kiaic.com/article/detail/4807.html 2024-03-01
-
rc正弦波振荡电路,RC正弦波振荡器-KIA MOS管
图所示是RC移相式正弦波振荡器电路。电路中，VT1 接成共发射极放大器电路，VT1 为振荡管，Uo这一振荡器的输出信号，为正弦信号。www.kiaic.com/article/detail/4806.html 2024-03-01
-
10分钟快速充放电,浙大开发电池新方案-KIA MOS管
浙大提出的新型电解液在25℃室温下的离子电导率是商用电解液的4倍；在-70℃时高于商用电解液3个数量级以上。“在同等条件下，我们设计的锂离子电池，能够实现充电10分钟，达到八成充电量，展现出超快的离子传输行为。”快充性能优异，也意味着低温充放电性能较...www.kiaic.com/article/detail/4805.html 2024-03-01
-
开关电源MOS管,LED驱动,KNX4660A参数7n60代换-KIA MOS管
KNX4660A场效应管漏源击穿电压600V，漏极电流7A，使其在高压环境下发挥稳定而强大的作用，RDS（ON），典型值=1.0Ω@VGS=10V，具有良好的导通性能；符合RoHS标准、低栅极电荷最小化开关损耗、快速恢复体二极管等特性使其在开关电源、LED驱动领域有着广泛的应用前...www.kiaic.com/article/detail/4804.html 2024-02-29
-
三级管和MOS管的区别,图文详解-KIA MOS管
三级管和MOS管的结构不同，mos管的栅线是用绝缘层和金属网格构成的；而三极管是直接用硅片上的pn结把两个电极连接起来。控制的区别：三极管是电流驱动的，较低的电压就可以驱动三极管，但是三极管需要较大的控制电流; 而MOS管是电压驱动的，驱动电压较高，但是...www.kiaic.com/article/detail/4803.html 2024-02-29
-
mos管极性判断,mos管三个极,正负极性-KIA MOS管
使用万用表的两个表笔分别测量MOS管的两个引脚，记录下万用表的读数。如果某个引脚显示出无穷大的读数，则该引脚对应的是源极（S）。相反，如果另一个引脚有数值，则对应的引脚是漏极（D）。www.kiaic.com/article/detail/4802.html 2024-02-29
-
电器元件符号大全,电子元器件符号-KIA MOS管
电子电路器件包括：电阻器(含电位器)、电容器、电感器、变压器、二极管、三极管、光电器件、电声器件、显示器件、晶闸管(可控硅)、场效应晶体管、IGBT、MOSFET、继电器与干簧管、开关、保险丝、晶振、连接器、各种传感器等。电路图是说明模拟电子电路工作原理的...www.kiaic.com/article/detail/4800.html 2024-02-28
-
全桥逆变电路分享,全桥逆变电路原理-KIA MOS管
单相全桥逆变电路也称为‘H桥’电路，由四个功率开关管及其驱动辅助电路构成，工作时Q1与Q4通断互补、Q2与Q3通断互补。当Q1、Q3闭合，Q2、Q4断开时，负载电压Uo为正;当Q1、Q3断开，Q2、Q4闭合时，负载电压Uo为负，Uo波形如图(b)所示。www.kiaic.com/article/detail/4799.html 2024-02-28
-
7n60参数及代换,7n60场效应管参数,7n60参数引脚图-KIA MOS管
KIA7N60H场效应管漏源击穿电压600V，漏极电流7A，能够在高压应用中表现出色；RDS（打开）=1.0? @ VGS=10V，具有较低的导通电阻，能够有效降低功耗和提高效率；能够替代仙童、UTC等品牌7N60型号场效应管进行使用；KIA7N60H封装形式： TO-263、262、220、220F多...www.kiaic.com/article/detail/4798.html 2024-02-27
-
几款单键开关机电路,单按键开关机电路-KIA MOS管
此电路可以应用于很宽的电压范围（4.5V~40V，最大19A的电流），R5为可选，当输入电压小于20V时可短接；输入电压大于20V时建议接上，R5的取值应满足与R1的分压使MOS管V1的GS电压大于-20V小于-5V（在V2导通时），尽量使V1的GS电压在-10V~-20V之间以使V1输出大电流...www.kiaic.com/article/detail/4797.html 2024-02-27
-
单键自锁开关电路,MOS管单键自锁电路-KIA MOS管
1、上电后Q2 基极为低电平，导致截止，所以Q1 G极为高电平而截止；2、当按下SW开关时，因C1充满电，此时由C1向Q2放电，导致Q2导通，Q1 G极变为低电平导通，R3构成的反馈电路能够持续的给Q2 基极供电，实现自锁导通；www.kiaic.com/article/detail/4796.html 2024-02-27
-
P30v,P40v,P60v低压MOS,场效应管,国产原厂-KIA MOS管
KIA3409采用先进的沟槽技术，提供出色的RDS（导通）和低栅极电荷。该器件适用于负载开关或PWM应用。标准产品KIA3409不含铅（符合ROHS和Sony 259规范）。VDS(V)=-30VID=-2.6Awww.kiaic.com/article/detail/4795.html 2024-02-26
-
MOS管下拉电阻作用,栅源(G-S)极下拉电阻-KIA MOS管
假使在这里没有电阻起到偏置电压的作用，那么 MOSFET 的源极电压会因为随着负载电流的变化而变化，导致门源电压出现变化，从而影响 MOSFET 工作状态。www.kiaic.com/article/detail/4794.html 2024-02-26