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MOS管为什么会被静电击穿,原因及解决-KIA MOS管
反向击穿（Reverse Bias Breakdown）：当在MOS管的栅极和源/漏极之间施加反向电压时，电场强度可能足够大，使氧化层内的电子能够穿越氧化层，形成导通通道，导致漏电流增加。www.kiaic.com/article/detail/4751.html 2024-01-26
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PD电源,mos管30v 85a,KNX3403B场效应管中文资料-KIA MOS管
PD电源热销MOS管KNX3403B是一种N沟道增强型功率Mosfet场效应晶体管，使用KIA的LVMosfet技术生产。KNX3403B经过改进的工艺和单元结构经过特别定制，漏源击穿电压30V，漏极电流85A，RDS（打开）典型值=4.5mΩ（典型值）@VGS=10V，可最大限度地减少导通电阻，提供...www.kiaic.com/article/detail/4750.html 2024-01-25
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cmos电平，cmos电平与ttl电平转换-KIA MOS管
CMOS电平是在CMOS逻辑电路中用来表示逻辑状态的一种电压水平。CMOS电路利用NMOS和PMOS这两种互补类型的半导体材料来实现逻辑功能。1逻辑电平电压接近于电源电压，0逻辑电平接近于0V。而且具有很宽的噪声容限。www.kiaic.com/article/detail/4749.html 2024-01-25
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x电容和y电容详解,x电容和y电容的作用,区别-KIA MOS管
X电容是跨接在电力线两线之间，即“L-N”之间，X电容器能够抑制差模干扰，通常采取金属化薄膜电容器，电容容量是uF级。X电容多数是方型，也就是类似于盒子的形状，在它的表面一般都标有安全认证标志、耐压字样(一般有AC300V或AC275V)、依靠标准等信息。www.kiaic.com/article/detail/4748.html 2024-01-25
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MOS管23a 1200v,KNK74120A场效应管,逆变器专用-KIA MOS管
KNK74120A场效应管采用高级平面工艺，漏源击穿电压1200V，漏极电流23A，RDS（ON）=480mΩ（典型值）@VGS=10V，具有低栅极电荷最小化开关损耗以及加固多晶硅栅极结构，KNK74120A场效应管封装形式：TO-264。www.kiaic.com/article/detail/4747.html 2024-01-24
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新型锂电池5分钟内完成充电-KIA MOS管
美国康奈尔大学科学家研制出一款新型锂电池，可在5分钟内完成充电，速度快于市场上其他同类电池，且历经数千次充放电循环后仍能保持性能稳定，有望缓解电动车驾驶员的“里程焦虑”。www.kiaic.com/article/detail/4746.html 2024-01-24
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开关电源分析,电路组成,工作原理图文-KIA MOS管
开关电源的主要电路是由输入电磁干扰滤波器（EMI）、整流滤波电路、功率变换电路、PWM控制器电路、输出整流滤波电路组成。辅助电路有输入过欠压保护电路、输出过欠压保护电路、输出过流保护电路、输出短路保护电路等。www.kiaic.com/article/detail/4745.html 2024-01-24
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电源模块选型1200v,KNX42120A场效应管参数-KIA MOS管
电源模块热销KNX42120A高压场效应管具有漏源击穿电压高达1200V和漏极电流可达3A的特点，RDS (on) = 7mΩ(typ)@VGS =10V；还具有低栅极电荷最小化开关损耗，低反向传输电容，开关速度快等优点，可以有效地减少开关损耗，快速恢复体二极管，使其具备更高的性能，...www.kiaic.com/article/detail/4744.html 2024-01-23
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mos管的gidl效应,MOSFET泄漏电流详解-KIA MOS管
MOS管的GIDL效应是指在栅极电压较高的情况下，绝缘层下的沟道区域会发生漏电现象的现象。这种现象是由于高电场导致绝缘层中的电子发生穿隧效应，从而形成漏电流。GIDL效应会导致器件的功耗增加、性能下降，并可能引起电流漂移现象。www.kiaic.com/article/detail/4743.html 2024-01-23
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MOS管泄漏电流,各种漏电流,减小泄露方法-KIA MOS管
结漏泄漏电流为：当晶体管关断时，通过反偏二极管从源极或漏极到衬底或者阱到衬底；这种反偏结泄露电流主要由两部分组成：（1）由耗尽区边缘的扩散和漂移电流产生；（2）由耗尽区中的产生的电子-空穴对形成；www.kiaic.com/article/detail/4742.html 2024-01-23
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10-16串保护板mos管,KNX3308B场效应管参数,80V 80A-KIA MOS管
KNX3308B是一款高性能的场效应管，漏源击穿电压80V，漏极电流80A，RDS（ON）值仅为7.2mΩ（typ）在VGS为10V时，这使得它成为电源和DC-DC转换器等应用领域的理想选择；KNX3308B是保护板专用MOS管，在10-16串保护板中热销，低导通电阻、最大限度地减少导电损耗，...www.kiaic.com/article/detail/4741.html 2024-01-22
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纯电阻电路,公式,和非纯电阻电路的区别-KIA MOS管
纯电阻电路是指电流通过导体时，因导体的电阻把电能转化为热能的电路。纯电阻电路是除电源外，只有电阻元件的电路，或有电感和电容元件，但它们对电路的影响可忽略。电压与电流同频且同相位。电阻将从电源获得的能量全部转变成内能，这种电路就叫做纯电阻电路。...www.kiaic.com/article/detail/4740.html 2024-01-22
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B值是什么，热敏电阻的B值详解-KIA MOS管
B值是指热敏电阻特定温度下阻值与该温度下对数阻值的斜率的倒数，通常以K为单位。B值越大，温度系数越小，温度变化时电阻值的变化幅度也就越小。热敏电阻是一种温度感应元件，其电阻值会随着温度的变化而发生改变。www.kiaic.com/article/detail/4739.html 2024-01-22
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3串,4串保护板接线,保护板专用KNX3204A参数-KIA MOS管
KNX3204A场效应管是一种高性能的电子元件，非常适合应用于锂电池保护板。该场效应管具有漏源电压40V和漏极电流100A的特点，可以承受较大的电压和电流。其特殊设计的新沟槽技术使其具备低门电荷，从而减小了开关损耗。此外，它还具备快恢复体二极管，能够更快地...www.kiaic.com/article/detail/4738.html 2024-01-19